补充
Am29F100已知合格芯片
1兆位（ 128千×8位/ 64千×16位）
CMOS 5.0伏只，引导扇区闪存裸片修订版1
特色鲜明
s
单电源工作
— 5.0 V
±
读取，擦除和程序10 ％
操作
- 简化系统级电源要求
s
高性能
- 最大120 ns访问时间
s
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流为字节模式
- 27 mA典型有效的读电流模式字
- 30毫安典型的编程/擦除电流
— 25
A
典型待机电流
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
1 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
1个32 K字部门（字模式）
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
扇区保护
- 基于硬件的功能，禁用/重
使程序在任何擦除操作
行业组合
- 部门保护/解除保护可
使用标准的PROM实现
编程设备
- 临时机构撤消功能允许IN-
在受保护的行业系统代码的变化
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除芯片或任何
指定的部门组合
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
最低100,000编程/擦除周期
保证
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源FL灰
- 高级无意写保护
s
数据轮询和切换位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
就绪/忙脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
s
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是不是
擦除，然后恢复擦除操作
s
硬件RESET ＃引脚
- 硬件设备重置为方法
读阵列数据
s
经测试数据表规格的
温度
s
质量和可靠性水平相当于
标准封装组件
出版＃
21235
启：
B
Amendment/0
发行日期：
1998年1月
的SuI P P L E M E N牛逼
概述
在已知合格芯片（ KGD ）的形式Am29F100是1
兆位， 5.0伏只闪存。 AMD KGD的定义是
标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
Am29F100特点
该Am29F100是1兆位， 5.0伏，只有闪存
组织为131,072字节或65,536字。字处理
广泛的数据出现在DQ0 - DQ15 ;字节宽的数据上
DQ0 - DQ7 。该设备被设计为被编程
在系统与标准系统5.0伏V
CC
支持
层。 12.0伏V
PP
不需要程序或擦除
操作。该设备还可以被编程或
擦除标准EPROM编程器。
为了消除总线争用的设备有不同的
芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出恩
能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取阵列
数据或接受另一个命令。
该
擦除挂起
特征使得该系统能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或程序的数据，一个没有被擦除扇区。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
该
硬件数据保护
措施包括：
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门的亲
tection
功能禁用这两个方案，并擦除操作
在内存领域的任何组合ations ，
并使用标准的EPROM编程器来实现
聚体。该
临时机构撤消
功能允许
在系统更改受保护的行业。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
解释第1条ST levelsofquali TY ，重新牌照上诉委员会IL我TY ， andcost
有效性。该装置电擦除所有位
通过福勒- Nordheim隧同时一个部门
隧道。该字节编程一个字节
用的EPROM编程机制的时间
热电子注入。
电气规格
请参考Am29F100数据表，文档编号
18926 ，为全电气s pecifications上
Am29F100.
2
Am29F100已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
产品选择指南
系列型号
速度选项（V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间，t
加
（纳秒）
最大CE＃访问，T
CE
（纳秒）
最大OE ＃访问，T
OE
（纳秒）
Am29F100 KGD
-120
120
120
50
DIE PHOTOGRAPH
相对定向
以前沿
磁带和卷轴
相对定向
顶部的左上角
Gel-Pak的
DIE焊盘位置
11 10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
47 46 45 44 43 42 41
40
39 38 37 36
12
13
14
35
34
AMD标识的位置
33
15 16 17 18 19 20 21 22 23
24
25 26 27 28 29
30 31 32
Am29F100已知合格芯片
3
的SuI P P L E M E N牛逼
PAD说明
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
信号
V
CC
DQ4
DQ12
DQ5
DQ13
DQ6
DQ14
NC
DQ7
NC
NC
DQ15
V
SS
BYTE ＃
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
WE＃
RESET＃
RY / BY ＃
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
NC
NC
NC
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
垫中心（密耳）
X
0.0
–16.5
–27.0
–37.8
–48.4
–59.1
–69.7
–80.5
–91.0
–103
–109.6
–114.7
–114.7
–113.3
–110.2
–100.0
–90.0
–79.9
–69.9
–59.9
–49.9
–39.9
–29.9
47.8
61.2
71.1
81.1
91.0
101.1
114.5
121.4
131.4
134.5
134.5
134.5
130.7
120.9
114.2
107.5
91.6
80.2
69.4
58.9
48.1
37.5
26.7
16.2
Y
0.0
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
–20.6
–29.5
–37.0
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–121.9
–41.1
–32.7
–17.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
垫中心（毫米）
X
Y
0.00
0.00
–0.42
0.02
–0.69
0.02
–0.96
0.02
–1.23
0.02
–1.50
0.02
–1.77
0.02
–2.04
0.02
–2.31
0.02
–2.62
0.02
–2.78
0.02
–2.91
–0.52
–2.91
–0.75
–2.88
–0.94
–2.80
–3.10
–2.54
–3.10
–2.29
–3.10
–2.03
–3.10
–1.78
–3.10
–1.52
–3.10
–1.27
–3.10
–1.01
–3.10
–0.76
–3.10
1.21
–3.10
1.55
–3.10
1.81
–3.10
2.06
–3.10
2.31
–3.10
2.57
–3.10
2.91
–3.10
3.08
–3.10
3.34
–3.10
3.42
–1.04
3.42
–0.83
3.42
–0.45
3.32
0.02
3.07
0.02
2.90
0.02
2.73
0.02
2.33
0.02
2.04
0.02
1.76
0.02
1.50
0.02
1.22
0.02
0.95
0.02
0.68
0.02
0.41
0.02
注意：
上面的坐标是相对于垫1的中心，并且可以被用来操作引线接合设备。
4
Am29F100已知合格芯片
的SuI P P L E M E N牛逼
订购信息
标准产品
AMD标准的产品在几个包和经营范围内工作。订单号（有效组合）
通过下面的组合形成：
Am29F100
T
-120
DP
C
1
裸片修订
这个数字是指在特定的AMD制造
工艺和产品技术体现在这
文档。它被输入的AMD的修订字段
标准产品命名。
温度范围
C =商用（ 0 ° C至+ 70 ° C）
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
E =扩展（ -55 ° C至+ 125°C ）
包装类型和
最小起订量
DP =华夫格包
每5托盘堆叠裸片180
DG =
DT =
DW =
Gel-Pak的
托盘模具
每6托盘堆叠裸片420
Surftape （卷带式）
1600元7寸盘
Gel-Pak的
晶片托盘（上框锯片）
呼叫AMD销售办事处最小订单
QUANTITY
速度选项
见有效组合
引导代码部门架构
T =热门行业
B =底界
设备号/说明
Am29F100已知合格芯片
1兆位（ 128千×8位/ 64K ×16位） CMOS闪存裸片修订版1
5.0伏只编程和擦除
有效组合
Am29F100T-120
Am29F100B-120
DPC 1 ， DPI 1 ， DPE 1 ，
DGC 1 ， DGI 1 ， DGE 1 ，
DTC 1 ， DTI 1 ， DTE 1 ，
DWC 1 ， DWI 1 ， DWE 1
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
Am29F100已知合格芯片
5
QQ：2880707522 复制
