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概述
在已知合格芯片（ KGD ）的形式Am29F010是1
兆位， 5.0伏只闪存。 AMD KGD的定义是
标准产品裸片形式，测试功能
和速度。 AMD KGD产品具有相同的可靠性
能力素质作为AMD的产品包装形式。
Am29F010特点
该Am29F010设备组织成8均匀
每16千字节灵活的擦除能力的部门。
此装置被设计在系统被编程
与标准体系5.0伏V
CC
供应量。功率
供应提供12.0伏V
PP
不要求
编程或擦除操作。
在KGD形式Am29F010提供了90次访问
NS和120纳秒，允许高速微处理器
操作无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ）控制。
只有一个设备需要
单5.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。
COM-
要求主要通过标写入命令寄存器
准微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写周期也
内部锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。读出数据的
该装置类似于读取来自其他闪存或
EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将调用
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将调用
嵌入式擦除
算法的内部算法，自动预
方案的阵列（如果它尚未被编程） BE-
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过阅读DQ7 （数据＃
轮询）和DQ6 （切换）
状态位。
一个程序后，
或擦除周期已经完成，该装置已准备好
读阵列数据或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该设备被擦除
出厂的时候。
该
硬件数据保护
措施包括：
低V
CC
探测器会自动禁止写操作
在上电期间的过渡。该
硬件部门的亲
tection
功能禁用这两个方案，并擦除操作
在内存领域的任何组合ations ，
并使用标准的EPROM编程器来实现
聚体。
该系统可将设备投入的
待机模式。
功率消耗在这种模式下大大降低。
电气规格
请参考Am29F010数据表，数字出版
16736 ，对于全ELECTRI校准规格为
Am29F010在KGD形式。
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Am29F010已知合格芯片
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产品选择指南
系列型号
速度选项（V
CC
= 5.0 V
±
10%)
最大访问时间，t
加
（纳秒）
最大CE＃访问，T
CE
（纳秒）
最大OE ＃访问，T
OE
（纳秒）
-90
90
90
35
Am29F010 KGD
-120
120
120
50
DIE PHOTOGRAPH
相对于定位
的左上角
Gel-Pak的
相对于定位
领先的磁带边缘
和卷轴
DIE焊盘位置
7 6
5 4 3
2
1
30
29 28 27 26
8
25
AMD标识的位置
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
24
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Am29F010已知合格芯片
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PAD说明
垫中心（密耳）
PAD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
信号
X
V
CC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
D0
D1
D2
V
SS
D3
D4
D5
D6
D7
CE＃
A10
OE ＃
A11
A9
A8
A13
A14
WE＃
0.00
–33.20
–41.60
–49.90
–58.30
–66.60
–75.00
–74.40
–75.60
–69.40
–56.10
–46.10
–36.30
–25.90
–13.30
–4.30
4.70
17.30
27.60
40.20
50.60
60.60
74.00
81.40
80.20
80.80
72.40
64.10
55.70
47.40
Y
0.00
–1.30
–1.30
–1.30
–1.30
–1.30
–1.30
–10.50
–158.20
–166.80
–166.80
–166.80
–166.90
–166.90
–166.90
–166.90
–166.90
–166.90
–166.90
–166.90
–166.90
–166.80
–166.80
–158.20
–10.40
–1.30
–1.30
–1.30
–1.30
–1.30
X
0.00
–0.84
–1.06
–1.27
–1.48
–1.69
–1.91
–1.89
–1.92
–1.76
–1.42
–1.17
–0.92
–0.66
–0.34
–0.11
0.12
0.44
0.70
1.02
1.29
1.54
1.88
2.07
2.04
2.05
1.84
1.63
1.41
1.20
Y
0.00
–0.03
–0.03
–0.03
–0.03
–0.03
–0.03
–0.27
–4.02
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.24
–4.02
–0.26
–0.03
–0.03
–0.03
–0.03
–0.03
垫中心（毫米）
注意：
上面的坐标是相对于垫1的中心，并且可以被用来操作引线接合设备。
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Am29F010已知合格芯片
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订购信息
标准产品
AMD KGD产品在几个包和经营范围内工作。的顺序号（有效组合）形成
通过下面的组合：
Am29F010
-90
DP
C
1
裸片修订
这个数字是指在特定的AMD制造
工艺和产品技术体现在这
文档。它被输入的AMD的修订字段
标准产品命名。
温度范围
C =商用（ 0 ° C至+ 70 ° C）
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
E =扩展（ -55 ° C至+ 125°C ）
包装类型和最小起订量
DP =华夫格包
每5托盘堆叠裸片245
DG =
DT =
DW =
Gel-Pak的
托盘模具
每6托盘堆叠裸片486
Surftape （卷带式）
2500元7寸盘
Gel-Pak的
晶片托盘（上框锯片）
呼叫AMD销售办事处最小起订量
速度选项
见有效组合
设备号/说明
Am29F010已知合格芯片
1兆位（ 128千×8位） CMOS闪存裸片修订版1
5.0伏只编程和擦除
有效组合
Am29F010-90
Am29F010-120
DPC 1 ， DPI 1 ， DPE 1 ，
DGC 1 ， DGI 1 ， DGE 1 ，
DTC 1 ， DTI 1 ， DTE 1 ，
DWC 1 ， DWI 1 ， DWE 1
有效组合
有效组合列表CON连接gurations计划是支持
移植数量为这个设备。请咨询当地的AMD销售
网络连接CE的精读的特定网络有效组合连接RM可用性和
以检查新发布的组合。
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5
QQ：2880707522 复制
