初步
Am29DL800B
8兆位（ 1一M× 8位/ 512的K× 16位）
CMOS 3.0伏只，同时操作闪存
特色鲜明
s
同时读/写操作
- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行，
然后立即和同时从读
其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 同时读 - 擦除
- 同时读程序
s
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29DL800设备
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低电流消耗（典型值
在5 MHz ）
- 7毫安有效的读电流
- 21毫安主动读，而节目或阅读，在─
擦除电流
- 17毫安活动的程序，而擦除悬
当前
- 200 nA的待机模式
- 200 nA的自动睡眠模式
- 标准的T
CE
芯片使能访问时间适用于
从自动睡眠模式，以积极的转变
模式
s
灵活的部门架构
- 两个16千字，两个8千字，四4千字，并
在字模式14 32千字行业
- 两个32字节， 2字节16 ，四个8字节，并
14 64字节扇区的字节模式
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
扇区保护
- 硬件锁定的扇区，以防止方法
在任何编程或擦除操作
扇形
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除扇区或整个芯片
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
最低百万编程/擦除周期
每个扇区保证
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 硬件检测方法的程序或
擦除周期结束
s
擦除暂停/删除恢复
- 暂停或重新开始擦除扇区，使
阅读和编程其他部门
- 无需暂停，如果部门是在其他银行
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件设备重置为方法
读阵列数据
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
21519
启：
A
Amendment/+3
发行日期：
1998年4月
P L I M I N A R
概述
该Am29DL800B是8兆， 3.0伏，只闪光
存储装置中，组织为524,288的字或
1,048,576字节。该器件采用44引脚SO ，
48引脚TSOP和48球FBGA封装。在字处理
宽（ X16 ）的数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节宽
（ X8 ）的数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备需要
只有一个3.0伏V
CC
供应进行阅读，亲
克和擦除操作。一个标准的EPROM亲
程序员也可以被用来编程和擦除的
装置。
该器件采用AMD的0.35微米制造
工艺技术，并提供所有的功能和苯并
该Am29DL800 ，将其制造的efits
采用0.5微米工艺。
该标准的设备提供的70 ， 90的访问时间，并
120纳秒，允许高速微处理器也能操作
吃无等待状态。标准控制引脚芯片恩
能（ CE＃ ），写使能（WE ＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ） - 控制读写操作，并避免
总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
股
用于读取和写入功能。内部gener-
被提供给ated和稳压电压
编程和擦除操作。
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置自动返回到
读阵列数据。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该
擦除挂起
特征使用户能够把
清除搁置任何一段时间内读取数据，
或程序的数据，该组，该内的任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。没有必要暂停
擦除操作，如果读出的数据是在另一组。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
该装置复位到读阵列数据，从而使系
TEM微处理器读取来自引导固件
闪速存储器。
该器件提供两种省电功能。当AD-
连衣裙一直稳定为指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年闪存存储器的
储器制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该
装置电擦除一个扇区内的所有位simulta-
通过neously福勒- Nordheim隧穿。该字节
编程的一个字节或字的时间使用热elec-
tron的注入。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
SI-
multaneous操作
通过将所述存储器空间
到两家银行。银行1包含八个开机/参数
部门和银行2由14大，代码
大小均匀的部门。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克，或立刻键和Si-擦除一家银行，然后
从其他银行multaneously阅读，与
零
潜伏期。
这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
Am29DL800B特点
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
寄存器的内容作为输入到一个内部状态
机，它控制了擦除和编程
电路。写周期内部也锁存地址
而所需的编程和擦除数据
操作。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
2
Am29DL800B
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