Am29BDD160G

数据表

对于新的设计， S29CD016G取代Am29BDD160G ，是厂家推荐的迁移

路径此设备。请参阅S29CD016G数据表的规格和订购Infor公司

息。

2003年7月

下列文件规定，现由双方高级Spansion公司提供的内存产品

AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称

inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户

富士通。

规格连续性

没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何

已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，并且将记录在

文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，

和变化，都可以在修改摘要。

订购零件编号的连续性

AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购

这些产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。

欲了解更多信息

请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息

内存解决方案。

公开号

24960

调整

D

修订

3

发行日期

2005年2月2日

数据表

Am29BDD160G

16兆位（ 1一M× 16位/ 512的K× 32位） ， CMOS 2.5伏只突发

模式，双启动，同步读/写闪存

特色鲜明

架构优势

■

同时读/写操作

数据可以连续地从一个存储读

在执行擦除/编程功能

其他银行。 （ -40 ° C至85°C ， 56 MHz和以下

只）

- 之间的读取和写入操作零延迟

系统蒸发散

- 两个银行的体系结构： 75 ％ / 25 ％

■

用户定义的X16或X32数据总线

- 突发模式读90毫安， 66 MHz的最大

- 编程/擦除： 50mA以下

- 待机模式： CMOS ： 60 μA（最大值）

■

至少1百万次写周期保证

每个扇区

■

20年的数据保存在125°C

■

通用的I / O

TM

控制

—

装置产生的数据的输出电压和允差

erates数据的输入电压由下式确定

在V的电压

IO

针

- 1.65 V至2.75 V兼容的I / O信号

■

双引导块

- 顶部和底部引导，在同一个设备

■

灵活的部门架构

- 8个8字节， 30字节64和8个8

千字节扇区

■

制成的

on

0.17

m

过程

技术

软件特点

■

持久扇区保护

- 一个命令扇区保护方法来锁定

个别部门和行业的组合

基团，以防止编程或擦除操作

该部门内的（只需要V

CC

级别）

■

密码扇区保护

- 一个成熟的行业保护法

个别行业的锁定和组合

行业团体，以防止编程或擦除OP-

使用用户defin-该部门内的操作

能64位密码

■

支持通用闪存接口（ CFI ）

■

SecSi （担保硅）扇区（256字节）

- 当前版本的设备有64个字节;未来

版本将有256个字节

—

工厂锁定和识别：

16字节

安全的，随机的工厂电子序列Num-

误码率;其余的可能是客户数据亲

编程由AMD

—

客户可锁定：

能被读出，编程

或擦除就像其他行业。一旦锁定，

数据不能被改变

■

可编程突发接口

- 接口的任何高性能的处理器

- 对突发读操作模式：线性突发：

4双字（ X32 ） ， 8个字（ X16 ）和dou-

BLE字（ X32 ） ，和32个字（ X16 ）用保鲜膜

周围

■

单电源工作

- 优化的2.5至2.75伏读，擦除和

方案业务

■

兼容JEDEC标准（ JC42.4 ）

- 引脚和软件兼容

单电源闪存标准

■

解锁绕道程序命令

- issu-时降低了总体规划的时间

荷兰国际集团多个程序的命令序列

■

数据＃查询和翻转位

- 提供亲检测软件的方法

克或擦除操作完成

硬件特性

■

程序挂起/恢复&擦除可持

挂起/恢复

- 挂起编程或擦除操作，使

读取，编程或擦除相同

银行

■

硬件复位（ RESET ＃ ） ，就绪/忙＃

（ RY / BY ＃ ） ，和写保护（ WP ＃ ）输入

■

ACC输入

- 加速编程时间为高

系统在生产过程中产量

■

封装选项

- 80引脚PQFP

- 80 - ball加固BGA

性能特点

■

高性能的读取访问权限

- 初始/随机存取时间快54纳秒

- 突发存取时间快9 ns的球栅

阵列封装

■

超低功耗

出版＃

24960

启：

D

Amendment/+3

发行日期：

2005年2月2日

1

请参考AMD的网站（ www.amd.com ）的latesst信息。

概述

T

他Am29BDD160是16兆， 2.5伏，只有赎罪

GLE供电突发模式闪存设备。

该装置可用于任一1048576被构造

在16位模式中的字或524,288个双字

32位模式。该设备也可以在编程

标准EPROM编程器。该器件提供了一个

可配置的突发接口为16位/ 32位微处理器的

处理机和微控制器。

为了消除总线争用，每个设备都有另行

利率芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和

输出使能（ OE ＃ ）控制。额外的控制IN-

看跌期权需要进行同步短脉冲串的操作：

负载脉冲串地址有效（ADV ＃ ）和时钟（CLK） 。

较大的两个最外层8字节扇区

银行。

该设备默认的持久保护部门

化模式。那么客户必须当选择

标准或密码保护方法是最DE-

sirable 。在WP ＃硬件保护功能为

总是可用的，独立于其它的保护的

方法选择。

只有每个设备都需要

采用2.5或2.6

伏电源

（ 2.5 V至2.75 V）为

读取和写入功能。 12.0伏V

PP

不

需要编程或擦除操作， AL-

虽然加速引脚可用，如果快

编程性能是必需的。

该设备完全指令集兼容

该

JEDEC单电源闪存标准。

设置软件命令与兼容

在5 V Am29F和3 V Am29LV的命令集

闪存系列。命令写入的COM

命令寄存器采用标准的微处理器写

时序。寄存器的内容作为输入的接口

最终状态机控制的擦除和

编程电路。写周期内部也

所需的编程锁存地址和数据

明和擦除操作。读出数据的

装置类似于读取来自其他闪存或

EPROM器件。

该

解锁绕道

模式有利于更快的亲

通过要求只有两个写周期编程时代

程序数据，而不是四个。

该

同时读/写架构

亲

通过将国际志愿同时操作

存储空间分成两个组。该设备可以开始

编程或擦除在一家银行，然后Si-所示

从其他银行multaneously读，零

潜伏期。这从等待释放系统

完成编程或擦除操作。看

同时读/写操作，并概述

限制13页。

该装置提供了一个256字节的

SecSi （安全

硅）行业

具有一次性可编程

（ OTP）的机制。

此外，该器件具有多个级别的仲

保护器，它可以禁用这两个节目

并删除在某些行业或部门业务

组：

持久扇区保护

是一个COM

它取代了旧的命令扇区保护方法

12 V控制的保护方法;

密码见第

保护器

是一个高度复杂的保护

方法需要密码更改前

某些部门或行业团体被允许;

WP ＃

硬件保护

防止编程或擦除在

该

通用的I / O （V

CCQ

)

功能允许

在设备上产生的输出电压为

的基础上确定在V

IO

的水平。此功能

允许该器件在1.8 V I / O运行

的环境中，驱动信号和接收信号，以

与来自同一总线上的其它1.8 V设备。

此外，该驱动EX-输入和I / O的

ternally有能力处理3.6 V.

主机系统可以检测是否一个程序或

擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃

针，通过阅读DQ7 （数据＃查询） ，或DQ6

（切换）

状态位。

编程或擦除周期后，

已经完成时，该装置已准备好读取

阵列中的数据或者接受另一个命令。

该

扇区擦除架构

允许内存节

器进行擦除和重新编程，而不

影响到其他部门的数据内容。 DE-的

出厂时，副完全删除。

硬件数据保护

措施包括：

低V

CC

探测器可以自动抑制

在电源转换写入操作。该

密码和软件部门的保护

功能禁用这两个编程和擦除操作

系统蒸发散在的存储器扇区的任意组合。

这可以在系统在V来实现

CC

的水平。

该

编程/擦除暂停/删除恢复

功能允许用户将擦除搁置任何

的时间周期来读取数据，或程序数据，

未选择擦除任何部门。真

背景擦除可以由此来实现。

该

硬件RESET ＃引脚

终止所有操作

化的进展，并复位内部状态

机读取阵列的数据。

该器件提供两种省电功能。当

地址已经稳定一段指定的量

时，器件进入

自动休眠模式。

该系统还可以将设备插入

待机模式。

功率消耗是很大的重

duced在这两种模式。

AMD的闪存技术，结合多年的闪光

内存制造经验，生产的

的质量，可靠性和成本effective-最高水平

内斯。该装置电擦除内所有的位

同时通过部门福勒 - 诺德海姆隧道 -

玲。的数据是使用热电子编程

注入。

2

Am29BDD160G

目录

产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

同时框图

运算电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

80 - ball加固BGA封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

3

3

4

5

6

表10.配置寄存器后器件复位............ 20

初始接入时延配置.............................................. ... 20

扇区保护................................................ ..... 20

部门与部门团体.............................................. .................. 20

持久扇区保护............................................... ............ 20

密码扇区保护............................................... ............. 20

WP ＃硬件保护.............................................. ................ 20

特殊包装处理说明............................................ 6

引脚配置。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7

逻辑符号................................................ ...................... 7

X16模式................................................ .................................................. 0.7

X32模式................................................ .................................................. 0.7

持久扇区保护............................................... 21

持久保护位（ PPB ） ............................................ ............ 21

持久保护位锁定（ PPB锁） ................................... 21

动态保护位（ DYB ） ............................................ ............ 21

表11.扇区保护方案.......................................... 22

订购信息................................................ ................ 8

设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9

表1.设备总线操作............................................ .......... 10

通用的I / O （ VIO ）控制......................................... ........ 11

字/双字配置............................................. ... 11

对于读阵列数据要求........................................... 11

持久扇区保护模式锁定位............ 22

密码保护模式............................................... .. 22

密码和密码模式锁定位.................... 22

64位密码.............................................. ..................................... 23

同时读/写操作概述

和限制................................................ ......................... 11

限制................................................. ............................................ 11

表2.银行分配为引导银行

行业设备

................................. 11

写保护（ WP ＃ ） ............................................ ................. 23

SecSi （安全硅）扇区保护..................... 23

SecSi扇区保护位.............................................. ..... 23

持久保护位锁定............................................ 24

硬件数据保护............................................... ... 24

低VCC写禁止.............................................. ....................... 24

写脉冲“毛刺”保护............................................ ........ 24

逻辑禁止................................................ ........................................ 24

上电写禁止............................................. ....................... 24

VCC和VIO上电和断电排序......... 24

表12.部门收受方的热门引导扇区

设备................................................. ................................................ 24

对于底部启动扇区表13.扇区地址

设备................................................. ................................................ 26

同时读/写操作与

零延迟................................................ ............................... 11

表3.顶部引导银行选择

..................... 12

表4.底部引导银行选择

.................. 12

写命令/命令序列...................... 12

加快编程和擦除操作................................ 12

自选功能................................................ ........................... 12

自动休眠模式（ ASM ） ............................................ ..12

待机模式................................................ ............................ 12

RESET ＃ ：硬件复位引脚............................................ ... 13

输出禁止模式............................................... ............... 13

自选模式................................................ ...................... 13

表5. Am29BDD160自选代码（高

电压法） .............................. .................................. 14

通用闪存接口（ CFI ） 。 。 。 。 。 。 。 28

表14. CFI查询标识字符串................................... 28

表15. CFI系统接口字符串.......................................... 28

表16. CFI设备几何定义............................... 29

表17. CFI主要供应商特定扩展

查询................................................. .................................................. 29

异步读取操作（非连拍） ................. 14

图1.异步读取操作................................... 14

同步（突发）读操作................................. 15

线性突发读操作.............................................. 15

表6. 16位和32位的线性和突发数据令....... 15

CE＃控制在平板模式............................................ ................ 16

ADV ＃控制在平板模式............................................ ............ 16

在平板模式RESET ＃控制............................................ ......... 16

OE ＃控制在平板模式............................................ ............... 16

在平板模式IND / WAIT ＃操作....................................... 16

表7.有效配置寄存器位定义为IND /

WAIT ＃ ................................................ .................................................. 17

图2.最终连拍指示（ IND / WAIT ＃ ）时序

线性8字突发操作.......................................... 17

命令定义................................................ ............... 31

读阵列数据的非突发模式........................... 31

在连拍模式下读取阵列数据..................................... 31

读/复位命令.............................................. ............. 32

自选命令................................................ ............ 32

程序命令序列............................................. 32

加快程序命令........................................ 32

解锁绕道命令序列.................................. 33

图4.程序运行............................................. .......... 33

解锁绕道进入命令.......................................... 33

解锁绕道程序命令................................... 33

解锁绕道芯片擦除命令........................................... 34

解锁绕道CFI命令.............................................. ........... 34

突发访问时序控制.............................................. .. 18

最初的突发存取延迟控制............................................. .... 18

表8.突发初始接入时延........................................... .... 18

图3.初始脉冲串延时控制........................................... 18

芯片擦除命令............................................... ............. 34

扇区擦除命令............................................... .......... 34

图5.擦除操作............................................. ................ 35

突发CLK EDGE数据传送............................................. 19

突发数据保持控制.............................................. ..................... 19

断言RESET＃在突发访问................................... 19

扇区擦除和编程挂起命令............. 35

扇区擦除和编程停业

力学................................................. .................................. 35

表18.允许执行的操作在擦除/编程

暂停................................................. ................................................ 35

配置寄存器................................................ ........... 19

表9.配置寄存器定义.............................. 19

扇区擦除和编程恢复命令.............. 36

配置寄存器读命令.......................... 36

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