亚利桑那州晶公司
AZV99
PECL / LVDS振荡器增益级缓冲器& ，可选择启用
特点
绿色和符合RoHS /
铅（Pb ），免费使用套餐
类似的操作为AZ100LVEL16VT
除与
LVDS输出
3.0V工作范围为5.5V
最少的外部元件
可选启用极性和
阈值（ CMOS / TTL或PECL ）
可在一个2x2或3x3毫米
MLP封装
S参数（ .s2p ）与IBIS模型
文件可在美国亚利桑那州晶
网站
包
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
绿色/ RoHS指令
符合/铅（Pb ）
免费
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
绿色/ RoHS指令
符合/铅（Pb ）
免费
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
绿色/ RoHS指令
符合/铅（Pb ）
免费
MLP 16 （ 3×3 ）绿色/
符合RoHS /
铅（Pb ）免费
8 TSSOP封装符合RoHS
符合/铅（Pb ）
免费
DIE
DIE
1
2
3
4
5
包装可用性
产品型号
AZV99NG
AZV99NA
AZV99NBG
记号
V1G
<date code>
V9
<date code>
V8G
<date code>
V2G
<date code>
AZMG
V99
<date code>
AZ +
V99
不适用
不适用
笔记
1,2
1,2
1,2
AZV99NDG
1,2
AZV99LG
AZV99T+
AZV99XP
AZV99XR
1,2
1,2,3
4
5
描述
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）磁带&
卷轴。
日期代码格式为：“ Y”的一年，其次是“ WW ”的一周。
日期代码“ YWW ”关于部分底部。
华夫饼包。模具厚度180
μm.
死在7英寸磁带&卷，每卷3K部分。模具厚度180
μm.
该AZV99与LVDS输出缓冲器包括启用专门的振荡器增益级。启用
输入（ EN ）允许仅控制在Q连续振荡运行
HG
/Q
HG
输出。
该AZV99还提供了一个V
BB
和470Ω内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。在V
BB
引脚可以
支持1.5毫安汇/源出电流。绕过V
BB
接地用0.01
μF
电容。
MLP 16 ， 3×3毫米封装（ L）或死亡（ X）
在MLP 16死AZV99版本提供了一个可选择的使能（ EN） 。使极性和阈值
选择以适应任何CMOS / TTL或PECL输入电平。请参阅启用真值表使能功能。
如果使能上拉需要在CMOS / TTL模式下，外部
≤20kΩ
电阻连接EN到V
CC
将覆盖
片上下拉电阻。
输出Q /每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。请参阅该电流源真值表
电流源的功能。外部电阻器也可以被用于增加下拉电流的最大值为25mA
（包括内部片上电流源） 。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 127
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 623 ） 505-2414
www.azmicrotek.com
AZV99
MLP 8 ， 2×2毫米的封装， NA ， NB & ND选项
该AZV99的MLP 8 NA ， NB和ND选项提供了一个PECL / ECL水平使能输入（ EN当
).
输入为低电平，则Q和Q
HG
/Q
HG
通过输出与输入的数据。当为高时，Q输出
EN
EN
继续传递数据而Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低。
只在Q输出工作在电流源（4 mA）的至V
EE
。这是由内部接合完成
CS- SEL 。一个外部电阻器也可用于增加下拉电流的最大值为25mA （包括
4毫安片上电流源） 。
该AZV99NB和AZV99ND版本采用单端数据输入（D）。 D输入在内部
直接键合至V
BB
脚绕过470Ω偏置电阻。
TSSOP 8封装（T ） ， MLP 8封装， （ N）
采用TSSOP 8 （ T）和MLP 8 （ N）版本的AZV99提供一个CMOS / TTL电平使能输入（ EN） 。当
EN输入为高电平时， Q和Q
HG
/Q
HG
通过输出与输入的数据。当EN为低电平时，输出Q
继续传递数据而Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低。
只在Q输出工作在电流源（4 mA）的至V
EE
。这是由内部接合完成
CS- SEL 。一个外部电阻器也可用于增加下拉电流的最大值为25mA （包括
4毫安片上电流源） 。
TSSOP封装8 （T）和MLP 8 （N）的AZV99采用单端数据输入（D）。 D输入在内部
直接键合至V
BB
脚绕过470Ω偏置电阻。
注：产品规格的ECL / PECL表中是有效的，当热平衡建立。
引脚说明
Q
4毫安EA 。
针
D/D
Q/Q
Q
HG
/Q
HG
V
BB
EN -SEL
EN / EN
CS- SEL
V
EE
V
CC
功能
数据输入
PECL数据输出
LVDS数据输出
参考电压输出
选择启用逻辑
使能输入
选择Q和Q电流源震级
负电源
正电源
Q
D
D
470
CS- SEL
Q
HG
Q
HG
V
BB
V
EE
EN / EN
CMOS / TTL
门槛
EN -SEL
启用真值表
EN -SEL
EN / EN
Q/Q
Q
HG
Q
HG
电流源真值表
CS- SEL
Q
Q
NC
4毫安典型。
4毫安典型。
1
V
EE
8毫安典型。
8毫安典型。
1
0
4毫安典型。
V
CC
1
CS- SEL连接必须小于1Ω 。
NC
PECL低开或常闭
数据数据数据
NC
PECL高或V
CC
数据高低
1
CMOS / TTL低，V
EE
或NC
V
EE
数据高低
1
2
V
EE
CMOS / TTL高或V
CC
数据数据数据
1
EN -SEL连接必须小于1Ω 。
2
外部
≤20k
上拉电阻EN和V之间
CC
确保了
高当EN引脚没有驱动。
2009年6月* REV - 13
www.azmicrotek.com
2
AZV99
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
D/D
I
OUT
T
A
T
英镑
特征
电源
输入电压
D / D输入电压
输出电流
- 连续
Q/Q
- 浪涌
Q/Q
- 连续Q
HG
/Q
HG
- 浪涌
Q
HG
/Q
HG
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至+6.0
0至+6.0
±0.75
相到V
BB
25
50
5
10
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
特征
-40°C
民
2255
1375
2135
2000
1400
GND
1910
0.5
最大
2465
1745
2560
V
CC
1825
800
2050
150
48
民
2275
1400
2135
2000
1400
GND
1910
0.5
0°C
最大
2465
1680
2560
V
CC
1825
800
2050
150
48
民
2275
1400
2135
2000
1400
GND
1910
0.5
25°C
最大
2465
1680
2560
V
CC
1825
800
2050
150
48
民
2275
1400
2135
2000
1400
GND
1910
0.5
85°C
最大
2465
1680
2560
V
CC
1825
800
2050
150
52
单位
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
mA
输出高电压
1,2
Q/Q
输出低电压
1,2
Q/Q
输入高电压
D/D
1
， EN （ EN - SEL开）
1
EN （ EN - SEL连接到V
EE
)
输入低电压
D/D
1
， EN （ EN - SEL开）
1
EN （ EN - SEL连接到V
EE
)
参考电压
1
输入低电平电流EN
3
输入大电流EN
3
电源电流
2
电压等级各不相同的1：1 V
CC
.
指定与CS- SEL开放。
指定使用EN- SEL开放。
100K PECL DC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +5.0V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
特征
-40°C
民
3955
3075
3835
2000
3100
GND
3610
0.5
最大
4165
3445
4260
V
CC
3525
800
3750
150
48
民
3975
3100
3835
2000
3100
GND
3610
0.5
0°C
最大
4165
3380
4260
V
CC
3525
800
3750
150
48
民
3975
3100
3835
2000
3100
GND
3610
0.5
25°C
最大
4165
3380
4260
V
CC
3525
800
3750
150
48
民
3975
3100
3835
2000
3100
GND
3610
0.5
85°C
最大
4165
3380
4260
V
CC
3525
800
3750
150
52
单位
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
mA
输出高电压
1,2
Q/Q
输出低电压
1,2
Q/Q
输入高电压
D/D
1
， EN （ EN - SEL开）
1
EN （ EN - SEL连接到V
EE
)
输入低电压
D/D
1
， EN （ EN - SEL开）
1
EN （ EN - SEL连接到V
EE
)
参考电压
1
输入低电平电流EN
3
输入大电流EN
3
电源电流
2
电压等级各不相同的1：1 V
CC
.
指定与CS- SEL开放。
指定使用EN- SEL开放。
2009年6月* REV - 13
www.azmicrotek.com
3
AZV99
LVDS的直流特性Q
HG
/Q
HG
输出
1
(V
EE
= GND ，V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
特征
-40°C
民
最大
1600
民
0°C
最大
1600
民
25°C
最大
1600
1375
50
450
900
民
900
1125
-50
250
500
85°C
最大
1600
1375
50
450
900
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
OH
输出高电压
V
OL
输出低电压
900
900
900
2
V
OC
输出共模电压
1125
1375
1125
1375
1125
变化的共模电压
3
-50
50
-50
50
-50
ΔV
OC
V
OUT
单端输出摆幅
250
450
250
450
250
V
DIFF_OUT
差分输出摆幅
500
900
500
900
500
1.
指定与100Ω电阻连接Q
HG
和Q
HG
在一起。
2.
共模电压是Q之间的中间电压
HG
和Q
HG
在一个稳定的状态。
3.
变化中的共模电压是相反的二进制状态的共模电压之间的差。
AC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
t
PLH
/ t
PHL
t
SKEW
V
PP
（AC）的
t
r
/ t
f
1.
2.
3.
4.
特征
传播延迟
D到Q / Q输出
1
D到Q
HG
/Q
HG
输出
2
占空比斜Q / Q
3
Differnetial输入秋千
4
输出上升/下降时间
(20% - 80%)
（ SE ）
（ SE ）
（ SE ）
80
民
-40°C
典型值
最大
400
550
20
1000
民
0°C
典型值
最大
400
550
20
1000
民
25°C
典型值
最大
400
550
20
1000
民
85°C
典型值
最大
430
630
20
1000
单位
ps
ps
mV
ps
5
5
80
5
80
5
80
100
260
100
260
100
260
100
260
Q/Q
1
180
280
180
280
180
280
180
280
Q
HG
/Q
HG2
指定与CS- SEL连接到V
EE
和Q / Q采用交流耦合的50Ω负载。
指定与100Ω电阻连接Q
HG
和Q
HG
在一起。
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
的峰 - 峰的差分输入摆幅的量AC参数保证的范围内。 V
D
和V
D
必须保持± 750毫伏的范围内
相到V
BB
.
AC输入PP
D
D
V
PP
（AC）的
2009年6月* REV - 13
www.azmicrotek.com
4
亚利桑那州晶公司
AZV99
PECL / LVDS振荡器增益级缓冲器& ，可选择启用
特点
绿色和符合RoHS /
铅（Pb ），免费使用套餐
类似的操作为AZ100LVEL16VT
除与
LVDS输出
3.0V工作范围为5.5V
最少的外部元件
可选启用极性和
阈值（ CMOS / TTL或PECL ）
可在一个2x2或3x3毫米
MLP封装
S参数（ .s2p ）与IBIS模型
文件可在美国亚利桑那州晶
网站
包
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
绿色/ RoHS指令
符合/铅（Pb ）
免费
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
绿色/ RoHS指令
符合/铅（Pb ）
免费
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
绿色/ RoHS指令
符合/铅（Pb ）
免费
MLP 16 （ 3×3 ）绿色/
符合RoHS /
铅（Pb ）免费
8 TSSOP封装符合RoHS
符合/铅（Pb ）
免费
DIE
1
2
3
4
包装可用性
产品型号
AZV99NG
AZV99NA
AZV99NBG
记号
V1G
<date code>
V9
<date code>
V8G
<date code>
V2G
<date code>
AZMG
V99
<date code>
AZ +
V99
不适用
笔记
1,2
1,2
1,2
AZV99NDG
1,2
AZV99LG
AZV99T+
AZV99XP
1,2
1,2,3
4
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）磁带&
卷轴。
日期代码格式为：“ Y”的一年，其次是“ WW ”的一周。
日期代码“ YWW ”关于部分底部。
华夫格包
描述
该AZV99与LVDS输出缓冲器包括启用专门的振荡器增益级。启用
输入（ EN ）允许仅控制在Q连续振荡运行
HG
/Q
HG
输出。
该AZV99还提供了一个V
BB
和470Ω内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。在V
BB
引脚可以
支持1.5毫安汇/源出电流。绕过V
BB
接地用0.01
μF
电容。
MLP 16 ， 3×3毫米封装（ L）或死亡（ X）
在MLP 16死AZV99版本提供了一个可选择的使能（ EN） 。使极性和阈值
选择以适应任何CMOS / TTL或PECL输入电平。请参阅启用真值表使能功能。
如果使能上拉需要在CMOS / TTL模式下，外部
≤20kΩ
电阻连接EN到V
CC
将覆盖
片上下拉电阻。
输出Q /每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。请参阅该电流源真值表
电流源的功能。外部电阻器也可以被用于增加下拉电流的最大值为25mA
（包括内部片上电流源） 。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 127
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 480 ） 890-2541
www.azmicrotek.com
AZV99
MLP 8 ， 2×2毫米的封装， NA ， NB & ND选项
该AZV99的MLP 8 NA ， NB和ND选项提供了一个PECL / ECL水平使能输入（ EN当
).
输入为低电平，则Q和Q
HG
/Q
HG
通过输出与输入的数据。当为高时，Q输出
EN
EN
继续传递数据而Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低。
只在Q输出工作在电流源（4 mA）的至V
EE
。这是由内部接合完成
CS- SEL 。一个外部电阻器也可用于增加下拉电流的最大值为25mA （包括
4毫安片上电流源） 。
该AZV99NB和AZV99ND版本采用单端数据输入（D）。 D输入在内部
直接键合至V
BB
脚绕过470Ω偏置电阻。
TSSOP 8封装（T ） ， MLP 8封装， （ N）
采用TSSOP 8 （ T）和MLP 8 （ N）版本的AZV99提供一个CMOS / TTL电平使能输入（ EN） 。当
EN输入为高电平时， Q和Q
HG
/Q
HG
通过输出与输入的数据。当EN为低电平时，输出Q
继续传递数据而Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低。
只在Q输出工作在电流源（4 mA）的至V
EE
。这是由内部接合完成
CS- SEL 。一个外部电阻器也可用于增加下拉电流的最大值为25mA （包括
4毫安片上电流源） 。
TSSOP封装8 （T）和MLP 8 （N）的AZV99采用单端数据输入（D）。 D输入在内部
直接键合至V
BB
脚绕过470Ω偏置电阻。
注：产品规格的ECL / PECL表中是有效的，当热平衡建立。
引脚说明
Q
4毫安EA 。
针
D/D
Q/Q
Q
HG
/Q
HG
V
BB
EN -SEL
EN / EN
CS- SEL
V
EE
V
CC
功能
数据输入
PECL数据输出
LVDS数据输出
参考电压输出
选择启用逻辑
使能输入
选择Q和Q电流源震级
负电源
正电源
Q
D
D
470
CS- SEL
Q
HG
Q
HG
V
BB
V
EE
EN / EN
CMOS / TTL
门槛
EN -SEL
启用真值表
EN -SEL
EN / EN
Q/Q
Q
HG
Q
HG
电流源真值表
CS- SEL
Q
Q
NC
4毫安典型。
4毫安典型。
1
V
EE
8毫安典型。
8毫安典型。
1
0
4毫安典型。
V
CC
1
CS- SEL连接必须小于1Ω 。
NC
PECL低开或常闭
数据数据数据
NC
PECL高或V
CC
数据高低
1
CMOS / TTL低，V
EE
或NC
V
EE
数据高低
1
2
V
EE
CMOS / TTL高或V
CC
数据数据数据
1
EN -SEL连接必须小于1Ω 。
2
外部
≤20k
上拉电阻EN和V之间
CC
确保了
高当EN引脚没有驱动。
2007年4月* REV - 9
www.azmicrotek.com
2
AZV99
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
D/D
I
OUT
T
A
T
英镑
特征
电源
输入电压
D / D输入电压
输出电流
- 连续
Q/Q
- 浪涌
Q/Q
- 连续Q
HG
/Q
HG
- 浪涌
Q
HG
/Q
HG
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至+6.0
0至+6.0
±0.75
相到V
BB
25
50
5
10
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
特征
-40°C
民
2255
1375
2135
2000
1400
GND
1910
0.5
最大
2465
1745
2560
V
CC
1825
800
2050
150
48
民
2275
1400
2135
2000
1400
GND
1910
0.5
0°C
最大
2465
1680
2560
V
CC
1825
800
2050
150
48
民
2275
1400
2135
2000
1400
GND
1910
0.5
25°C
最大
2465
1680
2560
V
CC
1825
800
2050
150
48
民
2275
1400
2135
2000
1400
GND
1910
0.5
85°C
最大
2465
1680
2560
V
CC
1825
800
2050
150
52
单位
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
mA
输出高电压
1,2
Q/Q
输出低电压
1,2
Q/Q
输入高电压
D/D
1
， EN （ EN - SEL开）
1
EN （ EN - SEL连接到V
EE
)
输入低电压
D/D
1
， EN （ EN - SEL开）
1
EN （ EN - SEL连接到V
EE
)
参考电压
1
输入低电平电流EN
3
输入大电流EN
3
电源电流
2
电压等级各不相同的1：1 V
CC
.
指定与CS- SEL开放。
指定使用EN- SEL开放。
100K PECL DC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +5.0V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
特征
-40°C
民
3955
3075
3835
2000
3100
GND
3610
0.5
最大
4165
3445
4260
V
CC
3525
800
3750
150
48
民
3975
3100
3835
2000
3100
GND
3610
0.5
0°C
最大
4165
3380
4260
V
CC
3525
800
3750
150
48
民
3975
3100
3835
2000
3100
GND
3610
0.5
25°C
最大
4165
3380
4260
V
CC
3525
800
3750
150
48
民
3975
3100
3835
2000
3100
GND
3610
0.5
85°C
最大
4165
3380
4260
V
CC
3525
800
3750
150
52
单位
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
mA
输出高电压
1,2
Q/Q
输出低电压
1,2
Q/Q
输入高电压
D/D
1
， EN （ EN - SEL开）
1
EN （ EN - SEL连接到V
EE
)
输入低电压
D/D
1
， EN （ EN - SEL开）
1
EN （ EN - SEL连接到V
EE
)
参考电压
1
输入低电平电流EN
3
输入大电流EN
3
电源电流
2
电压等级各不相同的1：1 V
CC
.
指定与CS- SEL开放。
指定使用EN- SEL开放。
2007年4月* REV - 9
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3
AZV99
LVDS的直流特性Q
HG
/Q
HG
输出
1
(V
EE
= GND ，V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
特征
-40°C
民
最大
1600
民
0°C
最大
1600
民
25°C
最大
1600
1375
50
450
900
民
900
1125
-50
250
500
85°C
最大
1600
1375
50
450
900
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
OH
输出高电压
V
OL
输出低电压
900
900
900
2
V
OC
输出共模电压
1125
1375
1125
1375
1125
变化的共模电压
3
-50
50
-50
50
-50
ΔV
OC
V
OUT
单端输出摆幅
250
450
250
450
250
V
DIFF_OUT
差分输出摆幅
500
900
500
900
500
1.
指定与100Ω电阻连接Q
HG
和Q
HG
在一起。
2.
共模电压是Q之间的中间电压
HG
和Q
HG
在一个稳定的状态。
3.
变化中的共模电压是相反的二进制状态的共模电压之间的差。
AC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
t
PLH
/ t
PHL
t
SKEW
V
PP
（AC）的
t
r
/ t
f
1.
2.
3.
4.
特征
传播延迟
D到Q / Q输出
1
D到Q
HG
/Q
HG
输出
2
占空比斜Q / Q
3
Differnetial输入秋千
4
输出上升/下降时间
(20% - 80%)
（ SE ）
（ SE ）
（ SE ）
80
民
-40°C
典型值
最大
400
550
20
1000
民
0°C
典型值
最大
400
550
20
1000
民
25°C
典型值
最大
400
550
20
1000
民
85°C
典型值
最大
430
630
20
1000
单位
ps
ps
mV
ps
5
5
80
5
80
5
80
100
260
100
260
100
260
100
260
Q/Q
1
180
280
180
280
180
280
180
280
Q
HG
/Q
HG2
指定与CS- SEL连接到V
EE
和Q / Q采用交流耦合的50Ω负载。
指定与100Ω电阻连接Q
HG
和Q
HG
在一起。
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
的峰 - 峰的差分输入摆幅的量AC参数保证的范围内。 V
D
和V
D
必须保持± 750毫伏的范围内
相到V
BB
.
AC输入PP
D
D
V
PP
（AC）的
2007年4月* REV - 9
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