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数据表
双路低电压轨到轨输出运算放大器
AZV358
概述
该AZV358是双低电压( 2.7-5.5V )
具有运算放大器的轨到轨输出
摆动能力。输入共模电压
范围包括地面。该芯片具有优异的
速度 - 功率比,实现带宽为1MHz和
1V/
转换速率,低电源电流。
该AZV358是建立与BiCMOS工艺。它有
双极性输入和输出级以改善噪声per-
formance ,低输入偏置电压和更高的输出
电流驱动。
AZV358可在TSSOP- 8的封装和
MSOP - 8 。小包装节省电脑空间
板,以及使小型便携式elec-设计
TRONIC装置。它还允许设计师把
该装置更接近信号源,以减少
噪声干扰,提高信号的完整性。
AZV358也是标准的SOIC - 8封装。
特点
(为
V
CC
= 5V和V
EE
= 0V ,典型除非另有
说明)
·
保证2.7V至5.5V的性能
·
无交越失真
·
增益带宽积1MHz
·
工业级温度范围: -40
o
C
+85
o
C
·
低电源电流: 210
A
·
轨到轨输出摆幅在10K
负载:
V
OH
高达V
CC
-10mV
V
OL
接近V
EE
+65mV
·
V
CM
: -0.1V到V
CC
-0.8V
应用
·
·
·
·
·
主动滤池
低功耗,低电压应用
通用便携式设备
移动电话,无绳电话
电池供电系统
SOIC-8
TSSOP-8
MSOP-8
AZV358图1.包装类型
2010年3月修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
双路低电压轨到轨输出运算放大器
AZV358
引脚配置
M / G / mm封装
(SOIC-8/TSSOP-8/MSOP-8)
输出1
在1
IN 1+
V
EE
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
输出2
在2-
在2+
图2. AZV358的引脚配置(顶视图)
功能框图
V
CC
V
BIAS1
IN-
IN +
V
BIAS2
产量
V
BIAS3
V
EE
图3. AZV358的功能框图(每座)
2010年3月修订版1.3
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
双路低电压轨到轨输出运算放大器
AZV358
订购信息
AZV358
电路类型
M: SOIC - 8
G: TSSOP - 8
MM : MSOP - 8
SOIC-8
TSSOP-8
MSOP-8
温度
范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
无铅
AZV358M-E1
AZV358MTR-E1
AZV358G-E1
AZV358GTR-E1
AZV358MM-E1
AZV358MMTR-E1
绿色
AZV358M-G1
AZV358MTR-G1
AZV358G-G1
AZV358GTR-G1
AZV358MM-G1
AZV358MMTR-G1
-
E1 :无铅
G1 :绿
空白:管
TR :磁带和卷轴
标记ID
无铅
AZV358M-E1
AZV358M-E1
EG3E
EG3E
AZV358MM-E1
AZV358MM-E1
绿色
AZV358M-G1
AZV358M-G1
GG3E
GG3E
AZV358MM-G1
AZV358MM-G1
包装类型
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。与产品
"G1"后缀是绿色封装。
绝对最大额定值(注1 )
参数
电源电压
工作结温
存储温度范围
引线温度(焊接, 10秒)
ESD(机器型号)
ESD(人体模型)
符号
V
CC
T
J
T
英镑
T
领导
价值
6
150
-65到150
260
200
2000
单位
V
o
C
o
C
o
C
V
V
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
符号
V
CC
T
A
2.7
-40
最大
5.5
85
单位
V
o
C
2010年3月修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
双路低电压轨到轨输出运算放大器
AZV358
2.7V电气特性
在标准字体限为T
A
=25
o
C,
胆大
字体采用了牛逼
A
=-40
o
C至85
o
C,V
CC
=2.7V, V
EE
=0V, V
CM
=1.0V,
V
O
=V
CC
/ 2和R
L
>1MΩ ,除非另有规定。 (注2 )
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模电压
范围
电源电流
常见
动力
模式
供应
拒绝
拒绝
符号
V
IO
I
B
I
IO
V
CM
I
CC
CMRR
PSRR
对于CMRR≥50dB
V
O
=V
CC
/2, A
VCL
= 1,无负载
0≤V
CM
≤1.7V
2.7V≤V
CC
≤5V
V
O
=1V,
50
50
5
10
2.60
-0.1
140
条件
典型值
1.7
11
5
最大
7
9
250
500
50
150
1.9
340
420
63
60
20
30
2.69
60
1
60
10
180
单位
mV
nA
nA
V
A
dB
dB
mA
mA
V
mV
兆赫
dB
输出短路电流
输出电压摆幅
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
I
来源
V
O
=0V
I
SINK
V
OH
V
OL
增益带宽积
V
O
=2.7V
R
L
= 10kΩ至1.35V
C
L
=200pF
φ
M
G
M
注2 :限制在整个温度通过设计保证,但在生产中测试。
2010年3月修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
双路低电压轨到轨输出运算放大器
AZV358
5V电气特性
在标准字体限为T
A
=25
o
C,
胆大
字体采用了牛逼
A
=-40
o
C至85
o
C,V
CC
=5V, V
EE
=0V, V
CM
=2.0V,
V
O
=V
CC
/ 2和R
L
>1MΩ ,除非另有规定。 (注2 )
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模电压
范围
电源电流
大信号电压增益
常见
动力
模式
供应
拒绝
拒绝
符号
V
IO
I
B
I
IO
V
CM
I
CC
G
V
CMRR
PSRR
对于CMRR≥50dB
V
O
=V
CC
/2, A
VCL
= 1,无负载
R
L
=2k
0≤V
CM
≤4V
2.7V≤V
CC
≤5V
V
O
=1V, V
CM
=1V
84
80
50
50
5
10
4.7
4.6
4.9
4.8
120
65
1
C
L
=200pF
1
60
10
300
400
180
280
V / μs的
兆赫
dB
mV
4.99
63
60
60
160
4.96
V
-0.1
210
100
条件
典型值
1.7
15
5
最大
7
9
250
500
50
150
4.2
440
615
单位
mV
nA
nA
V
A
dB
dB
dB
mA
mA
输出短路电流
I
来源
V
O
=0V
I
SINK
V
OH
V
O
=5V
R
L
=为2kΩ至2.5V
R
L
= 10kΩ至2.5V
输出电压摆幅
V
OL
R
L
=为2kΩ至2.5V
R
L
= 10kΩ至2.5V
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
SR
增益带宽积
φ
M
G
M
注2 :限制在整个温度通过设计保证,但在生产中测试。
2010年3月修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
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    AZV358MMTR-E1
    -
    -
    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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DIODES(美台)
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6500
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全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83515980
联系人:陈先生
地址:深圳市福田区中航路都会大厦B座23X
AZV358MMTR-E1
DIODES/美台
21+
3000
NA
原装正品
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联系人:朱小姐 刘小姐
地址:深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
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DIODES/美台
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8650
NA
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22+
21000
8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
全新原装正品/质量有保证
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