产品简介
单一的低电压轨到轨输出运算放大器
AZV321
描述
该AZV321是单一的低电压（ 2.7-5.5V ）运算放大器
它具有轨到轨输出摆幅能力。输入
共模电压范围包括地面。该
芯片具有出色的速度，功耗比，从而实现
带宽和1V的1MHz的/
压摆率，低支持第
帘布层的电流。
该AZV321是建立与BiCMOS工艺。它具有双极性
输入和输出级用于改善噪声性能，
低输入偏置和更高的输出电流驱动。
AZV321是，可以在包SC70-5的，这是
SOT-23-5的约一半的大小。小
封装可以节省印刷电路板空间，并使得
的小型便携式电子设备的设计。这也
允许设计人员将设备靠近显
最终源头上减少噪声干扰，提高信号
诚信。
参数表
电源电压范围（ V）
电源电流（V
CC
=5V）(A)
输入失调电压（MV ）
大信号电压增益（dB ）
输出电压摆幅
(V
CC
= 5V ，R
L
=10K)
输出短路电流
(V
CC
=5V)
V
OH
(V)
V
OL
（毫伏）
SOURCE （毫安）
SINK （毫安）
2.75.5
130
1.7
100
4.99
65
60
160
1
60
-40到85
增益带宽积（C
L
=200pF)
（兆赫）
相位裕度（ DEG）
工作温度范围（
o
C)
特点
（为
V
CC
= 5V和V
EE
= 0V ，典型除非另有
说明）
·
保证2.7V至5.5V的性能。
·
无交越失真
·
增益带宽积1MHz
·
工业级温度范围： -40
o
C
+85
o
C
·
低电源电流： 130
A
·
轨到轨输出摆幅在10K
负载：
V
OH
高达V
CC
-10mV
V
OL
接近V
EE
+65mV
·
V
CM
： -0.2V到V
CC
-0.8V
好处
·
·
·
·
·
低电源电压和低电源电流
轨至轨输出
小型封装
EASY TO USE
极具竞争力的价格
应用
·
·
·
·
·
主动滤池
低功耗，低电压应用
通用便携式设备
移动电话，无绳电话
电池供电系统
其他可用的材料
·
·
·
·
样本
初步数据表
可靠性报告
ESD报告
2007年3月
BCD半导体制造有限公司
产品简介
单一的低电压轨到轨输出运算放大器
AZV321
引脚配置
(SC70-5/SOT-23-5)
IN +
V
EE
IN-
1
2
3
4
产量
5
V
CC
订购信息示例
包
SC70-5
SOT-23-5
温度范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
无铅
AZV321KSTR-E1
AZV321KTR-E1
标记ID
无铅
21
E6T
包装类型
磁带&卷轴
磁带&卷轴
详细信息，请参考相关的数据表。
销售处：
美国
30920 Huntwood Ave.Hayward ， CA 94544 ，
美国
电话： + 1-510-324-2988
传真： + 1-510-324-2788
台湾
4F ， 298-1瑞光路妮，胡区，台北，
台湾
电话： 886-2-2656-2808
传真： 886-2-2656-2806
上海
8楼， B区， 900易砂嗯路，上海200233
中国
联系电话： 86-21-6495 9539
传真： 86-21-6485 9673
深圳
E房， 5楼，宝中心， 1006号，第3号附中福田
区，深圳518026 ，中国
电话： 86-755-8826 7951
传真： 86-755-8826 7865
2007年3月
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
单一的低电压轨到轨输出运算放大器
AZV321
概述
该AZV321是单一的低电压（ 2.7-5.5V ）运算放大器
它具有轨到轨输出摆幅能力。该
输入共模电压范围包括
地面上。该芯片具有优异的高速功率比，
实现带宽和1V的1MHz的/
压摆率第
低电源电流。
该AZV321是建立与BiCMOS工艺。它有
双极性输入和输出级以改善噪声per-
formance ，低输入偏移量和更高的输出电流
驾驶。
AZV321可在SC70-5 ，的包，它
是约SOT-23-5的一半大小。小
封装可以节省印刷电路板空间，并使得
的小型便携式电子设备的设计。这也
允许设计人员将设备靠近
信号源，以减少噪声干扰，提高显
最终的完整性。
AZV321也是标准的SOT -23-5可用
封装。
特点
（为
V
CC
= 5V和V
EE
= 0V ，典型除非另有
说明）
·
保证2.7V至5.5V的性能。
·
无交越失真
·
增益带宽积1MHz
·
工业级温度范围： -40
o
C
+85
o
C
·
低电源电流： 130
A
·
轨到轨输出摆幅在10K
负载：
V
OH
高达V
CC
-10mV
V
OL
接近V
EE
+65mV
·
V
CM
： -0.2V到V
CC
-0.8V
应用
·
·
·
·
·
主动滤池
低功耗，低电压应用
通用便携式设备
移动电话，无绳电话
电池供电系统
SC70-5
SOT-23-5
AZV321图1.包装类型
2007年3月修订版1.0
1
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
单一的低电压轨到轨输出运算放大器
AZV321
订购信息
AZV321
电路类型
包
KS ： SC70-5
K： SOT- 23-5
-
E1 ：无铅
TR ：磁带和卷轴
包
SC70-5
SOT-23-5
温度范围
-40到85
o
C
-40到85
o
C
产品型号
无铅
AZV321KSTR-E1
AZV321KTR-E1
标记ID
无铅
21
E6T
包装类型
磁带&卷轴
磁带&卷轴
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压
工作结温
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
ESD（机器型号）
ESD（人体模型）
符号
V
CC
T
J
T
英镑
T
领导
价值
6
150
-65到150
260
200
2000
单位
V
o
C
o
C
o
C
V
V
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作温度范围
符号
V
CC
T
A
民
2.7
-40
最大
5.5
85
单位
V
o
C
2007年3月修订版1.0
3
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
单一的低电压轨到轨输出运算放大器
AZV321
2.7V电气特性
所有参数均保证对于T
A
=25
o
C，V
CC
=2.7V, V
EE
=0V, V
CM
=1.0V, V
O
=V
CC
/ 2和R
L
>1MΩ ，限制在
大胆的类型
是
保证对于T
A
= -40 85
o
C，除非另有规定。 （注2 ）
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模电压
范围
电源电流
常见
比
动力
比
模式
供应
拒绝
拒绝
符号
V
IO
I
B
I
IO
V
CM
I
CC
CMRR
PSRR
对于CMRR≥50dB
V
O
=V
CC
/2, A
VCL
= 1，无负载
0≤V
CM
≤1.7V
2.7V≤V
CC
≤5V
V
O
=1V,
50
50
5
10
2.60
-0.2
80
条件
民
典型值
1.7
11
5
最大
7
9
250
500
50
150
1.9
170
270
65
60
20
30
2.69
60
1
60
10
180
单位
mV
nA
nA
V
A
dB
dB
mA
mA
V
mV
兆赫
度
dB
输出短路电流
I
来源
V
O
=0V
I
SINK
V
OH
V
OL
增益带宽积
V
O
=2.7V
R
L
= 10kΩ至1.35V
C
L
=200pF
输出电压摆幅
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
φ
M
G
M
注2 ：限制在整个温度是由设计guarateed ，但在生产中测试。
2007年3月修订版1.0
4
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
单一的低电压轨到轨输出运算放大器
AZV321
5V电气特性
所有参数均保证对于T
A
=25
o
C，V
CC
=5V, V
EE
=0V, V
CM
=2.0V, V
O
=V
CC
/ 2和R
L
>1MΩ ，限制在
大胆的类型
是瓜尔
及担对于T
A
= -40 85
o
C，除非另有规定。 （注2 ）
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共模电压
范围
电源电流
大信号电压增益
常见
比
动力
比
模式
供应
拒绝
拒绝
符号
V
IO
I
B
I
IO
V
CM
I
CC
G
V
CMRR
PSRR
对于CMRR≥50dB
V
O
=V
CC
/2, A
VCL
= 1，无负载
R
L
=2k
0≤V
CM
≤4V
2.7V≤V
CC
≤5V
V
O
=1V, V
CM
=1V
84
80
50
50
5
10
4.7
4.6
4.9
4.8
120
65
1
C
L
=200pF
1
60
10
300
400
180
280
V / μs的
兆赫
度
dB
mV
4.99
65
60
60
160
4.96
V
-0.2
130
100
条件
民
典型值
1.7
11
5
最大
7
9
250
500
50
150
4.2
250
350
单位
mV
nA
nA
V
A
dB
dB
dB
mA
mA
输出短路电流
I
来源
V
O
=0V
I
SINK
V
OH
V
O
=5V
R
L
=为2kΩ至2.5V
R
L
= 10kΩ至2.5V
输出电压摆幅
V
OL
R
L
=为2kΩ至2.5V
R
L
= 10kΩ至2.5V
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
SR
增益带宽积
φ
M
G
M
注2 ：限制在整个温度是由设计guarateed ，但在生产中测试。
2007年3月修订版1.0
5
BCD半导体制造有限公司
QQ：2880707522 复制
