亚利桑那州晶公司
AZP92
ECL / PECL ÷ 1 ， ÷ 2时钟发生器芯片，可选择启用
特点
绿色和RoHS /铅（Pb ）
免费提供套餐
3.0V至5.5V工作电压
可选择的分频比
可选启用极性和
阈值（ CMOS / TTL或PECL ）
可选择的输入偏置
高带宽的
≥1GHz
可在一个MLP 8 （ 2×2 ）包装
IBIS模型文件可在美国亚利桑那州
中晶网
包
MLP 8 （ 2×2 ）绿色
/符合RoHS
/铅（Pb ）免费
DIE
1
2
3
4
包装可用性
产品型号
AZP92NAG
AZP92X
记号
P1G
<date code>
不适用
笔记
1,2
3,4
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）
磁带&卷轴。
日期代码格式为：“ Y”的一年，其次是“ WW ”的一周。
华夫格包
联系工厂的可用性
描述
该AZP92是一家专门÷ 1或2 ÷时钟产生部分包括启用/复位功能。分频比为
用DIV - SEL引脚/垫选择。当DIV - SEL是开放的（ NC） ，在AZP92作为一个标准的接收器。如果
DIV -SEL连接到V
EE
，它充当一个÷ 2分频器。
的可选择使能设置当选择÷2模式，也可以用作复位。使能（ EN ）
功能选择与EN - SEL引脚/垫有三种有效状态： ，V开（ NC）
EE
或连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。离开EN -SEL开启或将其连接到V
EE
将选择EN引脚/垫充当活性
高CMOS / TTL使能。当EN -SEL是开放的，内部75KΩ上拉电阻被选择它能使
每当EN处于打开状态输出。当EN - SEL连接到V
EE
时，内部75KΩ下拉电阻是
选择它禁用EN时处于打开状态的输出。
连接EN - SEL到V
EE
具有20kΩ的电阻器将选择EN管脚/垫充当有源低
PECL / ECL使具有内部75KΩ的下拉电阻。在这种模式下，输出使能当EN为开路
（ NC ） 。这种默认的逻辑条件可以通过连接EN到V被覆盖
CC
用一个外部电阻
≤20kΩ.
指的是使真值表详细操作的下一个页面上。
DIE （ AZP92X ）
该AZP92X提供了一个V
BB
和一个偏置垫940Ω内部电阻从D到BIAS和D BIAS 。
连接BIAS垫V
BB
允许D和D被AC耦合用最少的外部元件。对于单
端应用， D或D可以直接连接到V
BB
以形成单一1880Ω偏置电阻。在V
BB
针
支持1.5毫安汇/源出电流。每当使用时，在V
BB
应当旁路到地或V
CC
用0.01
μF
电容。
MLP 8 ， 2×2毫米的封装（ AZP92NA ）
该AZP92NA提供了一个V
BB
与1880Ω内部偏置电阻从D到V
BB
。此功能允许交流
耦合用最少的外部元件。在V
BB
引脚支持1.5毫安汇/源出电流，并应
旁路到地或V
CC
用0.01
μF
电容。
注：电致化学发光/ PECL表中的规格是有效的，当达到热平衡已经建立。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 127
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 480 ） 890-2541
www.azmicrotek.com
AZP92
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
EE
V
I
I
HGOUT
T
A
T
英镑
特征
PECL电源
(V
EE
= 0V)
PECL输入电压
(V
EE
= 0V)
ECL电源
(V
CC
= 0V)
ECL输入电压
(V
CC
= 0V)
输出电流
- 连续
- 浪涌
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至+6.0
0至+6.0
-6.0到0
-6.0到0
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ，V
CC
= GND）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
-1085
-1900
最大
-880
-1555
民
-1025
-1900
0°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
民
-1025
-1900
-1165
V
EE
+2000
-2250
V
EE
-1390
25°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
民
-1025
-1900
-1165
V
EE
+2000
-2250
V
EE
-1390
85°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1
输出低电压
1
输入高电压
-1165
-390
D / D， EN （ ECL ）
2
-1165
3
V
EE
+2000
V
CC
EN（ CMOS）的
V
EE
+2000
输入低电压
-2250
-1475
-2250
D / D， EN （ ECL ）
2
V
EE
V
EE
+ 800
V
EE
EN（ CMOS）的
3
参考电压
-1390
-1250
-1390
输入大电流EN
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN（ ECL）的
2
-150
-150
EN（ CMOS）的
3
电源电流
4
31
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
31
0.5
-150
34
mA
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
2215
1400
最大
2420
1745
民
2275
1400
0°C
最大
2420
1680
民
2275
1400
2135
2000
1050
GND
1910
25°C
最大
2420
1680
2910
V
CC
1825
800
2050
150
民
2275
1400
2135
2000
1050
GND
1910
85°C
最大
2420
1680
2910
V
CC
1825
800
2050
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
输入高电压
1
2135
2910
2135
2910
D / D， EN （ PECL ）
3
4
EN（ CMOS）的
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1
1050
1825
1050
1825
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
GND
800
GND
800
1
参考电压
1910
2050
1910
2050
输入大电流EN
150
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN （ PECL ）
3
-150
-150
EN（ CMOS）的
4
电源电流
5
31
31
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
5.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
0.5
-150
34
mA
2007年4月REV - 3
www.azmicrotek.com
4
AZP92
100K PECL DC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +5.0V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
3915
3100
最大
4120
3445
民
3975
3100
0°C
最大
4120
3380
民
3975
3100
3835
2000
2750
GND
3610
25°C
最大
4120
3380
4610
V
CC
3525
800
3750
150
民
3975
3100
3835
2000
2750
GND
3610
85°C
最大
4120
3380
4610
V
CC
3525
800
3750
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
输入高电压
1
3835
4610
3835
4610
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1
2750
3525
2750
3525
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
GND
800
GND
800
参考电压
1
3610
3750
3610
3750
输入大电流EN
150
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN （ PECL ）
3
4
-150
-150
EN（ CMOS）的
电源电流
5
31
31
对于其他的5.0V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
5.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
0.5
-150
34
mA
AC特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ; V
CC
= GND或V
EE
= GND ; V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
t
PLH
/ t
PHL
特征
民
-40°C
典型值
最大
民
0°C
典型值
最大
民
25°C
典型值
最大
450
600
20
1000
2000
200
150
300
80
民
85°C
典型值
最大
450
600
20
1000
2000
200
单位
ps
ps
mV
ps
传播延迟
450
450
D到Q / Q输出
1
（ SE ）
600
600
EN为Q / Q输出
1
2
t
SKEW
占空比偏移
（ SE ）
5
20
5
20
输入摆幅
3
150
1000
150
1000
150
V
PP
（AC）的
微分（D / D ）
4
300
2000
300
2000
300
单端（ D）
输出上升/下降
1
80
200
80
200
80
t
r
/ t
f
(20% - 80%)
1.
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
2.
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
3.
的峰 - 峰值输入摆幅的量AC参数都保证的范围内。
4.
范围适用于交流耦合的唯一信号。
5
5
AC pp输入（差分）
D
D
V
PP
（AC）的
2007年4月REV - 3
www.azmicrotek.com
5
亚利桑那州晶公司
AZP92
ECL / PECL ÷ 1 ， ÷ 2时钟发生器芯片，可选择启用
特点
绿色和RoHS /铅（Pb ）
免费提供套餐
3.0V至5.5V工作电压
可选择的分频比
可选启用极性和
阈值（ CMOS / TTL或PECL ）
可选择的输入偏置
高带宽的
≥1GHz
可在一个MLP 8 （ 2×2 ）包装
包
MLP 8 （ 2×2 ）绿色
/符合RoHS
/铅（Pb ）免费
DIE
1
2
3
4
包装可用性
产品型号
AZP92NAG
AZP92X
记号
P1G
<date code>
不适用
笔记
1,2
3,4
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）
磁带&卷轴。
日期代码格式为：“ Y”的一年，其次是“ WW ”的一周。
华夫格包
联系工厂的可用性
描述
该AZP92是一家专门÷ 1或2 ÷时钟产生部分包括启用/复位功能。分频比为
用DIV - SEL引脚/垫选择。当DIV - SEL是开放的（ NC） ，在AZP92作为一个标准的接收器。如果
DIV -SEL连接到V
EE
，它充当一个÷ 2分频器。
的可选择使能设置当选择÷2模式，也可以用作复位。使能（ EN ）
功能选择与EN - SEL引脚/垫有三种有效状态： ，V开（ NC）
EE
或连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。离开EN -SEL开启或将其连接到V
EE
将选择EN引脚/垫充当活性
高CMOS / TTL使能。当EN -SEL是开放的，内部75KΩ上拉电阻被选择它能使
每当EN处于打开状态输出。当EN - SEL连接到V
EE
时，内部75KΩ下拉电阻是
选择它禁用EN时处于打开状态的输出。
连接EN - SEL到V
EE
具有20kΩ的电阻器将选择EN管脚/垫充当有源低
PECL / ECL使具有内部75KΩ的下拉电阻。在这种模式下，输出使能当EN为开路
（ NC ） 。这种默认的逻辑条件可以通过连接EN到V被覆盖
CC
用一个外部电阻
≤20kΩ.
指的是使真值表详细操作的下一个页面上。
DIE （ AZP92X ）
该AZP92X提供了一个V
BB
和一个偏置垫940Ω内部电阻从D到BIAS和D BIAS 。
连接BIAS垫V
BB
允许D和D被AC耦合用最少的外部元件。对于单
端应用， D或D可以直接连接到V
BB
以形成单一1880Ω偏置电阻。在V
BB
针
支持1.5毫安汇/源出电流。每当使用时，在V
BB
应当旁路到地或V
CC
用0.01
μF
电容。
MLP 8 ， 2×2毫米的封装（ AZP92NA ）
该AZP92NA提供了一个V
BB
与1880Ω内部偏置电阻从D到V
BB
。此功能允许交流
耦合用最少的外部元件。在V
BB
引脚支持1.5毫安汇/源出电流，并应
旁路到地或V
CC
用0.01
μF
电容。
注：电致化学发光/ PECL表中的规格是有效的，当达到热平衡已经建立。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 125
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 480 ） 890-2541
www.azmicrotek.com
AZP92
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
EE
V
I
I
HGOUT
T
A
T
英镑
特征
PECL电源
(V
EE
= 0V)
PECL输入电压
(V
EE
= 0V)
ECL电源
(V
CC
= 0V)
ECL输入电压
(V
CC
= 0V)
输出电流
- 连续
- 浪涌
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至+6.0
0至+6.0
-6.0到0
-6.0到0
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ，V
CC
= GND）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
-1085
-1900
最大
-880
-1555
民
-1025
-1900
0°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
民
-1025
-1900
-1165
V
EE
+2000
-2250
V
EE
-1390
25°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
民
-1025
-1900
-1165
V
EE
+2000
-2250
V
EE
-1390
85°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1
输出低电压
1
输入高电压
-1165
-390
D / D， EN （ ECL ）
2
-1165
3
V
EE
+2000
V
CC
EN（ CMOS）的
V
EE
+2000
输入低电压
-2250
-1475
-2250
D / D， EN （ ECL ）
2
V
EE
V
EE
+ 800
V
EE
EN（ CMOS）的
3
参考电压
-1390
-1250
-1390
输入大电流EN
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN（ ECL）的
2
-150
-150
EN（ CMOS）的
3
电源电流
4
31
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
31
0.5
-150
34
mA
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
2215
1400
最大
2420
1745
民
2275
1400
0°C
最大
2420
1680
民
2275
1400
2135
2000
1050
GND
1910
25°C
最大
2420
1680
2910
V
CC
1825
800
2050
150
民
2275
1400
2135
2000
1050
GND
1910
85°C
最大
2420
1680
2910
V
CC
1825
800
2050
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
输入高电压
1
2135
2910
2135
2910
D / D， EN （ PECL ）
3
4
EN（ CMOS）的
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1
1050
1825
1050
1825
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
GND
800
GND
800
1
参考电压
1910
2050
1910
2050
输入大电流EN
150
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN （ PECL ）
3
-150
-150
EN（ CMOS）的
4
电源电流
5
31
31
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
5.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
0.5
-150
34
mA
2006年1月REV - 1
www.azmicrotek.com
4
AZP92
100K PECL DC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +5.0V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
3915
3100
最大
4120
3445
民
3975
3100
0°C
最大
4120
3380
民
3975
3100
3835
2000
2750
GND
3610
25°C
最大
4120
3380
4610
V
CC
3525
800
3750
150
民
3975
3100
3835
2000
2750
GND
3610
85°C
最大
4120
3380
4610
V
CC
3525
800
3750
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
输入高电压
1
3835
4610
3835
4610
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1
2750
3525
2750
3525
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
GND
800
GND
800
参考电压
1
3610
3750
3610
3750
输入大电流EN
150
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN （ PECL ）
3
4
-150
-150
EN（ CMOS）的
电源电流
5
31
31
对于其他的5.0V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
5.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
0.5
-150
34
mA
AC特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ; V
CC
= GND或V
EE
= GND ; V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
t
PLH
/ t
PHL
特征
民
-40°C
典型值
最大
民
0°C
典型值
最大
民
25°C
典型值
最大
450
600
20
1000
2000
200
150
300
80
民
85°C
典型值
最大
450
600
20
1000
2000
200
单位
ps
ps
mV
ps
传播延迟
450
450
D到Q / Q输出
1
（ SE ）
600
600
EN为Q / Q输出
1
2
t
SKEW
占空比偏移
（ SE ）
5
20
5
20
输入摆幅
3
150
1000
150
1000
150
V
PP
（AC）的
微分（D / D ）
4
300
2000
300
2000
300
单端（ D）
输出上升/下降
1
80
200
80
200
80
t
r
/ t
f
(20% - 80%)
1.
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
2.
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
3.
的峰 - 峰值输入摆幅的量AC参数都保证的范围内。
4.
范围适用于交流耦合的唯一信号。
5
5
AC pp输入（差分）
D
D
V
PP
（AC）的
2006年1月REV - 1
www.azmicrotek.com
5
亚利桑那州晶公司
AZP92
ECL / PECL ÷ 1 ， ÷ 2时钟发生器芯片，可选择启用
特点
绿色和RoHS /铅（Pb ）
免费提供套餐
3.0V至5.5V工作电压
可选择的分频比
可选启用极性和
阈值（ CMOS / TTL或PECL ）
可选择的输入偏置
高带宽的
≥1GHz
可在一个MLP 8 （ 2×2 ）包装
包
MLP 8 （ 2×2 ）绿色
/符合RoHS
/铅（Pb ）免费
DIE
1
2
3
4
包装可用性
产品型号
AZP92NAG
AZP92X
记号
P1G
<date code>
不适用
笔记
1,2
3,4
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）
磁带&卷轴。
日期代码格式为：“ Y”的一年，其次是“ WW ”的一周。
华夫格包
联系工厂的可用性
描述
该AZP92是一家专门÷ 1或2 ÷时钟产生部分包括启用/复位功能。分频比为
用DIV - SEL引脚/垫选择。当DIV - SEL是开放的（ NC） ，在AZP92作为一个标准的接收器。如果
DIV -SEL连接到V
EE
，它充当一个÷ 2分频器。
的可选择使能设置当选择÷2模式，也可以用作复位。使能（ EN ）
功能选择与EN - SEL引脚/垫有三种有效状态： ，V开（ NC）
EE
或连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。离开EN -SEL开启或将其连接到V
EE
将选择EN引脚/垫充当活性
高CMOS / TTL使能。当EN -SEL是开放的，内部75KΩ上拉电阻被选择它能使
每当EN处于打开状态输出。当EN - SEL连接到V
EE
时，内部75KΩ下拉电阻是
选择它禁用EN时处于打开状态的输出。
连接EN - SEL到V
EE
具有20kΩ的电阻器将选择EN管脚/垫充当有源低
PECL / ECL使具有内部75KΩ的下拉电阻。在这种模式下，输出使能当EN为开路
（ NC ） 。这种默认的逻辑条件可以通过连接EN到V被覆盖
CC
用一个外部电阻
≤20kΩ.
指的是使真值表详细操作的下一个页面上。
DIE （ AZP92X ）
该AZP92X提供了一个V
BB
和一个偏置垫940Ω内部电阻从D到BIAS和D BIAS 。
连接BIAS垫V
BB
允许D和D被AC耦合用最少的外部元件。对于单
端应用， D或D可以直接连接到V
BB
以形成单一1880Ω偏置电阻。在V
BB
针
支持1.5毫安汇/源出电流。每当使用时，在V
BB
应当旁路到地或V
CC
用0.01
μF
电容。
MLP 8 ， 2×2毫米的封装（ AZP92NA ）
该AZP92NA提供了一个V
BB
与1880Ω内部偏置电阻从D到V
BB
。此功能允许交流
耦合用最少的外部元件。在V
BB
引脚支持1.5毫安汇/源出电流，并应
旁路到地或V
CC
用0.01
μF
电容。
注：电致化学发光/ PECL表中的规格是有效的，当达到热平衡已经建立。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 125
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 480 ） 890-2541
www.azmicrotek.com
AZP92
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
EE
V
I
I
HGOUT
T
A
T
英镑
特征
PECL电源
(V
EE
= 0V)
PECL输入电压
(V
EE
= 0V)
ECL电源
(V
CC
= 0V)
ECL输入电压
(V
CC
= 0V)
输出电流
- 连续
- 浪涌
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至+6.0
0至+6.0
-6.0到0
-6.0到0
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ，V
CC
= GND）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
-1085
-1900
最大
-880
-1555
民
-1025
-1900
0°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
民
-1025
-1900
-1165
V
EE
+2000
-2250
V
EE
-1390
25°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
民
-1025
-1900
-1165
V
EE
+2000
-2250
V
EE
-1390
85°C
最大
-880
-1620
-390
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1
输出低电压
1
输入高电压
-1165
-390
D / D， EN （ ECL ）
2
-1165
3
V
EE
+2000
V
CC
EN（ CMOS）的
V
EE
+2000
输入低电压
-2250
-1475
-2250
D / D， EN （ ECL ）
2
V
EE
V
EE
+ 800
V
EE
EN（ CMOS）的
3
参考电压
-1390
-1250
-1390
输入大电流EN
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN（ ECL）的
2
-150
-150
EN（ CMOS）的
3
电源电流
4
31
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
31
0.5
-150
34
mA
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
2215
1400
最大
2420
1745
民
2275
1400
0°C
最大
2420
1680
民
2275
1400
2135
2000
1050
GND
1910
25°C
最大
2420
1680
2910
V
CC
1825
800
2050
150
民
2275
1400
2135
2000
1050
GND
1910
85°C
最大
2420
1680
2910
V
CC
1825
800
2050
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
输入高电压
1
2135
2910
2135
2910
D / D， EN （ PECL ）
3
4
EN（ CMOS）的
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1
1050
1825
1050
1825
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
GND
800
GND
800
1
参考电压
1910
2050
1910
2050
输入大电流EN
150
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN （ PECL ）
3
-150
-150
EN（ CMOS）的
4
电源电流
5
31
31
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
5.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
0.5
-150
34
mA
2006年1月REV - 1
www.azmicrotek.com
4
AZP92
100K PECL DC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +5.0V)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
特征
-40°C
民
3915
3100
最大
4120
3445
民
3975
3100
0°C
最大
4120
3380
民
3975
3100
3835
2000
2750
GND
3610
25°C
最大
4120
3380
4610
V
CC
3525
800
3750
150
民
3975
3100
3835
2000
2750
GND
3610
85°C
最大
4120
3380
4610
V
CC
3525
800
3750
150
单位
mV
mV
mV
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2
输入高电压
1
3835
4610
3835
4610
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1
2750
3525
2750
3525
D / D， EN （ PECL ）
3
EN（ CMOS）的
4
GND
800
GND
800
参考电压
1
3610
3750
3610
3750
输入大电流EN
150
150
输入低电平电流
0.5
0.5
EN （ PECL ）
3
4
-150
-150
EN（ CMOS）的
电源电流
5
31
31
对于其他的5.0V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
EN -SEL连接到V
EE
通过一个20kΩ的电阻。
EN - SEL接V
EE
或悬空（ NC） 。
DIV - SEL悬空（ NC） 。
V
IL
V
BB
I
IH
I
IL
I
EE
1.
2.
3.
4.
5.
mV
mV
μA
μA
0.5
-150
31
0.5
-150
34
mA
AC特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ; V
CC
= GND或V
EE
= GND ; V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
t
PLH
/ t
PHL
特征
民
-40°C
典型值
最大
民
0°C
典型值
最大
民
25°C
典型值
最大
450
600
20
1000
2000
200
150
300
80
民
85°C
典型值
最大
450
600
20
1000
2000
200
单位
ps
ps
mV
ps
传播延迟
450
450
D到Q / Q输出
1
（ SE ）
600
600
EN为Q / Q输出
1
2
t
SKEW
占空比偏移
（ SE ）
5
20
5
20
输入摆幅
3
150
1000
150
1000
150
V
PP
（AC）的
微分（D / D ）
4
300
2000
300
2000
300
单端（ D）
输出上升/下降
1
80
200
80
200
80
t
r
/ t
f
(20% - 80%)
1.
通过50Ω电阻到V指定与输出终止
CC
- 2V.
2.
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
3.
的峰 - 峰值输入摆幅的量AC参数都保证的范围内。
4.
范围适用于交流耦合的唯一信号。
5
5
AC pp输入（差分）
D
D
V
PP
（AC）的
2006年1月REV - 1
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5
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