数据表
低电压（ 1.25V ）可调式精密并联稳压器
AZ432
概述
该AZ432系列芯片是低电压的三端
可调式稳压器保证热稳定性
在一个完整的工作范围。这些IC具有尖锐
导通特性，低温度系数
和低输出阻抗，从而使他们的理想
中的应用，如替代齐纳二极管
开关电源，充电器，主板和
其他可调稳压器。
输出电压可设置为之间的任何值
1.25V和18V两个外部电阻。
该AZ432精密基准提供有两个频带 -
间隙误差： 0.5 ％和1 ％ 。
这些IC在4封装： TO- 92 ， SOT-
23-3 ， SOT- 23-5 ， SOT- 89 。
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
从广泛的可编程精密输出电压
1.25V至18V
在容性负载高稳定性
低温偏差：为3mV典型
低等效全范围温度Coeffi-
cient ： 20PPM /
o
C典型值
低动态输出阻抗： 0.05Ω典型
高灌电流能力，从55μA至100
mA
低输出噪声
-40 125宽工作范围
o
C
应用
·
·
·
·
·
显卡
电脑主板
电压适配器
开关电源
充电器
SOT-23-5
SOT-23-3
TO-92
SOT-89
AZ432图1.包装类型
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
1
数据表
低电压（ 1.25V ）可调式精密并联稳压器
AZ432
订购信息
AZ432
电路类型
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴或弹药
空白：管或散装
绷带公差
A: 0.5%
B: 1%
包
Z： TO- 92
N： SOT- 23-3
K： SOT- 23-5
R： SOT- 89
包
温度
TURE系列
电压
公差
0.50%
产品型号
铅锡
AZ432AZ
AZ432AZTR
AZ432BZ
AZ432BZTR
AZ432ANTR
AZ432BNTR
AZ432AKTR
AZ432BKTR
AZ432ARTR
AZ432BRTR
无铅
AZ432AZ-E1
AZ432AZTR-E1
AZ432BZ-E1
AZ432BZTR-E1
AZ432ANTR-E1
AZ432BNTR-E1
AZ432AKTR-E1
AZ432BKTR-E1
AZ432ARTR-E1
AZ432BRTR-E1
标记ID
铅锡
AZ432AZ
AZ432AZ
AZ432BZ
AZ432BZ
N48
N49
K43
K44
R42A
R42B
无铅
AZ432AZ-E1
AZ432AZ-E1
AZ432BZ-E1
AZ432BZ-E1
EA8
EA9
E7A
E8A
E42A
E42B
填料
TYPE
体积
弹药
体积
弹药
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
TO-92
-40至125
o
C
0.50%
1%
1%
SOT-23-3
-40至125
o
C
-40至125
o
C
-40至125
o
C
0.50%
1%
0.50%
1%
0.50%
1%
SOT-23-5
SOT-89
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
3
数据表
低电压（ 1.25V ）可调式精密并联稳压器
AZ432
绝对最大额定值（注1 ）
参数
阴极电压
阴极电流范围（连续）
参考输入电流范围
功耗
存储温度范围
符号
V
KA
I
KA
I
REF
P
D
T
英镑
价值
20
-100至100
10
Z，R包
氮，钾套餐
-65到150
TO-92
封装的热阻抗
Q
JA
SOT-23-3
SOT-23-5
SOT-89
130
330
250
100
o
C / W
单位
V
mA
mA
770
370
mW
o
C
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
那些在"Recommended工作Conditions"表示是不是暗示。置身于"Absolute最大
Ratings"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作额定值
参数
阴极电压
阴极电流
工作环境温度范围
符号
V
KA
I
KA
民
V
REF
0.1
-40
最大
18
100
125
单位
V
mA
o
C
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
4
数据表
低电压（ 1.25V ）可调式精密并联稳压器
AZ432
电气特性
（典型和限制适用对于T
J
=25
o
C除非另有说明。 ）
参数
参考电压
0.5%
1%
TEST
电路
4
4
符号
V
REF
V
REF
V
REF
V
KA
I
REF
I
REF
I
KA
（分钟）
I
KA
（关闭）
Z
KA
条件
V
KA
=V
REF ，
I
KA
=10mA
V
KA
=V
REF
I
KA
=10mA
0到70
o
C
-40到85
o
C
民
1.244
1.238
典型值
1.250
1.250
2
3
-0.5
0.15
0.1
最大
1.256
1.262
10
mV
10
-1.5
0.4
0.4
mV / V的
A
A
A
A
单位
V
参考电压的偏差
年龄过温
变化的V比
REF
对
改变阴极电压
参考输入电流
参考电流的偏差
租在整个温度
范围
最小阴极电流为
规
断态阴极
当前
动态阻抗
5
5
5
I
KA
=10mA,
V
KA
: V
REF
至16V
I
KA
= 10毫安中，R1 = 10KΩ ，R 2 = ∞
I
KA
= 10毫安中，R1 = 10KΩ ，R 2 = ∞
T
A
= -40 85
o
C
V
KA
=V
REF
V
REF
=0, V
KA
=18V
V
KA
=6V, V
REF
=0
V
KA
=V
REF
, I
KA
= 1至100mA
f≤1.0kHz
4
6
4
55
0.04
0.01
0.05
80
0.10
0.05
0.15
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
5
QQ：2880707522 复制
