AZ23-G-Series
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威世半导体
小信号齐纳二极管，双
特点
2
1
双硅平面齐纳二极管，通用
阳极
齐纳电压是根据分级
E24国际标准。标准齐纳
电压容差为± 5 ％ ，由“C”表示
在订货代码。替换“ C”与“B”为
2 ％的容差。
参数都有效二极管在一个
情况。
V
Z
和
R
zj
两个二极管中的一种情况是
5 %
3
20456
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.7 51
5
脉冲电流
双共阳极
单位
V
mA
AEC- Q101标准
符合AEC -Q101 ESD能力：
人体模型> 8千伏
机器型号> 800 V
基P / N - G3 - 绿色，商用级
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
设备名称
订购代码
AZ23C2V7 - G3-08到AZ23C51 - G3-08
3000 （上7"卷轴8mm带）
AZ23B2V7 - G3-08到AZ23B51 - G3-08
AZ23-G-series
AZ23C2V7 - G3-18到AZ23C51 - G3-18
10 000（ 13"上排8毫米磁带）
AZ23B2V7 - G3-18到AZ23B51 - G3-18
10 000
15 000
每卷胶带单位
最小起订量
包
包名称
SOT-23
重量
8.1毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
功耗
热阻，结
到周围的空气
结温
存储温度范围
齐纳电流
工作温度范围
测试条件
设备上的玻璃基板，
请参见第6页的布局
设备上的玻璃基板，
请参见第6页的布局
符号
P
合计
R
thJA
T
j
T
英镑
I
Z
T
op
价值
300
420
150
- 65至+ 150
P
合计
/V
Z
- 55至+ 150
单位
mW
K / W
°C
°C
mA
°C
修订版1.3 ， 08 -FEB- 13
文档编号： 85867
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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AZ23-G-Series
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威世半导体
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT
10
-4
/°C
马克斯。
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
分钟。
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
-3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
马克斯。
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
9.5
9.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
分钟。
AZ23C2V7-G
AZ23C3V0-G
AZ23C3V3-G
AZ23C3V6-G
AZ23C3V9-G
AZ23C4V3-G
AZ23C4V7-G
AZ23C5V1-G
AZ23C5V6-G
AZ23C6V2-G
AZ23C6V8-G
AZ23C7V5-G
AZ23C8V2-G
AZ23C9V1-G
AZ23C10-G
AZ23C11-G
AZ23C12-G
AZ23C13-G
AZ23C15-G
AZ23C16-G
AZ23C18-G
AZ23C20-G
AZ23C22-G
AZ23C24-G
AZ23C27-G
AZ23C30-G
AZ23C33-G
AZ23C36-G
AZ23C39-G
AZ23C43-G
AZ23C47-G
AZ23C51-G
D41
D42
D43
D44
D45
D46
D47
D48
D49
D50
D51
D52
D53
D54
D55
D56
D57
D58
D59
D60
D61
D62
D63
D64
D65
D66
D67
D68
D69
D70
D71
D72
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
马克斯。
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
50
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
电压
V
R
在我
R
V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
nA
马克斯。
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
记
(1)
测试了脉冲T = 5毫秒
p
修订版1.3 ， 08 -FEB- 13
文档编号： 85867
2
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AZ23-G-Series
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威世半导体
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
VZ
在我
ZT
10
-4
/°C
马克斯。
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
＆ LT ; 500
< 480
＆ LT ; 400
＆ LT ; 200
＆ LT ; 150
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
＆ LT ; 50
< 70
< 70
＆ LT ; 90
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 250
＆ LT ; 300
＆ LT ; 700
＆ LT ; 750
＆ LT ; 750
分钟。
-9
-9
-8
-8
-7
-6
-5
-3
-2
-1
2
-3
4
5
5
5
6
7
7
8
8
8
8
8
8
8
8
8
10
10
10
10
马克斯。
-4
-3
-3
-3
-3
-1
2
4
6
7
7
7
7
8
8
9
9
9
9
0.5
0.5
10
10
10
10
10
10
10
12
12
12
12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
齐纳电压
范围
(1)
产品型号
记号
CODE
分钟。
AZ23B2V7-G
AZ23B3V0-G
AZ23B3V3-G
AZ23B3V6-G
AZ23B3V9-G
AZ23B4V3-G
AZ23B4V7-G
AZ23B5V1-G
AZ23B5V6-G
AZ23B6V2-G
AZ23B6V8-G
AZ23B7V5-G
AZ23B8V2-G
AZ23B9V1-G
AZ23B10-G
AZ23B11-G
AZ23B12-G
AZ23B13-G
AZ23B15-G
AZ23B16-G
AZ23B18-G
AZ23B20-G
AZ23B22-G
AZ23B24-G
AZ23B27-G
AZ23B30-G
AZ23B33-G
AZ23B36-G
AZ23B39-G
AZ23B43-G
AZ23B47-G
AZ23B51-G
D41
D42
D43
D44
D45
D46
D47
D48
D49
D50
D51
D52
D53
D54
D55
D56
D57
D58
D59
D60
D61
D62
D63
D64
D65
D66
D67
D68
D69
D70
D71
D72
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.8
11.8
12.7
14.7
15.7
17.6
19.6
21.6
23.5
26.5
29.4
32.3
35.3
38.2
42.1
46.1
50
V
Z
在我
ZT1
V
喃。
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
马克斯。
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.2
12.2
13.3
15.3
16.3
18.4
20.4
22.4
24.5
27.5
30.6
33.7
36.7
39.8
43.9
47.9
52
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
TEST
当前
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向
电压
V
R
在我
R
V
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
> 0.8
>1
>2
>3
>5
>6
>7
＆ GT ; 7.5
> 8.5
>9
＆ GT ; 10
> 11
＆ GT ; 12
＆ GT ; 14
> 15
＆ GT ; 17
> 18
＆ GT ; 20
> 22.5
＆ GT ; 25
> 27
> 29
> 32
> 35
> 38
-
-
-
-
-
-
-
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
nA
马克斯。
75 （ < 83 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
80 （ < 95 ）
70 （ < 78 ）
30 （ < 60 ）
10 （ < 40 ）
4.8 （ < 10 ）
4.5 （ < 8 ）
4 （ < 7 ）
4.5 （ < 7 ）
4.8 （ < 10 ）
5.2 （ < 15 ）
6 （ < 20 ）
7 （ < 20 ）
9 （ < 25 ）
11 （ < 30 ）
13 （ < 40 ）
18 （ < 50 ）
20 （ < 50 ）
25 （ < 55 ）
28 （ < 80 ）
30 （ < 80 ）
35 （ < 80 ）
40 （ < 80 ）
40 （ < 90 ）
50 （ < 90 ）
60 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
70 （ < 100 ）
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
记
(1)
测试了脉冲T = 5毫秒
p
修订版1.3 ， 08 -FEB- 13
文档编号： 85867
3
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AZ23-G-Series
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
mA
10
3
10
2
Ω
10
3
5
4
3
2
威世半导体
R
ZTH
= R
THA
x
V
Z
x
Δ
V
Z
Δ
T
j
I
F
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
0
18114
T
J
= 100 °C
R
ZTH
10
2
T
J
= 25 °C
5
4
3
2
10
5
4
3
2
负
积极
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
1
18121
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
V
F
图。 1 -
正向特性
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 4 -
热微分电阻与齐纳电压
Ω
100
7
5
4
mW
500
400
P
合计
300
R
zj
3
2
10
200
7
5
4
100
3
2
0
0
18115
1
100
200 °C
1
18122
2
3
4 5
T
j
= 25 °C
I
Z
= 5毫安
10
2
3 4 5
100
V
T
AMB
V
Z
图。 2 -
受理的功耗与环境温度
图。 5 -
动态电阻与齐纳电压
毫伏/°C的
25
20
15
10
5
0
-5
5毫安
I
Z
= 1毫安
20毫安
Ω
10
3
7
5
4
T
j
= 25 °C
R
zj
3
2
47 + 51
43
39
36
Δ
V
Z
Δ
T
j
10
2
7
5
4
3
2
10
0.1
18120
2
3
4 5
1
2
3 4 5
I
Z
10
mA
1
18123
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
V
Z
图。 3 -
动态电阻与齐纳电流
图。 6 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
修订版1.3 ， 08 -FEB- 13
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4
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AZ23-G-Series
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威世半导体
V
1.6
15
10
V
0.8
0.7
0.6
V
Z
在我
Z
= 5毫安
25
1.4
1.2
Δ
V
Z
= R
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-1
- 0.2
0
18124
3.6
4.7
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
Δ
V
Z
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 0.2
- 0.4
20
40
60
80
100 120 140 C
18127
1
2
3
4 5
10
2
3 4 5
100
V
T
j
V
Z
在我
Z
= 5毫安
图。 10 -
更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
图。 7 -
更改齐纳电压与结温
毫伏/°C的
100
I
Z
= 5毫安
V
5
Δ
V
Z
= R
ZTH
X我
Z
Δ
V
Z
Δ
T
j
80
4
Δ
V
Z
60
3
I
Z
= 5毫安
40
2
20
1
I
Z
= 2毫安
0
0
18125
0
20
40
60
80
100
V
0
18128
20
40
60
80
100
V
V
Z
V
Z
图。 8 -
齐纳电压与温度的关系
齐纳电压
图。 11 -
更改齐纳电压从打开上最多的点
热平衡与齐纳电压
mA
50
V
9
8
7
T
j
= 25 °C
2.7
3.9 5.6
3.3 4.7
6.8
8.2
40
51
43
36
Δ
V
Z
6
5
4
3
2
1
0
-1
0
18126
l
Z
30
20
TEST
当前
I
Z
5毫安
10
I
Z
= 2毫安
20
40
60
80 100 120
T
j
140 °C
0
0
18111
1
2
3
4
5
6
V
Z
7
8
9 10
V
图。 9 -
更改齐纳电压与结温
图。 12 -
击穿特性
修订版1.3 ， 08 -FEB- 13
文档编号： 85867
5
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