AZ100LVEL16VT
亚利桑那州晶公司
ECL / PECL振荡器增益级缓冲器& ，可选择启用
特点
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为
AZ100LVEL16VR除
残疾人状况：Q
HG
是高
3.0V工作范围为5.5V
最少的外部元件
可选启用极性和
阈值（ CMOS / TTL或PECL ）
可在一个3×3毫米或2×2毫米
MLP封装
S参数（ .s2p ）与IBIS模型
文件可在美国亚利桑那州晶
网站
包
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
符合RoHS /
铅（Pb ）免费
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
符合RoHS /
铅（Pb ）免费
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
符合RoHS /
铅（Pb ）免费
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
MLP 8 （ 2x2x0.75 ）
符合RoHS /
铅（Pb ）免费
MLP 16 （ 3×3 ）
MLP 16 （ 3×3 ）符合RoHS
符合/铅（Pb ）
免费
DIE
1
2
3
4
5
6
包装可用性
产品型号
AZ100LVEL16VTNA
AZ100LVEL16VTNA+
AZ100LVEL16VTNB
AZ100LVEL16VTNB+
AZ100LVEL16VTNC
AZ100LVEL16VTNC+
AZ100LVEL16VTND
AZ100LVEL16VTND+
AZ100LVEL16VTL
AZ100LVEL16VTL+
AZ100LVEL16VTXP
记号
P9
<date code>
P9+
<date code>
P8
<date code>
P8+
<date code>
P2
<date code>
P2+
<date code>
P3
<date code>
P3+
<date code>
AZM
16T
<date code>
AZM +
16T
<date code>
不适用
笔记
1,2,3
1,2
1,2,4
1,2
1,2,5
1,2
1,2
1,2
1,2
1,2
6
描述
添加R1在零件编号最后为7英寸（ 1K件） ， R2为13英寸（ 2.5K部分）磁带
& REEL 。
日期代码格式为：“ Y”或“ YY”的一年，其次是“ WW ”的一周。
部分标记为TNA日期代码之前， 4WW （ 2004年以前） 。
部分标注TNB日期代码之前， 4WW （ 2004年以前） 。
部分跨国公司标记日期代码之前， 4WW （ 2004年以前） 。
华夫格包
该AZ100LVEL16VT是具有高增益输出缓冲器包括一个使能一个专门振荡器增益级。
在Q
HG
/Q
HG
输出有电压增益比Q / Q输出大几倍。
MLP 16 ， 3×3毫米封装（ VTL ）或死亡（ VTX ）
该AZ100LVEL16VTL和AZ100LVEL16VTX提供一个可选择的使能输入端（EN） ，它允许
连续振荡运行。见真值表启用功能。如果使能上拉需要在
CMOS / TTL模式下，外部
≤20
kΩ电阻连接EN到V
CC
将覆盖片上下拉电阻。
禁用时， Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被拉低。该AZ100LVEL16VTL / VTX也
提供了一个V
BB
和470
Ω
内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。在V
BB
引脚可以支持1.5毫安
灌/拉电流。绕过V
BB
接地用0.01
μF
电容。
输出Q和每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。请参阅以下真值表当前
源功能。外部电阻器也可以被用于增加下拉电流到最大总共25毫安。
1630 S. STAPLEY DR 。 ， SUITE 127
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真（ 480 ） 890-2541
www.azmicrotek.com
AZ100LVEL16VT
输出Q
HG
和Q
HG
每个人都有为10mA可选片上下拉电流源。当垫/引脚V
EEP
is
悬空（ NC） ，输出电流源都被禁止和Q
HG
/Q
HG
操作标准PECL / ECL 。当V
EEP
连接到V
EE
中，电流源被激活。在Q
HG
/Q
HG
下拉电流可以减少，通过使用一个
电阻连接V
EEP
到V
EE
。 （见图表5页）
MLP 8 ， 2×2毫米的封装， VTNA ， VTNB ， VTNC & VTND版本
在AZ100LVEL16VT的所有MLP 8 ，采用2x2mm版本提供使能输入，允许连续振荡
操作。 VTNA和VTNB利用使能（ EN ），运行时的PECL / ECL模式。当EN输入
低时， Q和Q
HG
/Q
HG
输出按照数据输入。当EN为高电平时，Q
HG
输出被强制高，
Q
HG
输出被拉低。 VTNC和VTND利用使能（ EN） ，工作在CMOS / TTL模式。当
EN输入为高电平时， Q和Q
HG
/Q
HG
输出按照数据输入。当EN为低电平时， Q
HG
输出被强制
高和Q
HG
输出被拉低。
对于VTNA和VTND ， D和D输入拿出绑在V
BB
引脚到470
Ω
内部偏置
电阻器。在VTNB和VTNC ， D输入在内部直接连接到V
BB
引脚和D输入连接到V
BB
引脚通过一个470
Ω
内部偏置电阻器。绕过V
BB
接地用0.01
μF
电容。
所有MLP 8 ，采用2x2mm版本（ VTNA ， VTNB ， VTNC & VTND ）有Q，Q
HG
和Q
HG
电流源
禁用，而Q输出工作在4 mA电流源V
EE
.
注：产品规格的ECL / PECL表中是有效的，当热平衡建立。
启用真值表
MLP 16 （ VTL ）或死亡（ VTX ）
EN -SEL
EN
Q/Q Q
HG
NC
PECL低，V
EE
或NC
数据数据
NC
PECL高或V
CC
数据高
V
EE
*
数据高
CMOS低或V
EE
V
EE
*
CMOS高或V
CC
数据数据
数据高
V
EE
*
NC ，没有外部上拉
数据数据
V
EE
*
NC ，与
≤20kΩ
到V
CC
*连接到V
CC
或V
EE
必须小于1Ω 。
引脚说明
针
D/D
Q/Q
Q
HG
/Q
HG
V
BB
EN -SEL
EN / EN
CS- SEL
V
EEP
V
EE
V
CC
功能
数据输入
数据输出
数据输出瓦特/高增益
参考电压输出
选择启用逻辑
使能输入
选择Q和Q电流源震级
可选Q
HG
和Q
HG
电流源
负电源
正电源
Q
HG
数据
低
低
数据
低
数据
4毫安EA 。
Q
Q
D
D
470
Ω
470
Ω
CS- SEL
Q
HG
Q
HG
10毫安EA 。
V
BB
EN
CMOS / TTL
门槛
MLP 16 （ VTL ）或死亡（ VTX ）
V
EEP
V
EE
EN -SEL
电流源真值表
MLP 16 （ VTL ）或死亡（ VTX ）
CS- SEL
Q
Q
NC
4毫安典型。
4毫安典型。
V
EE
*
8毫安典型。
8毫安典型。
V
CC
*
0
4毫安典型。
*连接到V
CC
或V
EE
必须小于1Ω 。
2007年4月* REV - 9
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2
AZ100LVEL16VT
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
特征
PECL电源（V
EE
= 0V)
PECL输入电压
(V
EE
= 0V)
ECL电源
(V
CC
= 0V)
ECL输入电压
(V
CC
= 0V)
输出电流Q
HG
/Q
HG
---连续
---浪涌
Q / Q ---连续
输出电流
---浪涌
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至8.0
0至+6.0
-8.0到0
-6.0到0
50
100
25
50
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ，V
CC
= GND）
符号
V
OH
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
4.
特征
-40°C
民
-1045
-1085
-1925
最大
-835
-880
-1555
民
-995
-1025
-1900
0°C
最大
-835
-880
-1620
民
-995
-1025
-1900
25°C
最大
-835
-880
-1620
民
-995
-1025
-1900
-1165
V
EE
+2000
-1810
V
EE
-1390
0.5
85°C
最大
-835
-880
-1620
-880
V
CC
-1475
V
EE
+ 800
-1250
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
mA
输出高电压
2
输出高电压
4
输出低电压
2,4
输入高电压
-880
-880
-1165
-880
D / D， EN / EN （ PECL ）
-1165
-1165
V
CC
V
CC
V
EE
+2000
V
CC
EN （ CMOS / TTL ）V
EE
+2000
V
EE
+2000
输入低电压
-1475
-1810
-1475
-1810
-1475
D / D， EN / EN （ PECL ）
-1810
V
EE
+ 800
V
EE
V
EE
+ 800
V
EE
V
EE
+ 800
EN （ CMOS / TTL ）
V
EE
参考电压
-1390
-1250
-1390
-1250
-1390
-1250
3
输入低电平电流EN
0.5
0.5
0.5
输入大电流EN
3
150
150
150
1
电源电流
48
48
48
与V指定
EEP
和CS- SEL开放VTL和VTX 。减为4mA VTNA ， VTNB ， VTNC & VTND 。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
只为VTL和VTX 。
指定使用EN- SEL开放VTL和VTX只。
指定与Q
HG
/Q
HG
50连
到V
CC
-2V的VTNA ， VTNB ， VTNC & VTND 。
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
4.
5.
特征
-40°C
民
2255
2215
1375
最大
2465
2420
1745
民
2305
2275
1400
0°C
最大
2465
2420
1655
民
2305
2275
1480
25°C
最大
2465
2420
1680
民
2305
2275
1400
2135
2000
1490
GND
1910
0.5
85°C
最大
2465
2420
1680
2420
V
CC
1825
800
2050
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
mA
输出高电压
1,3
输出高电压
1,5
输出低电压
1,3,5
输入高电压
2135
2420
2135
2420
2135
2420
D / D， EN / EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
2000
V
CC
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
1490
1825
1490
1825
1490
1825
D / D， EN / EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
GND
800
GND
800
GND
800
参考电压
1
1910
2050
1910
2050
1910
2050
输入低电平电流EN
4
0.5
0.5
0.5
输入大电流EN
4
150
150
150
2
电源电流
48
48
48
对于其他的3.3V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
与V指定
EEP
和CS- SEL开放VTL和VTX 。减为4mA VTNA ， VTNB ， VTNC & VTND 。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
只为VTL和VTX 。
指定使用EN- SEL开放VTL和VTX只。
指定与Q
HG
/Q
HG
50连
到V
CC
-2V的VTNA ， VTNB ， VTNC & VTND 。
2007年4月* REV - 9
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3
AZ100LVEL16VT
100K PECL DC特性
(V
EE
= GND ，V
CC
= +5.0V)
符号
V
OH
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
V
BB
I
IL
I
IH
I
EE
1.
2.
3.
4.
5.
特征
-40°C
民
3955
3915
3075
最大
4165
4120
3445
民
4005
3975
3100
0°C
最大
4165
4120
3338
民
4005
3975
3100
25°C
最大
4165
4120
3338
民
4005
3975
3100
3835
2000
3190
GND
3610
0.5
85°C
最大
4165
4120
3338
4120
V
CC
3525
800
3750
150
54
单位
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μA
μA
mA
输出高电压
1,3
输出高电压
1,5
输出低电压
1,3,5
输入高电压
3835
4120
3835
4120
3835
4120
D / D， EN / EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
2000
V
CC
2000
V
CC
2000
V
CC
输入低电压
3190
3525
3190
3525
3190
3525
D / D， EN / EN （ PECL ）
1
EN （ CMOS / TTL ）
GND
800
GND
800
GND
800
1
参考电压
3610
3750
3610
3750
3610
3750
输入低电平电流EN
4
0.5
0.5
0.5
输入大电流EN
4
150
150
150
电源电流
2
48
48
48
对于其他的5.0V电源电压，使用ECL表值和ADD的电源电压值。
与V指定
EEP
和CS- SEL开放VTL和VTX 。减为4mA VTNA ， VTNB ， VTNC & VTND 。
与V指定
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
只为VTL和VTX 。
指定使用EN- SEL开放VTL和VTX只。
指定与Q
HG
/Q
HG
50连
到V
CC
-2V的VTNA ， VTNB ， VTNC & VTND 。
AC特性
(V
EE
= -3.0V至-5.5V ; V
CC
= GND或V
EE
= GND ; V
CC
= + 3.0V至+ 5.5V ）
符号
t
PLH
/ t
PHL
特征
民
-40°C
典型值
最大
民
0°C
典型值
最大
民
25°C
典型值
最大
民
85°C
典型值
最大
单位
ps
ps
mV
ps
传播延迟
400
400
400
430
（ SE ）
D到Q / Q输出
1
550
550
550
630
D到Q
HG
/Q
HG
输出
1
（ SE ）
2
t
SKEW
占空比偏移
（ SE ）
5
20
5
20
5
20
5
20
80
80
80
80
最小输入摆幅
3
差异
V
PP
SE
160
160
160
160
1
输出上升/下降时间
100
260
100
260
100
260
100
260
t
r
/ t
f
(20% - 80%)
1.
对于VTL和VTX ，指定输出与V
EEP
和CS- SEL连接到V
EE
与AC耦合50Ω负载。对于VTNA ， VTNB ， VTNC &
VTND ， AC耦合50Ω的Q到V
CC
-2V和直流耦合50Ω到V
CC
-2V上Q
HG
/Q
HG 。
2.
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
3.
V
PP
是最小的峰 - 峰值输入摆幅的量AC参数保证。该装置具有一个电压增益
≈
20 Q / Q输出和
电压增益
≈
100 Q
HG
/Q
HG
输出。
D
EN
EN
（ VTL ， VTX ）
;
EN
（ VTNA ， VTNB ）
（ PECL ）
（ CMOS）的
（ VTL ， VTX ， VTNC ， VTND ）
Q
Q
Q
HG
Q
HG
时序图
2007年4月* REV - 9
www.azmicrotek.com
4
AZ100LVEL16VT
PECL / ECL振荡器增益级&
缓冲带可选启用
D
ESCRIPTION
该
AZ100LVEL16VT
是一种具有高的专用振荡器增益级
增益输出缓冲器包括一个使能的功能。在Q
HG
/Q
HG
输出有
电压增益几倍大于所述Q输出端。它提供了一个Q
HG
/Q
HG
启用允许通过Q输出连续振荡运行。
该AZ100LVEL16VT还提供4mA的内部下拉电流
来源Q输出。内部输入偏置进一步减少数量
所需的外部组件。
www.azmicrotek.com
F
EATURES
最少的外部
组件
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为
AZ100LVEL16VR
除了在
残疾人状况，Q
HG
is
高
-147 dBc的/ Hz典型噪声
FL OOR
B
LOCK
D
IAGRAM
A
PPLICATIONS
晶体或SAW振荡器的
只需最少的外部
组件。
P
ACKAGE
A
VAILABILITY
MLP8
o
绿色/ RoHS标准/无铅
订单号
AZ100LVEL16VTNA+
1
AZ100LVEL16VTNB+
1
1
2
包
MLP8
MLP8
记号
P9 + <Date Code>
2
P8 + <Date Code>
2
磁带&卷轴
- 添加“ R1 ”的PN结束了7英寸（ 1K部分） ， “ R2 ” （ 2.5K ）的13英寸
见www.azmicrotek.com的
日期代码格式
1630 S Stapley博士， 127套房
梅萨， AZ 85204 USA
2012年5月，版本2.0
www.azmicrotek.com
+1-480-962-5881
索取样品
亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VT
PECL / ECL振荡器增益级
&缓冲器，具有可选启用
P
IN
D
ESCRIPTION和
C
ONFIGURATION
表1 - 引脚说明AZ100LVEL16VTNA +
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
名字
D
D
V
BB
EN
Q
HG
Q
HG
V
CC
Q
V
EE
TYPE
输入
输入
产量
输入
产量
产量
动力
产量
动力
功能
数据输入
反相输入数据
参考电压
OUTPUT ENABLE
高增益反相PECL输出
高增益PECL输出
正电源
反相PECL输出
负电源
图1 - 引脚配置
AZ100LVEL16VTNA+
D
D
V
BB
EN
1
2
V
EE
3
4
8
7
6
5
Q
V
CC
Q
HG
Q
HG
表2 - 引脚说明AZ100LVEL16VTNB +
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
名字
D
V
BB
EN
V
EE
Q
HG
Q
HG
V
CC
Q
NC
TYPE
输入
产量
输入
动力
产量
产量
动力
产量
-
功能
数据输入
参考电压
OUTPUT ENABLE
负电源
高增益反相PECL输出
高增益PECL输出
正电源
反相PECL输出
不适用
图2 - 引脚配置
AZ100LVEL16VTNB+
D
V
BB
EN
V
EE
1
2
3
4
假垫
打开或
连接
V
EE
8
7
6
5
Q
V
CC
Q
HG
Q
HG
www.azmicrotek.com
+1-480-962-5881
索取样品
2
2012年5月，版本2.0
亚利桑那州晶公司
AZ100LVEL16VT
PECL / ECL振荡器增益级
&缓冲器，具有可选启用
E
NGINEERING
N
OTES
该AZ100LVEL16VT是具有高增益输出缓冲器包括一个使能一个专门振荡器增益级。该
Q
HG
/Q
HG
输出具有电压增益比的Q输出大几倍。当EN输入为低电平时， Q和
Q
HG
/Q
HG
输出按照数据输入。当EN为高电平时，Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被强制
低。
对于AZ100LVEL16VTNA ， D和D输入拿出绑在V
BB
引脚通过470Ω内部偏置
电阻器。在AZ100LVEL16VTNB ， D输入端在内部直接连接至V
BB
引脚和D输入连接到
V
BB
引脚通过一个470Ω的内部偏置电阻。绕过V
BB
接地用0.01
F
电容。
D
EN
Q
Q
Q
HG
Q
HG
图3 -timing图
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3
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AZ100LVEL16VR
PECL / ECL振荡器增益级&
缓冲带可选启用
D
ESCRIPTION
该
AZ100LVEL16VR
是一种具有高的专用振荡器增益级
增益输出缓冲器包括一个使能的功能。在Q
HG
/Q
HG
输出有
电压增益比Q / Q输出大几倍。它提供了一个
选择Q
HG
/Q
HG
启用允许通过连续振荡运行
在Q / Q输出。
该AZ100LVEL16VR提供了可调节的内部下拉电流
来源为Q / Q输出和可选10毫安电流源的
Q
HG
/Q
HG
输出。内部输入偏置进一步减少数量
所需的外部组件
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F
EATURES
最少的外部
组件
可选启用极性和
阈值（ CMOS或PECL ）
高带宽的
≥1GHz
类似的操作为
AZ100EL16VO
-147 dBc的/ Hz典型噪声
FL OOR
B
LOCK
D
IAGRAM
A
PPLICATIONS
晶体或SAW振荡器的
只需最少的外部
组件。
P
ACKAGE
A
VAILABILITY
MLP8
o
绿色/ RoHS标准/无铅
MLP16
o
绿色/ RoHS标准/无铅
订单号
AZ100LVEL16VRL
1
AZ100LVEL16VRNEG
1
1
2
包
MLP16
MLP8
记号
AZM + 16R <Date Code>
2
R5G <Date Code>
2
磁带&卷轴
- 添加“ R1 ”的PN结束了7英寸（ 1K部分） ， “ R2 ” （ 2.5K ）的13英寸
见www.azmicrotek.com的
日期代码格式
1630 S Stapley博士， 127套房
梅萨， AZ 85204 USA
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AZ100LVEL16VR
PECL / ECL振荡器增益级
&缓冲器，具有可选启用
P
IN
D
ESCRIPTION和
C
ONFIGURATION
表1 - 引脚说明AZ100LVEL16VRL
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
NC
D
D
V
BB
EN
NC
V
EE
V
EEP
EN -SEL
Q
HG
Q
HG
CS- SEL
V
CC
NC
Q
Q
TYPE
-
输入
输入
产量
输入
-
动力
输入
输入
产量
产量
输入
动力
-
产量
产量
功能
不适用
数据输入
反相输入数据
参考电压
OUTPUT ENABLE
不适用
负电源
高增益电流源启用
使极性选择
高增益反相PECL输出
高增益PECL输出
电流源选择
正电源
不适用
PECL输出
反相PECL输出
图1 - 引脚配置为AZ100LVEL16VRL
表2 - 引脚说明AZ100LVEL16VRNEG
针
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
D
V
BB
EN
V
EE
Q
HG
Q
HG
V
CC
Q
TYPE
输入
产量
输入
动力
产量
产量
动力
产量
功能
数据输入
参考电压
OUTPUT ENABLE
负电源
高增益反相PECL输出
高增益PECL输出
正电源
反相PECL输出
图2 - 引脚配置
AZ100LVEL16VRNEG
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AZ100LVEL16VR
PECL / ECL振荡器增益级
&缓冲器，具有可选启用
E
NGINEERING
N
OTES
F
UNCTIONALITY
MLP 16 P
ACKAGE
(AZ100LVEL16VRL)
该AZ100LVEL16VR提供可选择的Q
HG
/Q
HG
启用允许通过Q / Q连续振荡运行
输出。表3示出的操作模式。离开EN - SEL开（ NC）选择PECL / ECL操作为EN
垫/引脚。在这种模式下在Q
HG
/Q
HG
输出使能当EN处于打开状态（ NC）或设置为PECL / ECL低。
连接EN - SEL到V
CC
, V
EE
或V
BB
选择CMOS操作的EN垫/引脚。当EN - SEL被连接到V
EE
中，
Q
HG
/Q
HG
输出被禁止，当EN处于打开状态（ NC） 。当EN - SEL被连接到V
CC
或V
BB
时，Q
HG
/Q
HG
输出
当EN为开路启用。这种默认的逻辑条件可以通过重写
≤
20kΩ的电阻器连接到所述
相反的供应。
该AZ100LVEL16VR还提供了一个V
BB
和470Ω内部偏置电阻从D到V
BB
和D V
BB
。在V
BB
针
支持1.5毫安汇/源出电流。 V
BB
应当旁路到地或V
CC
用0.01
F
电容。
输出Q /每个Q有一个可选的上拉下拉电流源。请参阅表4为支持的值。外
电阻器也可以被用于增加下拉电流的最大值总为25mA用于Q / Q输出。
每个Q的
HG
/Q
HG
输出具有为10mA可选片上下拉电流源。当垫/引脚V
EEP
处于打开状态
（ NC ） ，输出电流源都被禁止和Q
HG
/Q
HG
操作标准PECL / ECL 。当V
EEP
被连接到
V
EE
中，电流源被激活。在Q
HG
/Q
HG
下拉电流可以减少通过使用V之间的电阻器
EEP
和V
EE
.
表3 - 启用真值表
EN -SEL
NC
V
EE1
V
CC
或V
BB1,2
1
2
EN
PECL低，V
EE
或NC
PECL高或V
CC
CMOS低，V
EE
或NC
CMOS高或V
CC
CMOS低或V
EE
CMOS高，V
CC
或NC
Q
/
Q
数据
数据
数据
数据
数据
数据
Q
HG
数据
低
低
数据
低
数据
Q
HG
数据
高
高
数据
高
数据
EN -SEL的连接必须是
≤1.
日期码之前的0428不支持此操作模式。
表4 - 电流源真值表
CS- SEL
NC
V
EE1
V
CC1
1.
Q
Q
4毫安典型值
8毫安典型值
0
4毫安典型值
8毫安典型值
4毫安典型值
连接必须小于1
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AZ100LVEL16VR
PECL / ECL振荡器增益级
&缓冲器，具有可选启用
图3示出在MLP 16封装或管芯的定时序列的AZ100LVEL16VR 。它在这里显示
与启用低电平有效模式与PECL的阈值操作。此模式是由离开ZH- SEL来确定
开（ NC） 。高电平有效使能与CMOS / TTL阈值也是一种选择。
D
EN
Q
Q
Q
HG
Q
HG
（ PECL ）
图3 - AZ100LVEL16VRL时序图
F
UNCTIONALITY
MLP 8 P
ACKAGE
(AZ100LVEL16VRNEG)
一种CMOS使能输入（ EN）可连续振荡运行。当EN输入为高电平或悬空（ NC） ，在Q
和Q
HG
/Q
HG
输出跟随输入的数据。当EN为低电平时， Q
HG
输出被强制为高和Q
HG
输出被强制
低，而Q继续跟随输入的数据。 Q输出有一个内置的4 mA电流源V
EE
在大多数情况下
省去了外部的下拉电阻器。
该AZ100LVEL16VRNEG还提供偏置。数据输入端D通过470Ω的内部偏置连接到VBB销
电阻，而反相输入端D被直接地连接到V
BB
。在V
BB
引脚支持1.5毫安汇/源出电流。 V
BB
应绕过接地用0.01
F
电容。
D
EN
Q
Q
HG
Q
HG
（ CMOS）的
图4 - AZ100LVEL16VRNEG时序图
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AZ100LVEL16VR
PECL / ECL振荡器增益级
&缓冲器，具有可选启用
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
500
1000
1500
2000
2500
频率（MHz）
3000
3500
4000
V
OUTpp
（毫伏）
交流耦合电容
C2
R1
请参阅表
EL16VO
前端
3.3或5伏
CMOS
D
R2
470 Ω
D
V
BB
C1
0.01 μF
图5 - 应用电路的CMOS输入
对于CMOS单推荐元件值端输入
R1
1
价值
输入类型
AC耦合（ C2在电路）
直流耦合（ C2短路）
3.3 V CMOS
1.1 kΩ
2.0 kΩ
5 V CMOS
1.6 kΩ
3.3 kΩ
R 1的选择应使得在D输入端输入的摆动关于D
在± 80的范围为± 1000 mV时，每个AC特性表和
D输入为< ± 750 mV的相对于V
BB
.
1.
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