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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1249页 > AZ10/100EP16VSL
亚利桑那州晶公司
AZ10EP16VS
AZ100EP16VS
ECL / PECL差分接收器与可变输出摆幅
特点
硅 - 锗 - 高速
手术
150PS典型传播延迟
AZ100EP16VS功能等价
安森美半导体MC100EP16VS
在3.3V
可在一个3x3mm的封装MLP
S参数( .s2p )和IBIS模型文件
可在亚利桑那州晶网站
SOIC 8
SOIC 8
TSSOP 8
TSSOP 8
MLP 16 ( 3×3 )
MLP 16 ( 3×3 )
符合RoHS /
铅(Pb )免费
1
2
3
包装可用性
产品型号
AZ10EP16VSD
AZ100EP16VSD
AZ10EP16VST
AZ100EP16VST
AZ10/100EP16VSL
记号
AZM10
EP16VS
AZM100
EP16VS
AZTP
EP16VS
AZHP
EP16VS
AZM
16S
<date code>
AZM +
16S
<date code>
笔记
1,2,3
1,2,3
1,2,3
1,2,3
1,2
AZ10/100EP16VSL+
1,2
添加R1在零件编号最后为7英寸( 1K件) , R2为13英寸( 2.5K部分)磁带
& REEL 。
日期代码格式为:“ Y”或“ YY”的一年,其次是“ WW ”的一周。
日期代码“ YWW ”或部分底部“ YYWW ” 。
描述
在AZ10 / 100EP16VS是硅锗(SiGe)的差分接收器具有可变的输出摆动。该
EP16VS具有类似于EP16的功能和输出转变时间,与一个输入控制该振幅
的Q / Q输出。
连接BOOST引脚到V
EE
增加输出摆动约15%以上的标准ECL / PECL电平。
升压引脚内部连接到V
EE
对于SOIC 8和TSSOP 8封装,并在外部用户控制
对于MLP 16封装。当两个BOOST引脚和V
CTRL
引脚都连接不上,该器件采用了
标准ECL / PECL输出和V
BB
在AZ10 / 100EP16装置的水平。为了确保最佳的性能, BOOST
引脚应该连接到V
EE
当可变摆动特征被使用。
该EP16VS控制输入,V的操作范围
CTRL
是从V
REF
(全速)到V
CC
(最小回转) 。
最大摆幅由离开V实现
CTRL
引脚开路或连接到V
EE
。简单的控制输出摆幅可
通过V之间的可变电阻器获得的
REF
和V
CC
管脚,刮水器驱动V
CTRL
。典型用途
电路和结果在此数据表中描述。
该EP16VS提供了一个V
REF
(V
BB
/V
REF
)输出一个直流偏置时交流耦合到设备。在V
REF
应仅作为偏置为EP16VS作为其灌/拉电流能力是有限的。每当用的
V
REF
引脚应通过绕过一个0.01μF的电容到地。
在打开的输入条件, D / D,在Q / Q输出不能保证。
注:规格在ECL / PECL表是有效的,当热平衡建立。
1630 S. STAPLEY DR 。 , SUITE 127
亚利桑那州Mesa 85204
美国
(480) 962-5881
传真( 480 ) 890-2541
www.azmicrotek.com
AZ10EP16VS
AZ100EP16VS
引脚说明
D, D
V
CTRL
Q, Q
V
REF
,
V
BB
/V
REF
BOOST
V
CC
V
EE
NC
功能
数据输入
输出摆幅控制
数据输出
参考电压输出
增加输出摆幅
当连接到V
EE *
正电源
负电源
无连接
* BOOST应该连接到V
EE
为了获得最佳性能使用变量摆动功能时。
逻辑框图和引脚转让
V
CTRL
1
8
V
CC
D
2
7
Q
D
3
6
Q
V
REF
4
5
V
EE
SOIC 8 & TSSOP 8
顶视图
NC
16
V
CTRL
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
15
NC
14
V
CC
13
12
MLP 16套餐:
10K / 100K的选择
NC
Q
Q
D
D
V
BB
/
V
REF
MLP 16 ,
3×3毫米
11
10
9
连接引脚10K到V
EE
和float ( NC )引脚
100K选择10K的操作。连接销
10万到V
EE
和float ( NC )引脚10K选择
100K的操作。
可变的摇摆选择
BOOST
BOOST引脚连接到V
EE
支持变
旋转操作。 FLOAT( NC )引脚升压和
V
CTRL
禁用可变旋转操作。
所有V
EE
连接必须小于1Ω 。
NC
100K
V
EE
10K
底部中央垫可能会留下
打开或连接到V
EE
2007年7月* REV - 10
www.azmicrotek.com
2
AZ10EP16VS
AZ100EP16VS
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会受到影响。
符号
V
CC
V
I
V
EE
V
I
I
OUT
T
A
T
英镑
特征
PECL电源(V
EE
= 0V)
PECL输入电压
(V
EE
= 0V)
ECL电源
(V
CC
= 0V)
ECL输入电压
(V
CC
= 0V)
输出电流
---连续
---浪涌
工作温度范围
存储温度范围
等级
0至+4.5
0至+4.5
-4.5到0
-4.5到0
50
100
-40至+85
-65到+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
mA
°C
°C
10K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-3.6V ,V
CC
= GND)
符号
V
OH
特征
输出高电压
1
输出低电压
1,2
V
OL
-1700 -2000
V
CTRL
= V
REF
-2000
BOOST = V
EE
输出低电压
1,2
V
OL
V
CTRL
= V
CC
-1285
-1035 -1270
BOOST = V
EE
输出低电压
1,3
V
OL
-1650 -1950
V
CTRL
= NC -1950
BOOST = NC
参考电压
2
V
REF
-1700
-1500 -1670
V
BB
/V
REF
BOOST = V
EE
参考电压
3
V
BB
/V
REF
-1430
-1300 -1380
BOOST = NC
输入高电流
80
I
IH
D,D
V
CTRL
400
输入低电平电流
0.5
0.5
I
IL
I
EE
电源电流
21
27
36
22
28
1.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
2.
BOOST内部结合到V
EE
同时为8 SOIC和TSSOP 8封装。
3.
支持只MLP 16封装。
-1095
-40°C
典型值
最大
-845
-1055
0°C
典型值
最大
-805
-1690
-1030
-2000
25°C
典型值
最大
-780
-1690
-970
-2000
85°C
典型值
最大
-720
-1655
单位
mV
mV
-1020
-1265
-1015
-1255
-1005
mV
-1630
-1470
-1270
80
400
37
-1950
-1650
-1350
-1630
-1450
-1250
80
400
-1950
-1600
-1310
-1595
-1400
-1190
80
400
mV
mV
mV
μA
μA
mA
0.5
22
29
38
0.5
24
30
40
10K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ,V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
特征
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2,3
V
OL
V
CTRL
= V
REF
1300
1600
1300
1610
1300
BOOST = V
EE
输出低电压
1,2,3
V
OL
2015
2265
2030
2280
2035
V
CTRL
= V
CC
BOOST = V
EE
输出低电压
1,3,4
V
OL
V
CTRL
= NC
1350
1650
1350
1670
1350
BOOST = NC
参考电压
3
V
REF
1600
1800
1630
1830
1650
V
BB
/V
REF
BOOST = V
EE
参考电压
4
1870
2000
1920
2030
1950
V
BB
/V
REF
BOOST = NC
输入高电流
80
80
I
IH
D,D
V
CTRL
400
400
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
I
IL
I
EE
电源电流
21
27
36
22
28
37
22
1.
对于其他的3.3V电源电压,使用ECL表值和ADD的电源电压值。
2.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
3.
BOOST内部结合到V
EE
同时为8 SOIC和TSSOP 8封装。
4.
支持只MLP 16封装。
2205
-40°C
典型值
最大
2455
2245
0°C
典型值
最大
2495
2270
25°C
典型值
最大
2520
1610
2330
1300
85°C
典型值
最大
2580
1645
单位
mV
mV
2285
2045
2295
mV
1670
1850
2050
80
400
29
38
1350
1700
1990
1670
1900
2110
80
400
mV
mV
mV
μA
μA
mA
0.5
24
30
40
2007年7月* REV - 10
www.azmicrotek.com
3
AZ10EP16VS
AZ100EP16VS
100K ECL直流特性
(V
EE
= -3.0V至-3.6V ,V
CC
= GND)
符号
V
OH
特征
输出高电压
1
输出低电压
1,2
V
OL
V
CTRL
= V
REF
-1950
-1700 -1950
BOOST = V
EE
输出低电压
1,2
V
OL
V
CTRL
= V
CC
-1200
-940
-1190
BOOST = V
EE
输出低电压
1,3
V
OL
V
CTRL
= NC -1900
-1640 -1890
BOOST = NC
参考电压
2
V
REF
-1650
-1450 -1650
V
BB
/V
REF
BOOST = V
EE
参考电压
3
V
BB
/V
REF
-1440
-1320 -1380
BOOST = NC
输入高电流
I
IH
80
D,D
V
CTRL
400
输入低电平电流
0.5
0.5
I
IL
I
EE
电源电流
20
26
35
21
27
1.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
2.
BOOST内部结合到V
EE
同时为8 SOIC和TSSOP 8封装。
3.
支持只MLP 16封装。
-1130
-40°C
典型值
最大
-840
-1090
0°C
典型值
最大
-840
-1700
-1090
-1950
25°C
典型值
最大
-840
-1700
-1090
-1950
85°C
典型值
最大
-840
-1700
单位
mV
mV
-940
-1190
-940
-1190
-940
mV
-1640
-1450
-1260
80
400
36
-1890
-1650
-1380
-1550
-1640
-1450
-1260
80
400
-1890
-1650
-1380
-1640
-1450
-1260
80
400
mV
mV
mV
μA
μA
mA
0.5
22
28
38
0.5
25
31
41
100K LVPECL直流特性
(V
EE
= GND ,V
CC
= +3.3V)
符号
V
OH
特征
输出高电压
1,2
输出低电压
1,2,3
V
OL
V
CTRL
= V
REF
1350
1600
1350
1600
1350
BOOST = V
EE
输出低电压
1,2,3
V
OL
2100
2360
2110
2360
2110
V
CTRL
= V
CC
BOOST = V
EE
输出低电压
1,3,4
V
OL
V
CTRL
= NC
1410
1660
1410
1660
1410
BOOST = NC
参考电压
3
V
REF
1650
1850
1650
1850
1650
V
BB
/V
REF
BOOST = V
EE
参考电压
4
1860
1980
1920
2040
1920
V
BB
/V
REF
BOOST = NC
输入高电流
80
80
I
IH
D,D
V
CTRL
400
400
输入低电平电流
0.5
0.5
0.5
I
IL
I
EE
电源电流
20
26
35
21
27
36
22
1.
对于其他的3.3V电源电压,使用ECL表值和ADD的电源电压值。
2.
每个输出通过一个50Ω电阻至V终止
CC
– 2V.
3.
BOOST内部结合到V
EE
同时为8 SOIC和TSSOP 8封装。
4.
支持只MLP 16封装。
2170
-40°C
典型值
最大
2460
2210
0°C
典型值
最大
2460
2210
25°C
典型值
最大
2460
1600
2210
1350
85°C
典型值
最大
2460
1600
单位
mV
mV
2360
2110
2360
mV
1660
1850
2040
80
400
28
38
1410
1650
1920
1660
1850
2040
80
400
mV
mV
mV
μA
μA
mA
0.5
25
31
41
2007年7月* REV - 10
www.azmicrotek.com
4
AZ10EP16VS
AZ100EP16VS
AC特性
(V
EE
= -3.0至-3.6V ,V
CC
= GND ,V
CTRL
=V
REF
或V
EE
= GND ,V
CC
= + 3.0V至3.6V ,V
CTRL
= V
REF
)
符号
f
最大
t
PLH
/ t
PHL
t
SKEW
V
pp
V
CMR
A
v
特征
最大切换
频率
5
输入到输出
( DIFF )
延迟
( SE )
占空比偏移
1
( DIFF )
最小输入摆幅
2
共模范围
3
-40°C
典型值
>4
100
150
155
4
240
20
V
CC
150
V
EE
+
2.0
100
最大
0°C
典型值
>4
150
155
4
240
15
V
CC
150
V
EE
+
2.0
100
最大
25°C
典型值
>4
150
155
4
240
15
V
CC
150
V
EE
+
2.0
120
最大
85°C
典型值
>4
170
175
4
280
15
V
CC
最大
单位
GHz的
ps
ps
mV
V
dB
ps
150
V
EE
+
2.0
小信号增益
4
28
输出上升/下降时间Q
t
r
/ t
f
120
170
120
180
120
180
120
200
(20% - 80%)
1.
占空比歪斜是叔之间的区别
PLH
和T
PHL
通过一个装置的传播延迟。
2.
V
PP
是最小的峰 - 峰值差分输入摆幅其中AC参数的保证。
3.
在V
CMR
范围是相对于所述差分输入信号的最积极的一面。如果高电平落入获得正常操作
在指定的范围和峰 - 峰电压位于V的
PP
(分钟)和1V 。
4.
差分输入,差分输出。 240Ω到V
EE
在Q / Q输出,V
CTRL
= NC和BOOST = V
EE
(对于MLP 16包) 。
5.
见下图。
典型的大信号性能, AZ100EP16VS *
1000
900
800
700
V
OUTpp
(毫伏)
600
500
400
300
200
100
0
0
1000
2000
3000
频率(MHz)
4000
5000
6000
V
CTRL
=V
CC
-0.5V
V
CTRL
=V
CC
-1.0V
V
CTRL
=V
CC
-1.5V
V
CTRL
=V
CC
-2.0V
V
CTRL
=V
CC
*使用在50 %占空比的750mV的差分输入源进行测定。有效
对于SOIC 8 , TSSOP 8或MLP 16 BOOST = V
EE
.
2007年7月* REV - 10
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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