HELP3DC UMTS1700 （频段4 & 9 ）
LTE / WCDMA / CDMA线性功率放大器模块
TM
AWT6634
数据表 - 版本2.1
特点
CDMA / EVDO ，WCDMA / HSPA和LTE
柔顺
3
rd
代HELP
TM
技术
35 % @ P
OUT
= +27.25 dBm
20 % @ P
OUT
= +16 dBm的
高效率： （ LTE波形）
Simpler Calibration with only 2 Bias Modes
优化了开关电源供应
低静态电流： 8毫安
低漏电流的关断模式： 4 μA
内部稳压器
综合“菊花链式”定向耦合器
与CPL
IN
和CPL
OUT
-Ports
Optimized for a 50 System
低调微型表面贴装封装
在IN / OUT RF端口内部DC块
1.8 V Control Logic
RoHS Compliant Package, 260
o
MSL - 3
AWT6634
10引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
应用
无线手机与数据设备为：
WCDMA/HSPA/LTE Bands 3,4,9 or 10
CDMA / EVDO AWS / KPCS波段
有两种可选的偏置模式，优化效率
针对不同的输出功率水平，以及关断模式
低漏电流，从而增加手机通话
and standby time. The self-contained 3 mm x 3 mm x
1 mm surface mount package incorporates matching
网络的输出功率，效率最佳化，并
linearity in a 50 system.
GND在蛞蝓（ PAD）
V
BATT
1
10
V
CC
The AWT6634 PA is designed to provide highly linear
输出为WCDMA ， CDMA和LTE手机和
在两个高数据设备具有高效率和
低功耗模式。这HELP3DC
TM
PA可
用外部开关模式电源中使用
（SMPS）以提高其效率高等减少电流
消费进一步在中低输出功率。
A“菊环连接」定向耦合器集成
在该模块中，从而消除了外部的需要
耦合器。该设备采用先进的制造
的InGaP HBT MMIC技术，提供先进设备，最先进的
可靠性，温度稳定性和耐用性。那里
产品说明
RF
IN
2
CPL
9
RF
OUT
V
MODE2
（N / C ）
3
偏置控制
电压调节
8
CPL
IN
V
MODE1
4
7
GND
V
EN
5
6
CPL
OUT
图1 ：框图
02/2012
AWT6634
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
电池电压（V
BATT
)
控制电压（V
MODE1
, V
启用
)
RF输入功率（P
IN
)
存储温度（T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 ：工作范围
参数
工作频率（f ）
电源电压（V
CC
)
电池电压（V
BATT
)
使能电压（V
启用
)
模式控制电压（V
MODE1
)
RF输出功率（P
OUT
)
R99 WCDMA ， HPM
HSPA （MPR = 0）， HPM
LTE ， HPM
R99 WCDMA ， LPM
HSPA （ MPR = 0 ） ， LPM
LTE ， LPM
CDMA输出功率
HPM
LPM
外壳温度（T
C
)
民
1710
+0.5
+3.1
+1.35
0
+1.35
0
27.45
(1)
26.45
(1)
26.45
(1)
16.2
(1)
15.2
(1)
15.2
(1)
26.7
(1)
15.2
(1)
-30
典型值
-
+3.4
+3.4
+1.8
0
+1.8
0
28.25
27.25
27.25
17
16
16
27.5
16.0
-
最大
1785
+4.35
+4.35
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
28.25
27.25
27.25
17
16
16
-
-
+90
单位
兆赫
V
V
V
V
P
OUT
≤
28.25 dBm的
P
OUT
≤
28.25 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
3GPP TS 34.121-1 ，相对8
表C.11.1.3的WCDMA
SUBTEST 1
TS 36.101相对8 LTE
评论
DBM
DBM
°C
CDMA2000 ， RC- 1
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能，才能保证
在电气规范中定义的条件。
注意事项：
（1）对于操作在V
cc
= 3.1 V，P
OUT
由0.8分贝降额。
3
数据表 - 版本2.1
02/2012
AWT6634
表4 ：电气规格 - WCDMA运营（ R99波形）
(T
C
= +25 ° C，V
CC
= +3.4 V, V
BATT
= +3.4 V, V
启用
= +1.8 V, 50
系统）
评论
民
典型值
最大
单位
P
OUT
V
MODE1
24.5
11.5
-
-
-
-
37
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
27
14
-41
-41
-55
-60
40
23
8
0.3
0.3
2.5
4
-134
-141
-134
-37
-55
2:1
20
28
0.25
29.5
16
-38
-38
-48
-53
-
-
16.5
0.6
0.6
5
7
-
-
-
-34
-50
-
-
-
-
dB
dBc的
dBc的
%
mA
mA
mA
mA
A
+28.25 dBm
+17 dBm的
+28.25 dBm
+17 dBm的
+28.25 dBm
+17 dBm的
+28.25 dBm
+17 dBm的
V
MODE1
= +1.8 V
通过V
模式
针，V
MODE1
= +1.8 V
通过V
启用
针
通过V
BATT
, V
MODE1
= +1.8V
V
BATT
= +4.2 V, V
CC
= +4.2 V,
V
启用
= 0 V, V
MODE1
= 0 V
0V
1.8 V
0V
1.8 V
0V
1.8 V
0V
1.8 V
参数
收益
ACLR1 at 5 MHz offset
(1)
ACLR2 at 10 MHz offset
功率附加效率
(1)
静态电流（WinSock ）
低偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2f
O
3f
O
, 4f
O
输入阻抗
耦合系数
指向性
耦合器IN- OUT
菊花链插入损耗
杂散输出电平
（所有杂散输出）
负载失配应力，无
永久退化或失效
相三角洲（ HPM - LPM ）
1805 - 1880 MHz
dBm / Hz表示2110年至2155年兆赫
1574.4 - 1576.4 MHz
dBc的
VSWR
dB
dB
dB
698 MHz through 2620 MHz
Pin 8 to 6; Shutdown Mode
P
OUT
< +28.25 dBm
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于所有操作系统
条件
适用于在整个工作范围
P
OUT
< +28.25 dBm
-
-
-70
dBc的
8:1
-
-
10
-
-
VSWR
度
注意事项：
（1）的ACLR和效率的测定1747.5兆赫。
4
数据表 - 版本2.1
02/2012
AWT6634
表5 ：电气规格 - LTE运营（ RB = 12 ， START = 0 ， QPSK ）
(T
C
= +25 ° C，V
BATT
= V
CC
= +3.4 V, V
启用
= +1.8 V, 50
系统）
参数
民
24.5
11.5
-
-
-
-
-
-
32
16
典型值
27
14
-39
-39
-40
-40
-60
-60
35
20
最大
29.5
16
-36
-36
-37
-37
-55
-55
-
-
单位
评论
P
OUT
27.25 dBm的
+16 dBm的
27.25 dBm的
+16 dBm的
27.25 dBm的
+16 dBm的
27.25 dBm的
+16 dBm的
27.25 dBm的
+16 dBm的
V
MODE1
0V
1.8 V
0V
1.8 V
0V
1.8 V
0V
1.8 V
0V
1.8 V
收益
ACLR E- UTRA
at
±
10兆赫 FF集
ACLR1 UTRA
(1)
at
±
7.5 MHz偏移
ACLR2 UTRA
at
±
12.5 MHz偏移
功率附加英法fi效率
(1)
dB
dBc的
dBc的
dBc的
%
杂散输出电平
（所有杂散输出）
负载失配应力，无
永久退化或失效
-
-
<-70
dBc的
P
OUT
≤
27.25 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于在所有工作条件
8:1
-
-
VSWR适用于在整个工作范围
注意事项：
（1）的ACLR和效率的测定1747.5兆赫。
5
数据表 - 版本2.1
02/2012
QQ：2880707522 复制
