LTE / WCDMA / CDMA / TD-SCDMA的线性聚丙烯酰胺
数据表 - 版本2.7
HELP3DC
TM
UMTS2100 （频段1 ）
AWT6631
特点
CDMA / EVDO ， WCDMA / HSPA ，LTE和
TD- SCDMA标准
3
rd
代HELP
TM
技术
高效率（ R99波形） ：
41
% @ P
OUT
= 28.25 dBm的
24
% @ P
OUT
= +17 dBm的
简单的校准，只有2偏置模式
优化
对于开关电源供应
低
静态电流： 8毫安
低漏电流的关断模式： <4
A
内部稳压器
AWT6631
综合“菊花链式”定向耦合器
与CPL
IN
和CPL
OUT
端口
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装
在IN / OUT RF端口内部DC块
1.8 V控制逻辑
符合RoHS的封装， 260
o
MSL - 3
10引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
应用
无线手机与数据设备为：
WCDMA / HSPA / LTE
IMT频段
CDMA / EVDO
频带种类6
TD- SCDMA
1.82 / 2.0 GHz频带
TD
- LTE频带33，34，和39
能够优化效率，针对不同的输出功率
水平和关机模式与低漏电流，
这增加了手机的通话和待机时间。该
自含有3 x 3毫米×1毫米的表面贴装
包装采用了优化的匹配网络
输出功率，效率，和在50的线性
系统。
GND在蛞蝓（ PAD）
V
BATT
1
10
V
CC
产品说明
该AWT6631功率放大器是专为提供高线性度
输出用于WCDMA ，CDMA， LTE和TD-SCDMA的
手机和数据设备以高效率在
高和低功率模式。这HELP3DC
TM
PA可以通过外部开关模式电源中使用
电源（ SMPS） ，以提高其效率，并降低
电流消耗进一步在介质和低输出
权力。 A“菊花链式”定向耦合器
集成在模块中这样就省去了
外部耦合器。该装置被制造在
先进的InGaP HBT MMIC技术产品
国家的最先进的可靠性，温度稳定性和
耐用性。有两种可选的偏置模式
RF
IN
2
CPL
9
RF
OUT
V
MODE2
（N / C ）
3
偏置控制
电压调节
8
CPL
IN
V
MODE1
4
7
GND
V
EN
5
6
CPL
OUT
图1 ：框图
03/2012
AWT6631
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
电池电压（V
BATT
)
控制电压（V
MODE1
, V
启用
)
RF输入功率（P
IN
)
存储温度（T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。接触
对于延长的时期绝对的收视率可能会产生不利影响的可靠性。
表3 ：工作范围
参数
电源电压（V
CC
)
电池电压（V
BATT
)
使能电压（V
启用
)
模式控制电压（V
MODE1
)
外壳温度（T
C
)
民
+0.5
+3.1
+1.35
0
+1.35
0
-30
典型值
+3.4
+3.4
+1.8
0
+1.8
0
-
最大
+4.35
+4.35
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
+90
单位
V
V
V
V
°C
评论
P
OUT
≤
28.25 dBm的
P
OUT
≤
28.25 dBm的
PA“上”
PA “停摆”
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能，才能保证
在电气规范中定义的条件。
3
数据表 - 版本2.7
03/2012
AWT6631
表4 ：电气规格 - WCDMA运营（ R99波形）
(T
C
= +25 ° C，V
CC
= +3.4 V, V
BATT
= +3.4 V, V
启用
= +1.8 V, 50
系统）
参数
工作频率（f ）
RF输出功率（ P最高）
(1)
R99 WCDMA ， HPM
R99 WCDMA ， LPM
收益
ACLR1在5 MHz偏移
(2)
ACLR2在10 MHz偏移
(2)
功率附加英法fi效率
(2)
静态电流（WinSock ）
低偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
漏电流
噪声接收频段
(3)
谐波
2f
O
3f
O
, 4f
O
输入阻抗
耦合系数
指向性
耦合器IN- OUT
菊花链插入损耗
民
1920
27.45
16.2
25
12
-
-
-
-
37
21
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
28.25
17
27
13
-41
-42
-55
-55
41
24
9
0.3
0.3
2.5
4
-137
-143
-39
-55
-
20
20
<0.25
最大
1980
28.25
17
30
16
-37
-38
-48
-48
-
-
14
0.5
0.5
5
7
-135
-138
-35
-50
2:1
-
-
-
单位
兆赫
DBM
dB
dBc的
dBc的
%
mA
mA
mA
mA
A
dBm的/
Hz
dBc的
VSWR
dB
dB
dB
698 - 2620兆赫
引脚8至6
关断模式
P
OUT
≤
28.25 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于在所有工作条件
系统蒸发散
适用于在整个工作范围
评论
UMTS波段1
3GPP TS 24.121-1 ，相对8
表C.11.1.3 ，支持WCDMA
SUBTEST 1
HPM ，P
OUT
= 28.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 17 dBm的
HPM ，P
OUT
= 28.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 17 dBm的
HPM ，P
OUT
= 28.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 17 dBm的
HPM ，P
OUT
= 28.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 17 dBm的
V
MODE1
= +1.8 V
通过V
模式
针，V
MODE1
= 1.8 V
通过V
启用
针
通过V
BATT
针，V
MODE1
= +1.8 V
V
BATT
= +4.2 V, V
CC
= +4.2 V
V
启用
= 0 V, V
MODE1
= 0 V
P
OUT
< 28.25 dBm时， V
MODE1
= 0 V
P
OUT
< 17 dBm时， V
MODE1
= +1.8 V
P
OUT
< 28.25 dBm的
杂散输出电平
（所有suprious输出）
负载失配应力，无
失败的永久退化
相三角洲（ HPM - LPM ）
-
-
-70
dBc的
8:1
-
-
10
-
-
VSWR
度
注意事项：
（1）对于操作在V
CC
= 3.1 V，P
OUT
由0.8分贝降额。
（ 2 ） ACLR和效率测量的1950兆赫。
测量2110 MHz至2170 MHz的（ 3 ）噪声。
4
数据表 - 版本2.7
03/2012
AWT6631
表5 ：电气规格 - LTE运营（ RB = 12 ， START = 0 ， QPSK ）
(T
C
= +25 ° C，V
CC
= V
BATT
= +3.4 V, V
启用
= +1.8 V, 50
系统）
参数
工作频率（f ）
RF输出功率（ P最高）
(1)
LTE ， HPM
LTE ， LPM
收益
ACLR E- UTRA
(2)
在± 10 MHz偏移
ACLR1 UTRA
(2)
在± 7.5 MHz偏移
ACLR2 UTRA
(2)
在± 12.5 MHz偏移
功率附加英法fi效率
(2)
噪音排放B34
LTE NS_05小灵通排放
民
1920
26.45
15.2
25
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
27.25
16
27
13
-38
-38
-39
-39
-60
-60
36
22
-38
-48
最大
1980
27.25
16
30
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-35
-42
单位
兆赫
DBM
dB
dBc的
dBc的
dBc的
%
dBm的/
兆赫
dBm的/
300千赫
评论
UMTS波段1
TS 36.101相对8 LTE
HPM ，P
OUT
= 27.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 16 dBm的
HPM ，P
OUT
= 27.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 16 dBm的
HPM ，P
OUT
= 27.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 16 dBm的
HPM ，P
OUT
= 27.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 16 dBm的
HPM ，P
OUT
= 27.25 dBm的
LPM ，P
OUT
= 16 dBm的
2010至2025年兆赫， 100 RB QPSK
在1970年LTE信号中心
兆赫在LTE最大功率
1884.5 - 1919.6 MHz的
P
OUT
≤
27.25 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于在所有工作条件
系统蒸发散
适用于在整个工作范围
杂散输出电平
（所有杂散输出）
负载失配应力随
没有永久退化或
失败
-
-
<-70
dBc的
8:1
-
-
VSWR
注意事项：
（1）对于操作在V
CC
= 3.1 V，P
OUT
由0.8分贝降额。
（ 2 ） ACLR和效率测量的1950兆赫。
5
数据表 - 版本2.7
03/2012
QQ：2881677436 复制
