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HELP2 PCS / CDMA 3.4V / 28dBm的
线性功率放大器模块
TM
AWT6308R
特点
数据表 - 版本2.3
的InGaP HBT技术
高效率:
40 %@ +28 dBm的输出
19 %@ +16 dBm的输出
低静态电流: 15毫安
低漏电流的关断模式: <1
A
内部电压调节
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装:
1 mm
CDMA 1XRTT , 1xEV-DO的标准
引脚排列可方便手机主板迁移
从4毫米×4毫米包装
符合RoHS标准, 250
MSL - 3
o
AW
T
630
8R
应用
M9套餐
8引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
CDMA / EVDO PCS频段无线手机和
数据的设备
产品说明
该AWT6308R满足不断增长的需求
更高的效率和更小的尺寸在CDMA
1X手机。该封装引脚被选择
使手机制造商能够从一个交换机
4毫米×4mm的PA模块与一些布局更改
同时减少电路板面积要求44% 。
该AWT6308R采用ANADIGICS独家InGaP-
加技术,它结合了HBT和pHEMT制
在同一芯片上的设备,以使状态的最先进
可靠性,温度稳定性和耐用性。该
AWT6308R是ANADIGICS的高效率 - 的一部分
在低功耗( HELP )系列CDMA功率
放大器,提供低静态电流,
无需昂贵的外部显著提高效率
DAC或DC-DC变换器。通过可选的偏置
模式下, AWT6308R达到最佳效率
在不同的输出功率电平,具体地
在低收入和中等范围功率水平下的功率放大器
通常工作,从而大大提高
手机的通话时间和待机时间。其内置的
电压调节器省去了外部
电压调节组件。在3毫米x 3毫米x
1毫米表面封装包含匹配
网络的输出功率,效率最佳化,并
线性度在50
系统。
GND
at
蛞蝓(垫)
V
BATT
1
8
V
CC
RF
IN
2
7
RF
OUT
V
模式
3
BIAS
控制
6
GND
V
EN
4
5
GND
图1 :框图
10/2008
AWT6308R
GND
V
BATT
1
8
V
CC
RF
IN
2
7
RF
OUT
V
模式
3
6
GND
V
EN
4
GND
5
图2 :接脚分布(透视顶视图)
GND
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
V
BATT
RF
IN
V
模式
V
EN
GND
GND
RF
OUT
V
CC
描述
电池电压
RF输入
模式控制电压
PA使能电压
RF输出
电源电压
2
数据表 - 版本2.3
10/2008
AWT6308R
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
和V
BATT
)
模式控制电压(V
模式
)
使能电压(V
EN
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
和V
BATT
)
使能电压(V
EN
)
模式控制电压(V
模式
)
RF输出功率(P
OUT
)
外壳温度(T
C
)
1850
+3.2
+2.2
0
+2.2
0
27.5
-30
(1)
典型值
-
+3.4
+2.4
-
+2.4
-
+28.0
-
最大
1915
+4.2
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
+85
单位
兆赫
V
V
V
DBM
°C
评论
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能,才能保证
在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)对于操作在V
cc
= 3.2 V,P
OUT
由0.5分贝降额。
数据表 - 版本2.3
10/2008
3
AWT6308R
表4 :电气规格 - CDMA运营
(T
C
= +25 ° C,V
BATT
= V
CC
= +3.4 V, V
EN
= +2.4 V, 50
系统,IS-95的上行链路波形)
参数
24.5
14
14
典型值
27
16
16
最大
29.5
18
18
单位
评论
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.4 V
P
OUT
= +18 dBm时, V
模式
= +2.4 V,
V
CC
= +3.7 V
收益
dB
邻道功率
在1.25
MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
-
-
-
-51
-58
-52
-46.5
-47
-47
dBc的
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.4 V
P
OUT
= +18 dBm时, V
模式
= +2.4 V,
V
CC
= +3.7 V
邻道功率
在1.98
MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
邻道功率
在2.25
MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
功率附加英法fi效率
静态电流(WinSock )
当前启用
模式控制电流
电池电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
杂散输出电平
(所有杂散输出)
负载失配应力,无
永久退化或失效
-
-
-56
-56
-53
-53
dBc的
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.4 V
-
-
36
16
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-62
-62
40
19
15
0.3
0.3
3
<1
-135
-43
-55
-
-57
-57
-
-
20
0.8
0.8
5
5
-133
-30
-30
2:1
dBc的
%
mA
mA
mA
mA
A
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.4 V
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.4 V
通过V
CC
针,V
模式
= +2.4 V
通过V
EN
脚, PA "on"
通过V
模式
针,V
模式
= +2.4 V
通过V
BATT
针,V
模式
= +2.4 V
V
CC
= +4.2 V, V
EN
= 0 V,
V
模式
= 0 V
dBm / Hz表示1930 MHz至1990 MHz的
dBc的
VSWR
P
OUT
& LT ;
+28 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10:1的
适用于在所有工作范围
适用于在整个工作范围
-
-
-65
dBc的
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
1. ACPRs和效率的限制只有中频。
4
数据表 - 版本2.3
10/2008
AWT6308R
应用信息
为了确保适当的性能,是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知:
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断
通过施加逻辑低电平模式(见操作
范围表),以既在V
REF
和V
模式
电压。
偏置模式
功率放大器可被放置在任何一个低偏置
模式或高偏置模式通过将适当的
逻辑电平(见工作范围表)到V
模式
电压。偏置控制表列出了推荐
操作模式用于各种应用。
表5 :偏置控制
应用
CDMA - 低功耗
CDMA - 高功率
关闭
P
OUT
水平
<+16dBm
> + 16 dBm的
-
逻辑
关闭
V
EN
+2.4 V
+2.4 V
0V
V
模式
+2.4 V
0V
0V
V
BATT
V
CC
C5
2.2F
1
2
C1
1000 pF的
V
BATT
RF
IN
V
模式
V
启用
GND
在塞
V
CC
RF
OUT
8
7
C3
1000 pF的
C4
2.2 F
RF
IN
V
模式
V
启用
3
4
GND
6
GND
5
C6
68 pF的
RF
OUT
C2
0.01F
图3 :应用电路
数据表 - 版本2.3
10/2008
5
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    联系人:杨小姐
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
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