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HELP3 1700 / WCDMA 3.4 V / 28.5 dBm的
HSPA线性功率放大器模块
TM
AWT6282
数据表 - 版本2.2
特点
的InGaP HBT技术
高效率:
42% @ P
OUT
= 28.5 dBm的
20% @ P
OUT
= +16 dBm的
9% @ P
OUT
= 8 dBm的
低静态电流: 8毫安
低漏电流的关断模式: <1
A
内部电压调节器
需要外部参考电压( V无
REF
必需)
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装
符合RoHS的封装, 250
o
MSL - 3
HSPA规定(无补偿)
WCDMA / HSPA AWS频段无线手机
与数据设备
AWT6282R
M20包
10引脚4毫米x 4毫米× 1毫米
表面贴装模块
应用
该AWT6282 HELP3
TM
PA是第三代
WCDMA产品的UMTS手机。该PA
整合了ANADIGICS的HELP3
TM
技术
提供低功耗,而不需要一个
外部电压调节器。该装置被制
采用先进的InGaP HBT MMIC技术产品
国家的最先进的可靠性,温度稳定性和
产品说明
耐用性。有三种可选的偏置模式
能够优化效率,针对不同的输出功率
水平和关机模式与低漏
目前,增加手机的通话和待机时间。该
自足4毫米×4mm的×1毫米的表面贴装
包装采用了优化的匹配网络
输出功率,效率,和在50的线性
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
V
BATT
1
RF
IN
2
10
V
CC
9
8
偏置控制
电压
GND
RF
OUT
GND
GND
V
MODE2
3
V
MODE1
4
V
启用
5
7
6
图1 :框图
11/2008
AWT6282
GND
V
BATT
RF
IN
1
2
10 V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
MODE2
3
V
MODE1
4
V
启用
5
GND
图2 :接脚分布(透视顶视图)
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
BATT
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
启用
GND
GND
RF
OUT
GND
V
CC
描述
电池电压
RF输入
模式控制电压2
模式控制电压1
PA使能电压
RF输出
电源电压
2
数据表 - 版本2.3
11/2008
AWT6282
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
电池电压(V
BATT
)
控制电压(V
MODE1
, V
MODE2
, V
启用
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-40
最大
+5
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
使能电压(V
启用
)
模式控制电压(V
MODE1
,V
MODE2
)
RF输出功率(P
OUT
)
R99 WCDMA , HPM
HSPA (MPR = 0), HPM
R99 WCDMA , LPM
HSPA ( MPR = 0 ) , LPM
外壳温度(T
C
)
1710
+3.2
+2.15
0
+2.15
0
28
(1)
27
(1)
15.5
(1)
14.5
(1)
-30
典型值
-
+3.4
+2.4
-
+2.4
-
28.5
27.5
16
15
-
最大
1785
+4.2
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
28.5
27.5
16
15
+90
单位
兆赫
V
V
V
P
OUT
& LT ;
28.5 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
评论
DBM
3GPP TS 34.121-1 ,相对7
表C.11.1.3
°C
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能,才能保证
在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)对于操作在V
cc
= 3.2 V,P
OUT
由0.5分贝降额。
数据表 - 版本2.3
11/2008
3
AWT6282
表4 :电气规格
(除非另有规定:T已
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
BATT
= +3.4 V, V
启用
= +2.4 V, 50
系统)
25.0
13.0
11.0
-
-
-
-
-
-
(1)
参数
典型值
27.5
15.0
14.0
-41
-45
-44
-56
-55
-57
42
20
9
8
15
0.25
0.2
3.5
最大
30.0
17.5
16.0
-38
-38
-38
-48
-48
-48
-
-
-
12
22
0.8
0.8
5
单位
评论
P
OUT
28.5 dBm的
+16 dBm的
8 dBm的
28.5 dBm的
+16 dBm的
8 dBm的
28.5 dBm的
+16 dBm的
8 dBm的
28.5 dBm的
+16 dBm的
8 dBm的
V
MODE1
0V
2.4 V
2.4 V
0V
2.4 V
2.4 V
0V
2.4 V
2.4 V
0V
2.4 V
2.4 V
V
MODE2
0V
0V
2.4 V
0V
0V
2.4 V
0V
0V
2.4 V
0V
0V
2.4 V
收益
dB
ACLR1在5 MHz偏移
(1)
dBc的
ACLR2在10 MHz偏移
dBc的
功率附加英法fi效率
静态电流(WinSock )
低偏置模式
中等偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
39
17
7
-
-
-
-
-
%
mA
mA
mA
mA
V
MODE1
= +2.4 V, V
MODE2
= +2.4 V
V
MODE1
= +2.4 V, V
MODE2
= 0 V
通过V
模式
销,V
模式
= +2.4 V
通过V
启用
针,V
EN
= +2.4 V
通过V
BATT
针,V
MODE1
= +2.4 V,
V
MODE2
= 2.4 V或0 V
V
BATT
= +4.2 V, V
CC
= +4.2 V,
V
启用
= 0 V, V
MODE1
= 0 V,
V
MODE2
= 0 V
1845 MHz至1880 MHz的
2110 MHz至2155 MHz的
P
OUT
& LT ;
28.5 dBm的
漏电流
-
-
-
-
-
-
<1
-136
-140
-41
-52
-
5
-135
-138
-35
-35
2:1
A
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
dBm / Hz计
dBc的
VSWR
杂散输出电平
(所有杂散输出)
-
-
-70
dBc的
P
OUT
& LT ;
28.5 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10:1的
适用于所有操作系统
条件
适用于在整个工作范围
负载失配应力,无
永久退化或失效
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
(1)的ACLR和效率的测定1747.5兆赫。
4
数据表 - 版本2.3
11/2008
AWT6282
应用信息
为了确保适当的性能,是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知:
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断
通过施加逻辑低电平模式(见操作
范围表)至V
启用
, V
MODE1
和V
MODE2
电压。
偏置模式
功率放大器可被放置在任何一个低偏置
模式或高偏置模式通过将适当的
逻辑电平(见工作范围表)到V
模式
电压。偏置控制表列出了推荐
操作模式用于各种应用。
三种操作模式,建议优化
电流消耗。高偏置/高功率运行
模式是用于P
OUT
水平
> 16 dBm的。在 16dBm的 - 7
dBm时, PA应该是“模式转换”到中等
电源/中等偏置模式。对于P
OUT
各级<
8 dBm时,
该PA可以切换到低功耗/低偏置模式
为甚至更低的静态电流消耗。
表5 :偏置控制
应用
WCDMA - 低功耗
(低偏置模式)
WCDMA - MED电源
(医学偏置模式)
WCDMA - 高功率
(高偏置模式)
可选低V
CC
in
低功耗低偏置
模式
关闭
P
OUT
水平
& LT ;
8 dBm的
7 P
OUT
& LT ;
+16 dBm的
> +16 dBm的
& LT ;
+7 dBm的
-
BIAS
模式
关闭
V
启用
+2.4 V
+2.4 V
+2.4 V
+2.4 V
0V
V
MODE1
+2.4 V
+2.4 V
0V
+2.4 V
0V
V
MODE2
+2.4 V
0V
0V
2.4 V
0V
V
CC
3.2 - 4.2 V
3.2 - 4.2 V
3.2 - 4.2 V
1.5 V
3.2 - 4.2 V
V
BATT
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
V
BATT
V
CC
C5
2.2 F
在RF
V
MODE2
V
MODE1
V
启用
C1
0.01F
1
2
3
4
5
V
BATT
RF
IN
V
MODE2
V
MODE1
V
启用
V
CC
GND
RF
OUT
GND
GND
GND
at
弹头
10
9
8
7
6
C3
0.01F
C4
2.2μF陶瓷
RF OUT
C2
0.01F
10K
可选
下拉
图3 :应用电路原理图
数据表 - 版本2.3
11/2008
5
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