特点
四频GSM / GPRS / EDGE极
功率放大器模块
集成功率控制
数据表 - 版本2.1
aWt6280
内部参考电压
集成的功率控制
的InGaP HBT技术
ESD保护上的所有引脚（ 2.5千伏）
低调1.0毫米
封装尺寸小7毫米X 7毫米
EGPRS可（ 12级）
符合RoHS的封装， 250
o
MSL - 3
AW
T
GMSK模式
+35 dBm的GSM850 / 900输出功率
+33 dBm的DCS / PCS输出功率
55 ％ GSM850 / 900 PAE
52％的DCS / PCS PAE
功率控制范围> 50分贝
边缘模式
+29 dBm的GSM850 / 900输出功率
28.5 dBm的DCS / PCS输出功率
29 ％ GSM850 / 900 PAE
30％的DCS / PCS PAE
-64 dBc的ACPR典型（ 400千赫）
-74 dBc的ACPR典型（ 600千赫）
628
0R
M11包
18引脚7毫米×7毫米× 1.0毫米
表面贴装模块
应用
双/三/四频手机，PDA和
数据的设备
产品说明
该功率放大器模块支持双，三和
四频应用GMSK和8 -PSK调制
采用开环极性architec- LATION方案
真实存在。有两个放大器链，一个用于支持
GSM850 / 900频段，另一个为DCS / PCS频段。
每个扩增链的优化，优良
EDGE的效率，功率，以及在一个极环的线性
环境，同时保持高效率，在
GSM / GPRS的模式。
该模块包括一个内部基准电压
和集成功率控制方案中都使用
GMSK和8-PSK的操作。这有利于快速，
容易制作校准，并降低了数
来完成电源所需的外部元件
控制功能。
功放的功率控制范围通常是55分贝，
与输出功率通过施加一个模拟设定电压
年龄到V
坡道
。所有该设备的RF端口DC
堵塞，内部匹配50 。
DCS / PCS_IN
DCS / PCS
DCS / PCS_OUT
BS
T
X
_en
V
BATT
C
EXT
V
坡道
GSM850/900_IN
偏置/电源
控制
GSM850/900_OUT
GSM850/900
图1 ：框图
11/2008
aWt6280
GND
GND
DCS / PCS_IN
BS
T
X
_en
V
BATT
C
EXT
V
坡道
GSM850/900_IN
1
2
3
4
5
6
7
18
17
16
15
14
13
12
11
DCS / PCS_OUT
GND
GND
N / C
GND
GND
GSM850/900_OUT
8
9
10
图2 ：引脚（X - 射线顶视图）
表1 ：引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
名字
DCS / PCS_IN
BS
TX_EN
V
BATT
C
EXT
V
坡道
描述
DCS / PCS RF输入
频段选择逻辑输入
TX使能逻辑输入
电池供电
连接
绕行
模拟信号用
控制输出功率
针
10
11
12
13
14
15
16
17
18
名字
描述
GND
GSM850 / GSM850 900_OUT / 900 RF输出
GND
GND
N / C
GND
GND
DCS / PCS_OUT
GND
GND
地
地
无连接。别
地
地
地
DCS / PCS RF输出
地
地
GSM850 / GSM850 900_IN / 900 RF输入
GND
GND
地
地
2
数据表 - 版本2.1
11/2008
GND
aWt6280
表3 ：工作条件
参数
外壳温度（T
C
)
电源电压（V
BATT
)
电源的电流
控制电压范围
打开时间（t
ON
)
关闭时间（T
关闭
)
上升时间（T
上升
)
下降时间（T
秋天
)
V
坡道
输入电容
V
坡道
输入电流
占空比
民
-20
3.0
-
0.2
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
3.5
1
-
-
-
-
-
3
-
-
最大
85
4.8
10
1.6
1
1
1
1
-
10
50
单位
°C
V
A
V
s
s
s
s
pF
A
%
评论
V
BATT
= 4.8 V, V
坡道
= 0 V,
TX_EN = LOW
没有RF应用
V
坡道
= 0.2 V ， TX_EN = LOW
Y
高
P
IN
= 5分贝
V
坡道
= 0.2 V ， TX_EN = LOW
Y
高
P
IN
= 5分贝
P
OUT
= P
最大
Y
为-10 dBm （在0.2 dB为单位）
P
OUT
= -10 dBm的
Y
P
最大
（在0.2 dB为单位）
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能，才能保证
在电气规范中定义的条件。
表4 ：数字输入
参数
逻辑高电压
逻辑低电压
逻辑高电流
逻辑低电流
符号
V
IH
V
IL
|I
IH
|
|I
IL
|
民
1.2
-
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
3.0
0.5
30
30
单位
V
V
A
A
表5 ：逻辑控制表
经营模式
GSM850/900
DCS / PCS
PA禁用
Bs
低
高
-
TX_EN
高
高
低
4
数据表 - 版本2.1
11/2008
aWt6280
表6 ：电气特性GSM850 GMSK模式
除非另有规定： V
BATT
= 3.5 V ，P
IN
= 3.0 dBm时，脉冲宽度= 1154
s,
占空比= 25 ％ ，
Z
IN
= Z
OUT
= 50
,
t
C
= 25 ° C，V
坡道
= 1.6 V， BS = LOW ， TX_EN =高
参数
工作频率
输入功率（P
IN
)
输出功率（P
最大
)
降级输出功率
(P
OUT
)
PAE @ P
最大
正向隔离1
正向隔离2
十字隔离
(2F
o
, 3F
o
@ DCS / PCS端口）
二次谐波
三次谐波
N * FO （N >
4), F
o
12.75
GHz的
(
F
IN
)
民
824
0
34.5
32.5
48
-
-
-
-
-
-
典型值
-
3
35.3
33.5
53
-42
-26
-33
-23
-42
-30
最大
849
5
-
-
-
-30
-20
-20
-15
-20
-10
单位
兆赫
DBM
DBM
DBM
%
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
评论
频率= 824至849兆赫
V
BATT
= 3.0 V，T
C
= 85 °C
P
IN
= 0 dBm的
频率= 824至849兆赫
TX_EN = 0 V ，P
IN
= 5 dBm的
TX_EN =高，V
坡道
= 0.2 V
P
IN
= 5 dBm的
P
OUT
< 34.5 dBm的
P
OUT
< 34.5 dBm的
P
OUT
< 34.5 dBm的
P
OUT
< 34.5 dBm的
VSWR = 6 ： 1的所有阶段，P
OUT
< 34.5 dBm的
稳定性
-
-
耐用性
接收噪声功率
输入回波损耗
-
-
-36
-30
DBM
DBM
F
OUT
＆ LT ; 1 GHz的
F
OUT
> 1 GHz的
P
OUT
< 34.5 dBm的
F
TX
= 849 MHz的RBW = 100 kHz时，
F
RX
= 869至894兆赫，P
OUT
< 34.5 dBm的
P
OUT
< 34.5 dBm的
没有永久的退化
驻波比10 ： 1 ，所有相位角
-
-
-86
1.5:1
-84
2.5:1
DBM
VSWR
数据表 - 版本2.1
11/2008
5
QQ：2880707522 复制
