帮助
特点
TM
PCS / WCDMA 3.4 V / 29.5 dBm的
线性功率放大器模块
数据表 - 版本2.1
AWT6276
的InGaP HBT技术
高效率：
45 % @ P
OUT
= 29.5 dBm的
21 % @ P
OUT
= +16 dBm的
16 % @ P
OUT
= +7 dBm的
低静态电流： 15毫安
低漏电流的关断模式： <1
A
V
REF
= 2.85 V（ 2.75 V最小温度过高）
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装
符合RoHS的封装， 250
o
MSL - 3
HSPA规定（无补偿）
WCDMA / HSPA PCS波段无线手机
与数据设备
AWT6276R
应用
M20包
10引脚4毫米x 4毫米× 1毫米
表面贴装模块
产品说明
该AWT6276满足不断增长的需求
更高的输出功率在UMTS手机。在PA
模块的V优化
REF
= 2.85 V，则要求
与QUALCOMM 6275芯片组兼容性。该
设备采用先进的InGaP HBT制造
国家的最先进的MMIC技术产品的可靠性，
温度稳定性和耐用性。可选
偏置模式，优化效率，针对不同的输出
功率水平，以及关断模式，低泄漏
目前，增加手机的通话和待机时间。该
自足4毫米×4mm的×1毫米的表面贴装
包装采用了优化的匹配网络
输出功率，效率，和在50的线性
系统。
GND在蛞蝓（ PAD）
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 ：框图
11/2008
AWT6276
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
模式控制电压（V
模式
)
参考电压（V
REF
)
RF输入功率（P
IN
)
存储温度（T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 ：工作范围
参数
工作频率（f ）
电源电压（V
CC
)
参考电压（V
REF
)
模式控制电压（V
模式
)
RF输出功率（P
OUT
)
R99 WCDMA ， HPM
HSPA （MPR = 0）， HPM
R99 WCDMA ， LPM
HSPA （ MPR = 0 ） ， LPM
外壳温度（T
C
)
民
1850
+3.2
-
+2.75
0
+2.3
0
29
(1)
28
(1)
15.5
(1)
14.5
(1)
-20
典型值
-
+3.4
+1.5
+2.85
-
+2.85
-
29.5
28.5
16
15
-
最大
1910
+4.2
-
+2.95
+0.5
+3.1
+0.5
29.5
28.5
16
15
+110
(2)
单位
兆赫
V
V
V
评论
P
OUT
＆ LT ;
29.5 dBm的
P
OUT
＆ LT ;
7 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
DBM
3GPP TS 34.121-1 ，相对7
表C.11.1.3
°C
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能，才能保证
在电气规范中定义的条件。
注意事项：
（1）对于操作在V
cc
= 3.2 V，P
OUT
由0.5分贝降额。
（2）就动作，在110
o
C（ΔT
C
), P
OUT
由1.0分贝降额。
数据表 - 版本2.1
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AWT6276
表4 ：电气规格
(T
C
= +25 ° C，V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.85 V, 50
系统）
参数
民
24.5
14.0
13.0
-
-
-
-
-
-
40
18
13
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
27.0
16.0
15.0
-41
-40
-40
-56
-52
-58
45
21
16
15
4
0.3
<1
-137
-45
-50
-
最大
29.0
18.0
17.0
-38
-38
-38
-48
-48
-48
-
-
-
22
7
1
5
-135
-35
-35
2:1
单位
评论
P
OUT
= 29.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 29.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 29.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 29.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
V
模式
= +2.85 V, V
CC
= 3.4 V
通过V
REF
针
通过V
模式
针，V
模式
= +2.85 V
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V,
V
模式
= 0 V
收益
dB
ACLR1在5 MHz偏移
(1)
dBc的
ACLR2在10 MHz偏移
dBc的
功率附加英法fi效率
(1)
%
静态电流（WinSock ）
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo ， 4fo
输入阻抗
mA
mA
mA
A
dBm / Hz表示1930 MHz至1990 MHz的
dBc的
VSWR
P
OUT
＆ LT ;
29.5 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于所有操作系统
条件
适用于在整个工作范围
杂散输出电平
（所有杂散输出）
-
-
-70
dBc的
负载失配应力，无
永久退化或失效
10:1
-
-
VSWR
注意事项：
（1）的ACLR和效率的测定在1880兆赫。
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数据表 - 版本2.1
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AWT6276
应用信息
为了确保适当的性能，是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知：
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断
通过施加逻辑低电平模式（见操作
范围表），以既在V
REF
和V
模式
电压。
偏置模式
功率放大器可被放置在任何一个低偏置
模式或高偏置模式通过将适当的
逻辑电平（见工作范围表）到V
模式
电压。偏置控制表列出了推荐
操作模式用于各种应用。
三种操作模式，建议优化
电流消耗。高偏置操作模式是用于
P
OUT
各级>
16 dBm的。在P
OUT
<16dBm的PA应
将“模式切换”，以低偏置模式。对于P
OUT
水平
< 7 dBm时，在V
CC
可以切换到1.5伏（低偏置
模式也被用于此P
OUT
范围内）。
表5 ：偏置控制
应用
WCDMA - 低功耗
WCDMA - MED电源
WCDMA - 高功率
关闭
P
OUT
水平
<+7
DBM
< +16 dBm的
>+16
DBM
-
BIAS
模式
低
低
高
关闭
V
REF
V
模式
V
CC
＆ GT ;
+1.5 V
+2.85 V +2.85 V
+2.85 V +2.85 V +3.2 - 4.2 V
+2.85 V
0V
0V
0V
+3.2 - 4.2 V
+3.2 - 4.2 V
VCC1
VCC2
C1
0.01F
在RF
VMODE
VREF
1
2
3
4
5
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
V
CC
GND
RF
OUT
GND
GND
GND
在塞
10
9
8
7
6
C3
0.01F
C4
2.2μF陶瓷
RF OUT
10K
可选
下拉
C2
0.01F
图3 ：应用电路原理图
数据表 - 版本2.1
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QQ：2880707522 复制
