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AWT6274
帮助
TM
PCS / WCDMA 3.4V /为29dBm
线性功率放大器模块
初步数据表 - 版本1.8
特点
的InGaP HBT技术
高效率:
43 % @ P
OUT
= +29 dBm的
21 % @ P
OUT
= +16 dBm的
15 % @ P
OUT
= +7 dBm的
低静态电流: 15毫安
低漏电流的关断模式: <1
A
V
REF
= 2.85 V( 2.75 V最小温度过高)
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装:
1.1毫米MAX
符合RoHS的封装, 250
o
MSL - 3
HSDPA有能力
双频WCDMA无线手机
双模3GPP无线手机
AWT6274
M20包
10引脚4毫米x 4毫米× 1.1毫米
表面贴装模块
应用
产品说明
该AWT6274满足不断增长的需求
更高的输出功率在UMTS手机。该PA模块
针对V优化
REF
= 2.85 V,则要求
与QUALCOMM 6275芯片组兼容性。该
设备采用先进的InGaP HBT制造
国家的最先进的MMIC技术产品的可靠性,
温度稳定性和耐用性。可选
偏置模式,优化效率,针对不同的输出
功率水平,以及关断模式,低泄漏
目前,增加手机的通话和待机时间。该
自含有4毫米x 4毫米× 1.1mm表面
封装采用优化的匹配网络
对于输出功率,效率,和在50的线性
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 :框图
10/2005
AWT6274
GND
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
1
2
3
4
5
GND
10 V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
图2 :接脚分布(透视顶视图)
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
GND
GND
RF
OUT
GND
V
CC
描述
电源电压
RF输入
模式控制电压
参考电压
RF输出
电源电压
2
初步数据表 - 版本1.8
10/2005
AWT6274
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
模式控制电压(V
模式
)
参考电压(V
REF
)
RF输入功率(P
IN
)
情况下的工作温度
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-30
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+110
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长,则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
参考电压(V
REF
)
模式控制电压(V
模式
)
RF输出功率(P
OUT
)
外壳温度(T
C
)
1850
+3.2
-
+2.75
0
+2.3
0
+28.5
-20
(1)
典型值
-
+3.4
+1.5
+2.85
-
+2.85
-
+29
-
最大
1910
+4.2
-
+2.95
+0.5
+3.1
+0.5
-
+110
(2)
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
°C
评论
P
OUT
< +29 dBm的
P
OUT
< 7 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)对于操作在V
CC
= 3.2 V,P
OUT
由0.5分贝降额。
(2)就动作,在110
o
C(ΔT
C
), P
OUT
由1.0分贝降额。
初步数据表 - 版本1.8
10/2005
3
AWT6274
表4 :电气规格
(T
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.85 V, 50
系统)
参数
24.5
13.5
12
-
-
-
-
-
-
39
18
12
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
27
16
14.5
-42
-42
-40
-56
-52
-58
43
21
15
15
5
0.3
<1
-137
-44
-52
-
最大
29
17.5
16
-38
-38
-38
-48
-48
-48
-
-
-
22
7
1
5
-135
-30
-35
2:1
单位
评论
P
OUT
= +29 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时, V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +29 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时, V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +29 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时, V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +29 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时, V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
V
模式
= +2.85 V, V
CC
= 1.5 V
通过V
REF
通过V
模式
针,V
模式
= +2.85 V
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V,
V
模式
= 0 V
收益
dB
ACLR1在5 MHz偏移
(1)
分贝
ACLR2在10 MHz偏移
(1)
分贝
功率附加英法fi效率
(1)
%
静态电流(WinSock )
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
mA
mA
mA
A
dBm / Hz表示1930 MHz至1990 MHz的
分贝
VSWR
P
OUT
< +29 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10:1的
适用于所有操作系统
条件
适用于在整个工作范围
杂散输出电平
(所有杂散输出)
-
-
-70
分贝
负载失配应力,无
永久退化或失效
10:1
-
-
VSWR
注意事项:
(1)的ACLR和效率的测定在1880兆赫。
4
初步数据表 - 版本1.8
10/2005
AWT6274
应用信息
为了确保适当的性能,是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知:
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断
通过施加逻辑低电平模式(见操作
范围表),以既在V
REF
和V
模式
电压。
偏置模式
功率放大器可被放置在任何一个低
偏置模式或高偏置模式,通过应用
适当的逻辑电平(见工作范围表)
于V
模式
电压。偏置控制表列出了
操作的各种推荐模式
应用程序。
三种操作模式,建议
优化电流消耗。高偏置操作
模式是用于P
OUT
各级> 16 dBm的。在P
OUT
<16dBm,
在PA应该是“模式切换”,以低偏置模式。
对于P
OUT
水平< 7 dBm时,在V
CC
可切换
到1.5V(低偏置模式也用于此P
OUT
范围内)。
表5 :偏置控制
应用
CDMA - 低功耗
CDMA - MED电源
CDMA - 高功率
关闭
P
OUT
LE V ê LS
< + 7 dBm的
< +16 dBm的
> + 16 dBm的
-
BIAS
模式
关闭
V
EF
V
模式
V
CC
> +1.5 V
+2.85 V +2.85 V
+2.85 V +2.85 V +3.2 - 4.2 V
+2.85 V
0V
0V
0V
+3.2 - 4.2 V
+3.2 - 4.2 V
VCC1
VCC2
C1
0.01F
在RF
1
2
3
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
V
CC
GND
RF
OUT
GND
GND
GND
在塞
10
9
8
7
6
C3
0.01F
C4
2.2μF陶瓷
RF OUT
VMODE
VREF
4
5
C2
0.01F
图3 :应用电路原理图
初步数据表 - 版本1.8
10/2005
5
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