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AWT6271
帮助
TM
移动/ WCDMA 3.4V / 28dBm的
线性功率放大器模块
初步数据表 - 版本1.8
特点
的InGaP HBT技术
高效率:
45 % @ P
OUT
= +28 dBm的
20 % @ P
OUT
= +16 dBm的
15 % @ P
OUT
= +7 dBm的
低静态电流: 16毫安
低漏电流的关断模式: <1
A
V
REF
= 2.85 V( 2.75 V最小温度过高)
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装: 1.1
mm最大
符合RoHS的封装, 250
o
MSL - 3
HSDPA有能力
AWT6271
M20包
10引脚4毫米x 4毫米× 1.1毫米
表面贴装模块
应用
双频WCDMA无线手机
双模3GPP无线手机
国家的最先进的MMIC技术产品的可靠性,
温度稳定性和耐用性。可选的偏置
能够优化效率,针对不同的输出功率模式
水平和关机模式与低漏电流,
增加手机的通话和待机时间。自我
含有4毫米x 4毫米× 1.1mm表面
封装采用优化的匹配网络
对于输出功率,效率,和在50的线性
系统。
产品说明
该AWT6271满足不断增长的需求
更高的输出功率在UMTS手机。该PA模块
针对V优化
REF
= 2.85 V,则要求
与QUALCOMM 6250芯片组兼容性。该
设备采用先进的InGaP HBT制造
GND在蛞蝓( PAD)
V
REF
1
10
GND
GND
RF
OUT
GND
V
CC
V
模式
2
GND
3
RF
IN
V
CC
4
偏置控制
9
8
7
5
6
图1 :框图
03/2006
AWT6271
GND
V
REF
1
V
模式
2
GND 3
RF
IN
V
CC
4
5
GND
图2 :接脚分布(透视顶视图)
10 GND
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
V
CC
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
REF
V
模式
GND
RF
IN
V
CC
V
CC
GND
RF
OUT
GND
GND
描述
参考电压
模式控制
RF输入
电源电压
电源电压
RF输出
2
初步数据表 - 版本1.8
03/2006
AWT6271
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
模式控制电压(V
模式
)
参考电压(V
REF
)
RF输入功率(P
IN
)
情况下的工作温度
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-30
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+110
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长,则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
参考电压(V
REF
)
模式控制电压(V
模式
)
RF输出功率(P
OUT
)
外壳温度(T
C
)
824
+3.2
-
+2.75
0
+2.5
0
+27.5
-20
(1)
典型值
-
+3.4
+1.5
+2.85
-
+2.8
-
+28
-
最大
849
+4.2
-
+2.95
+0.5
+3.1
+0.5
-
+110
(2)
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
°C
评论
P
OUT
< +28 dBm的
P
OUT
< 7 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)对于操作在V
CC
= 3.2 V,P
OUT
由0.5分贝降额。
(2)就动作,在110
o
C(ΔT
C
), P
OUT
由1.0分贝降额。
初步数据表 - 版本1.8
03/2006
3
AWT6271
表4 :电气规格
(T
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.85 V, 50
系统)
参数
25
14
13
-
-
-
-
-
-
41
17
12
-
-
-
-
-
典型值
27
16
15
-41
-46
-44
-57
-55
-58
45
20
14.5
16
3.8
0.6
<1
-135
-142
最大
29
18
17
-38
-38
-38
-48
-48
-48
-
-
-
22
5
1
5
-133
-139
单位
评论
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时, V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时, V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时, V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +7 dBm时, V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
V
模式
= +2.85 V, V
CC
= 1.5 V
通过V
REF
通过V
模式
针,V
模式
= +2.85 V
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V,
V
模式
= 0 V
收益
dB
ACLR1在5 MHz偏移
(1)
分贝
ACLR2在10 MHz偏移
分贝
功率附加英法fi效率
(1)
%
静态电流(WinSock )
参考电流
模式控制电流
漏电流
mA
mA
mA
A
噪声接收频段
-
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
869 MHz至894 MHz的
P
OUT
= 27.5 dBm时, V
模式
= 0 V
dBm / Hz计
869 MHz至894 MHz的
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.85 V
-
-
-
-42
-50
-
-30
-30
2:1
分贝
VSWR
P
OUT
< +28 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10:1的
适用于所有操作系统
条件
适用于在整个工作范围
杂散输出电平
(所有杂散输出)
-
-
-70
分贝
负载失配应力,无
永久退化或失效
10:1
-
-
VSWR
注意事项:
(1)的ACLR和效率的测定在836.5兆赫。
4
初步数据表 - 版本1.8
03/2006
AWT6271
应用信息
为了确保适当的性能,是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知:
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断
通过施加逻辑低电平模式(见操作
范围表),以既在V
REF
和V
模式
电压。
偏置模式
功率放大器可被放置在任何一个低
偏置模式或高偏置模式,通过应用
适当的逻辑电平(见工作范围表)
于V
模式
电压。偏置控制表列出了
操作的各种推荐模式
应用程序。
三种操作模式,建议
优化电流消耗。高偏置/高V
CC
操作模式是用于P
OUT
各级> 16 dBm的。在
16dBm的 - 7 dBm时, PA应该是“模式转换”
以低偏置模式。对于P
OUT
水平< 7 dBm时,在V
CC
可以切换到1.5伏(低偏置模式也
用于该P
OUT
范围内)。
表5 :偏置控制
应用
CDMA - 低功耗
CDMA - MED电源
CDMA - 高功率
关闭
P
OUT
LE V ê LS
< + 7 dBm的
7 < P
OUT
< +16 dBm的
> + 16 dBm的
-
BIAS
模式
关闭
V
EF
V
模式
V
CC
> +1.5
+3.4
+3.4
-
+2.85 V +2.85 V
+2.85 V +2.85 V
+2.85 V
0V
0V
0V
V
REF
C2
0.01
F
V
REF
V
模式
V
模式
GND
RF
IN
V
CC1
RF
IN
V
CC1
GND
GND
RF
OUT
GND
V
CC2
C4
0.01
F
GND
在塞
C6
1
F
C7
2.2
F
V
CC2
GND
在塞
RF
OUT
图3 :应用原理
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AWT6271
√ 欧美㊣品
▲10/11+
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