AWT6252
IMT / WCDMA 3.4V / 27.5dBm
线性功率放大器模块
初步数据表 - 版本1.3
特点
的InGaP HBT技术
高效率： 39 ％
低静态电流： 50毫安
低漏电流的关断模式： <1
A
V
REF
= 2.85 V（ 2.75 V最小温度过高）
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装：
1.56毫米最大
AWT6252
应用
双模3GPP无线手机
M7包
10引脚4 ×4× 1.5毫米
表面贴装模块
产品说明
该AWT6252满足不断增长的需求
更高的输出功率在3GPP 1XRTT手机。在PA
模块的V优化
REF
= 2.85 V，要求
用于与QUALCOMM 6250芯片组的兼容性。
该设备采用先进的InGaP制造
HBT MMIC技术，提供先进设备，最先进的
可靠性，温度稳定性和耐用性。
可选的偏置模式，以优化效率
不同的输出功率水平，以及关断模式
低漏电流，提高手机通话和
待机时间。自含4×4× 1.5毫米表面
贴装封装集成匹配网络
对于输出功率，效率，和在一个线性优化
50
系统。
GND在蛞蝓（ PAD）
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 ：框图
03/2004
AWT6252
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
模式控制电压（V
模式
)
参考电压（V
REF
)
RF输入功率（P
IN
)
存储温度（T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长，则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 ：工作范围
参数
工作频率（f ）
电源电压（V
CC
)
参考电压（V
REF
)
模式控制电压（V
模式
)
RF输出功率（P
OUT
)
外壳温度（T
C
)
民
1920
+3.2
+2.75
0
+2.5
0
+27.0
-10
(1)
典型值
-
+3.4
+2.85
-
+2.8
-
+27.5
-
最大
1980
+4.2
+2.95
+0.5
+3.1
+0.5
-
+90
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
°C
评论
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项：
（1）对于操作在T
C
= +90
o
C和V
CC
= 3.2 V，P
OUT
由0.5分贝降额。
初步数据表 - 版本1.3
03/2004
3
AWT6252
表4 ：电气规格
(T
C
= +25 ° C，V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.85 V, 50
系统）
参数
民
24.5
22
17
-
-
-
-
-
-
37
8.5
19
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
26.5
24.5
20.5
-43
-41
-46
-60
-62
-60
39
9.5
21.5
53
3.8
0.3
<1
-139
-45
-50
-
最大
29
27
24
-38
-38
-38
-50
-50
-48
-
-
-
65
5
0.5
5
-137
-30
-30
2:1
单位
评论
P
OUT
= 27.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 27.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 27.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 27.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
V
模式
= +2.85 V
通过V
REF
针
通过V
模式
针，V
模式
= +2.85 V
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V,
V
模式
= 0 V
收益
dB
ACLR1在5 MHz偏移
(1)
分贝
ACLR2在10 MHz偏移
分贝
功率附加英法fi效率
(1)
%
静态电流（WinSock ）
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo ， 4fo
输入阻抗
mA
mA
mA
A
dBm / Hz表示2110 MHz至2170 MHz的
分贝
VSWR
P
OUT
< 27.5 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于所有电压和
温度工作范围
V
CC
= +5.0 V，P
IN
= +5 dBm的
适用于在整个工作
温度范围
杂散输出电平
（所有杂散输出）
-
-
-70
分贝
负载失配应力，无
永久退化或失效
8:1
-
-
VSWR
注意事项：
（ 1 ）和ACLR测量的效率，在1950兆赫。
4
初步数据表 - 版本1.3
03/2004
AWT6252
IMT / WCDMA 3.4V / 27.5dBm
线性功率放大器模块
初步数据表 - 版本1.3
特点
的InGaP HBT技术
高效率： 39 ％
低静态电流： 50毫安
低漏电流的关断模式： <1
A
V
REF
= 2.85 V（ 2.75 V最小温度过高）
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装：
1.56毫米最大
AWT6252
应用
双模3GPP无线手机
M7包
10引脚4 ×4× 1.5毫米
表面贴装模块
产品说明
该AWT6252满足不断增长的需求
更高的输出功率在3GPP 1XRTT手机。在PA
模块的V优化
REF
= 2.85 V，要求
用于与QUALCOMM 6250芯片组的兼容性。
该设备采用先进的InGaP制造
HBT MMIC技术，提供先进设备，最先进的
可靠性，温度稳定性和耐用性。
可选的偏置模式，以优化效率
不同的输出功率水平，以及关断模式
低漏电流，提高手机通话和
待机时间。自含4×4× 1.5毫米表面
贴装封装集成匹配网络
对于输出功率，效率，和在一个线性优化
50
系统。
GND在蛞蝓（ PAD）
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 ：框图
03/2004
AWT6252
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
模式控制电压（V
模式
)
参考电压（V
REF
)
RF输入功率（P
IN
)
存储温度（T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长，则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 ：工作范围
参数
工作频率（f ）
电源电压（V
CC
)
参考电压（V
REF
)
模式控制电压（V
模式
)
RF输出功率（P
OUT
)
外壳温度（T
C
)
民
1920
+3.2
+2.75
0
+2.5
0
+27.0
-10
(1)
典型值
-
+3.4
+2.85
-
+2.8
-
+27.5
-
最大
1980
+4.2
+2.95
+0.5
+3.1
+0.5
-
+90
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
°C
评论
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项：
（1）对于操作在T
C
= +90
o
C和V
CC
= 3.2 V，P
OUT
由0.5分贝降额。
初步数据表 - 版本1.3
03/2004
3
AWT6252
表4 ：电气规格
(T
C
= +25 ° C，V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.85 V, 50
系统）
参数
民
24.5
22
17
-
-
-
-
-
-
37
8.5
19
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
26.5
24.5
20.5
-43
-41
-46
-60
-62
-60
39
9.5
21.5
53
3.8
0.3
<1
-139
-45
-50
-
最大
29
27
24
-38
-38
-38
-50
-50
-48
-
-
-
65
5
0.5
5
-137
-30
-30
2:1
单位
评论
P
OUT
= 27.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 27.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 27.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= 27.5 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +16 dBm时， V
CC
= 1.5 V,
V
模式
= +2.85 V
V
模式
= +2.85 V
通过V
REF
针
通过V
模式
针，V
模式
= +2.85 V
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V,
V
模式
= 0 V
收益
dB
ACLR1在5 MHz偏移
(1)
分贝
ACLR2在10 MHz偏移
分贝
功率附加英法fi效率
(1)
%
静态电流（WinSock ）
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo ， 4fo
输入阻抗
mA
mA
mA
A
dBm / Hz表示2110 MHz至2170 MHz的
分贝
VSWR
P
OUT
< 27.5 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10：1的
适用于所有电压和
温度工作范围
V
CC
= +5.0 V，P
IN
= +5 dBm的
适用于在整个工作
温度范围
杂散输出电平
（所有杂散输出）
-
-
-70
分贝
负载失配应力，无
永久退化或失效
8:1
-
-
VSWR
注意事项：
（ 1 ）和ACLR测量的效率，在1950兆赫。
4
初步数据表 - 版本1.3
03/2004
QQ：2881677436 复制
