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HELP3
特点
TM
1.7主频/ UMTS 3.4 V / 28.5 dBm的
线性功率放大器模块
数据表 - 版本2.3
AWT6243R
的InGaP HBT技术
高效率:
41 % @ P
OUT
= 28.5 dBm的
22 % @ P
OUT
= +16 dBm的(不含DC / DC-
转换器)
AW
T
低静态电流: 9毫安(在低功耗
模式)
低漏电流的关断模式: <1
A
内部电压调节器无需
外部参考电压(V
REF
)
HSPA标准
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装:
1 mm
符合RoHS的封装, 250
o
MSL - 3
WCDMA / HSPA AWS / KPCS波段无线
手机与数据设备
624
3R
M27包
10引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
应用
该AWT6243 HELP3
TM
PA是下一代
WCDMA产品的UMTS手机。该PA
整合了ANADIGICS的HELP3
TM
技术
提供低功耗,而不需要
外部稳压器或DC / DC转换器。
产品说明
该AWT6243是一种先进的制造
的InGaP HBT MMIC技术,提供先进设备,最先进的
可靠性,温度稳定性和耐用性。那里
有两种操作模式,以获得最佳效率,在
高,中/低功率输出水平。关断
低漏电流模式增加手机通话
和待机时间。自含有3毫米× 3毫米x
1毫米表面封装包含匹配
网络的输出功率,效率最佳化,并
线性度在50
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
V
BATT
1
RF
IN
2
V
MODE2
(N / C )
3
V
MODE1
4
V
启用
5
偏置控制
电压
10
V
CC
9
8
7
6
RF
OUT
GND
GND
GND
图1 :框图
04/2009
AWT6243R
图2 :接脚分布(透视顶视图)
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
BATT
RF
IN
描述
电池电压
RF输入
V
MODE2
(N / C )无连接
V
MODE1
V
启用
GND
GND
GND
RF
OUT
V
CC
模式控制电压1
PA使能电压
RF输出
电源电压
2
数据表 - 版本2.3
04/2009
AWT6243R
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
电池电压(V
BATT
)
控制电压(V
MODE1
, V
启用
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-40
最大
+5
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
使能电压(V
启用
)
模式控制电压
(V
MODE1
)
RF输出功率(P
OUT
)
WCDMA版本99 , HPM
HSPA (MPR = 0), HPM
WCDMA版本99 , LPM
HSPA ( MPR = 0 ) , LPM
外壳温度(T
C
)
1710
+3.2
+2.15
0
+2.15
0
28.0
(1)
27.0
(1)
15.5
(1)
14.5
(1)
-20
典型值
-
+3.4
+2.4
-
+2.4
-
28.5
27.5
16
15
-
最大
1785
+4.2
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
28.5
27.5
16
15
+90
单位
兆赫
V
V
V
P
OUT
< +28.5 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
评论
DBM
3GPP TS 34.121-1 ,相对7表
C.11.1.3
C
注意:
(1)对于在V操作
CC
= + 3.2V ,P
OUT
由0.5分贝降额。
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能,才能保证
在电气规范中定义的条件。
数据表 - 版本2.3
04/2009
3
AWT6243R
表4 :电气规格
(T
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
BATT
= +3.4 V, V
启用
= +2.4 V, 50
系统)
参数
25.0
12.0
-
-
-
-
37
18
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8:1
典型值
27.5
14.0
-41
-43
-56
-53
41
22
9.5
0.3
0.35
3.0
<1
-136
-145
-137
-41
-55
2:1
-
-
最大
30.5
17.0
-37.5
-37.5
-48
-48
-
-
14.5
0.8
0.8
5
5
-134
-141
-135
-30
-35
-
-70
-
单位
评论
P
OUT
28.5 dBm的
+16 dBm的
28.5 dBm的
+16 dBm的
28.5 dBm的
+16 dBm的
28.5 dBm的
+16 dBm的
V
MODE1
= +2.4 V
通过V
模式
针,V
MODE1
= +2.4 V
通过V
启用
通过V
BATT
针,V
MODE1
= +2.4 V
V
BATT
= +4.2 V, V
CC
= +4.2 V,
V
启用
= 0 V, V
MODE1
= 0 V
V
MODE1
0V
+2.4 V
0V
+2.4 V
0V
+2.4 V
0V
+2.4 V
收益
ACLR1在5 MHz偏移
(1)
ACLR2在10 MHz偏移
功率附加英法fi效率
(1)
(没有DC / DC转换器)
静态电流(WinSock )
低偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
漏电流
dB
dBc的
dBc的
%
mA
mA
mA
mA
A
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
杂散输出电平
(所有杂散输出)
负载失配应力,无
永久退化或失效
1845至80年兆赫
dBm / Hz表示2110年至2155年兆赫
1574.4 - 1576.4 MHz的
P
OUT
& LT ;
28.5 dBm的
dBc的
VSWR
dBc的
VSWR
见注释2 。
适用于在整个工作范围
注意事项:
(1)的ACLR和效率的测定1747.5兆赫。
2. POUT < +28.5 dBm的;带负载电压驻波比< 5 :1;外的带负载电压驻波比< 10 :1;适用于在所有工作条件。
4
数据表 - 版本2.3
04/2009
AWT6243R
应用信息
为了确保适当的性能,是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知:
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断
通过施加逻辑低电平模式(见操作
范围表)至V
启用
和V
MODE1
电压。
偏置模式
功率放大器可被放置在任何一个低偏置
模式或高偏置模式通过将适当的
逻辑电平(见工作范围表)到V
MODE1
.
偏置控制表列出了推荐的模式
的操作的各种应用。 V
MODE2
为此需要的PA 。
两种操作模式可供选择,以优化
电流消耗。高偏置/高功率运行
模式是用于P
OUT
水平
& GT ;
16 dBm的。在大约16 dBm的
输出功率时, PA的应该是“模式切换”到
中/低功耗模式,以实现最低的静态电流
消费。
表5 :偏置控制
应用
UMTS - 中/低功耗
(低偏置模式)
UMTS - 高功率
(高偏置模式)
可选低V
CC
在低
电源模式
关闭
P
OUT
水平
& LT ;
+16 dBm的
> +16 dBm的
& LT ;
+6 dBm的
-
偏置模式
关闭
V
启用
+2.4 V
+2.4 V
+2.4 V
0V
V
MODE1
+2.4 V
0V
+2.4 V
0V
V
CC
3.2 - 4.2 V
3.2 - 4.2 V
1.5 V
3.2 - 4.2 V
V
BATT
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
> 3.2 V
V
BATT
V
CC
C5
2.2 F
RF
IN
V
MODE1
V
启用
C1
1000 pF的
1
2
3
4
5
V
BATT
RF
IN
V
MODE1
V
启用
V
CC
RF
OUT
GND
GND
GND
at
弹头
10
9
8
7
6
C3
1000 pF的
C4
2.2μF陶瓷
RF OUT
V
MODE2
(N / C ) GND
C6
68 pF的
C2
0.01F
图3 :评估板电路原理图
数据表 - 版本2.3
04/2009
5
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    AWT6243RM27Q7
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