aWt6172
GSM / GPRS / EDGE功率放大器
模块,带集成功率控制
初步数据表 - 1.4版
特点
的InGaP HBT技术
低调1.1毫米
小包装轮廓6 ×6mm的
EGPRS可( 12级)
集成基准电压
GMSK模式
集成的功率控制( CMOS )
+35 dBm的GSM850 / 900输出功率
+33 dBm的DCS / PCS输出功率
55 % GSM850 / 900 PAE
52%的DCS / PCS PAE
功率控制范围> 50分贝
边缘模式
28.5 dBm的GSM850 / 900输出功率
27.5 dBm的DCS / PCS输出功率
-66 dBc的ACPR典型( 400千赫)
-78 dBc的ACPR典型( 600千赫)
产品说明
这四频段功率放大器模块支持双通道,
三和四频段应用的GMSK和
8-PSK调制方案。有两个放大器
链, 1为支持GSM850 / 900频段,另一
对于DCS / PCS频段。
该模块包括一个集成的功率控制
计划在GMSK模式下使用。这有利于
快速和容易制作的校准,并降低了
需要完成的外部元件的数目
的功率控制功能。放大器的功率控制
范围通常55分贝,与输出功率通过设置
施加的模拟电压至V
坡道
.
在EDGE模式下, V
坡道
脚被禁用,任何spe-
cific电压才能进行正确的操作。产量
功率可通过改变输入功率来控制。
所有该设备的RF端口均内部匹配
为50Ω 。
应用
双/三/四频手机, PDA和数据
器件
DCS / PCS_IN
DCS / PCS_OUT
GSM850/900_IN
GSM850/900_OUT
图1 :框图
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表1 :引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
名字
DCS / PCS_IN
BS
TX_EN
V
BATT
V
模式
V
坡道
GSM850/900_IN
V
BIAS
GND
GND
描述
射频输入到DCS / PCS功率放大器。有一个175
在DC前分流电阻
隔直电容来设置输入阻抗
频段选择逻辑引脚。逻辑低电平选择GSM PA和逻辑高电平选择
在DCS / PCS PA
TX使能逻辑引脚为逻辑高电平将使PA
电池供电的连接
对于选择GMSK或8PSK ( EDGE )方式的逻辑引脚。逻辑低电平选择
GMSK模式和逻辑高电平选择8PSK模式
模拟输出功率控制引脚
RF输入至GSM850 / 900 PA 。
V
BIAS
逻辑输入。逻辑低电平设置一个低偏置点活期储蓄低
功率电平,逻辑高台高偏置点的线性会议
PERFOMANCE达到规定的最大线性功率ouptut
地
地
GSM850 / 900_OUT RF输出,用于GSM850 / 900频段( DC阻塞)
GND
GND
GND
GND
GND
DCS / PCS_OUT
GND
GND
GND
地
地
地
地
地
RF输出,用于DCS / PCS频段( DC阻塞)
地
地
地
初步数据表 - 1.4版
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电气特性
表2 :绝对最大额定值
参数
电源电压(V
BATT
)
RF输入功率( RF
IN
)
控制电压(V
坡道
)
存储温度(T
英镑
)
民
-0.5
-
-0.3
-55
最大
+6
12
3.0
150
单位
V
DBM
V
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作不根据这些暗示
条件。暴露于长时间绝对额定值
时间可能会影响可靠性。
表3 : ESD额定值
参数
ESD阈值电压( RF端口)
ESD阈值电压(控制输入)
法
HBM
HBM
等级
2.5
2.5
单位
kV
kV
虽然保护电路被设计成这个设备,适当的预防措施
应当注意避免在处理过程中暴露于静电放电(ESD )和
安装。采用人体模型HBM阻力= 1500Ω ,电容= 100pF的。
表4 :数字输入
参数
逻辑高电压
逻辑低电压
逻辑高电流
逻辑低电流
符号
V
IH
V
IL
|I
IH
|
|I
IL
|
民
1.2
-0.5
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
3.0
0.5
30
30
单位
V
V
A
A
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