AWT6166R
GSM850/GSM900/DCS/PCS
四频功率放大器模块
集成功率控制
特点
集成Vreg的(稳压电源)
谐波性能
≤
-20 dBm的
高效率( PAE),在P最高:
-GSM850 , 53 %
-GSM900 , 55%的
-DCS , 53 %
-pcs , 53 %
在3.5 V +35 dBm的GSM850 / 900输出功率
+33 dBm的DCS / PCS输出功率在3.5 V
55分贝动态范围
GPRS 12级能
符合RoHS的封装, 250 ℃, MSL - 3
数据表 - 版本2.0
应用
双/三/四频手机&掌上电脑
M15包
18引脚6 ×6mm的X 1.3毫米
扩增fi er模块
产品说明
与前几代的AWT6166R
集成的CMOS功率控制方案简化
发射机通过消除需要在设计
对于外部电源控制电路。
的AWT6166R输入和输出端子是
内部匹配到50欧姆,直流阻塞,
V
CC2
减少了外部元件的数量
在最终应用中所需的。这两个PA死了,
GSM850 / 900和DCS / PCS ,使用的是制造
艺术的InGaP HBT技术,即它的状态是
久经考验的可靠性和温度稳定性。
DCS / PCS
IN
B
S
TX
EN
MATCH
MATCH
DCS / PCS
OUT
CMOS BIAS /集成功率控制
V
BATT
C
EXT
V
坡道
V
CC_OUT
H( S)
GSM850/900
IN
MATCH
MATCH
GSM850/900
OUT
V
CC2
图1 :框图
02/2006
AWT6166R
VCC2
GND
DCS / PCS_IN
BS
T
X
_en
VBATT
CEXT
VRAMP
GSM_IN
1
2
3
4
5
6
7
18
17
16
15
14
13
12
11
DCS / PCS_OUT
GND
GND
VCC_OUT
GND
GND
GSM_OUT
8
9
10
图2 :引脚( X射线顶视图)
表1 :引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
描述
针
10
11
12
13
14
15
16
17
名字
GSM_OUT
GND
GND
V
CC_OUT
GND
GND
描述
GSM850 / 900的RF输出
地
地
控制电压输出
必须连接
到V
CC2
地
地
DCS / PCS_IN DCS / PCS RF输入
BS
TX_EN
V
BATT
C
EXT
V
坡道
GSM_IN
V
CC2
频段选择逻辑输入
TX使能逻辑输入
电池供电
连接
绕行
模拟信号用
控制输出功率
GSM850 / 900 RF输入
VCC控制输入
GSM850/900
预扩增fi er
地
VCC 2
GND
DCS / PCS_OUT DCS / PCS RF输出
GND
地
V
CC
为控制输入
DCS / PCS
预扩增fi er
9
GND
18
V
CC2
2
数据表 - 版本2.0
02/2006
AWT6166R
V
CC2
> + 2500 V
<-2500 V
DCS / PCS_IN
> + 2500 V <-2500 V
BS
> + 2500 V <-2500 V
TX_EN
> + 2500 V <-2500 V
V
BATT
> + 2500 V <-2500 V
C
EXT
> + 2500 V <-2500 V
V
坡道
> + 2500 V <-2500 V
GSM_IN
> + 2500 V <-2500 V
GND
1
2
3
4
5
6
7
18
17
16
15
14
DCS / PCS_OUT
> + 2500 V <-2500 V
GND
GND
V
CC_OUT
> + 2500 V <-2500 V
GND
GND
GSM_OUT
> + 2500 V <-2500 V
GND
13
12
11
8
V
CC2
> + 2500 V
<-2500 V
9
GND
10
图3 :引脚的ESD额定值
静电放电敏感度
该AWT6166R部分进行测试,以便确定
每个封装引脚相对于ESD敏感度
地面上。所有的封装引脚经受一个
使用人体模型ESD脉冲事件
在MIL -STD- 883E方法3015.7既概括
极性相对于地面。前置和后置
每个引脚的测试IV特性被记录下来。该
每个引脚的评级要求,它维持ESD
事件并没有显示下降。
4
数据表 - 版本2.0
02/2006