AWT6134
金伯利进程证书制度/ CDMA 3.4V / 28dBm的
线性功率放大器模块
初步数据表 - 版本1.0
特点
的InGaP HBT技术
高效率: 39 %
低静态电流: 48毫安
低漏电流的关断模式: <1
A
V
REF
= 2.8 V( 2.7 V最小温度过高)
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装:
1.56毫米最大
CDMA 1XRTT标准
CDMA 1xEV-DO的标准
应用
韩国PCS CDMA无线手机
M7包
10引脚4mm x 4mm的
表面贴装模块
产品说明
该AWT6134满足不断增长的需求
更高的效率和线性度在CDMA 1XRTT
手机。该PA模块的V优化
REF
= +2.8 V,
用于与高通兼容性的要求
6000芯片组。该器件在一个制造
先进的InGaP HBT MMIC技术产品
国家的最先进的可靠性,温度稳定性和
耐用性。可选的偏置模式,优化
效率为不同的输出功率电平,和一个
关机模式与低漏电流,提高
手机的通话和待机时间。自含式
采用4mm x 4mm表面贴装封装集成
匹配网络的输出功率进行了优化,
效率和线性度在50
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 :框图
07/2003
AWT6134
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
模式控制电压(V
模式
)
参考电压(V
REF
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长,则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
参考电压(V
REF
)
模式控制电压(V
模式
)
RF输出功率(P
OUT
)
外壳温度(T
C
)
民
1750
+3.2
+2.7
0
+2.5
0
+27.5
(1)
-30
典型值
-
+3.4
+2.8
-
+2.8
-
+28.0
-
最大
1780
+4.2
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
+85
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
°C
评论
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)对于操作在T
C
= + 85 ° C和V
CC
= 3.2 V,P
OUT
由0.5分贝降额。
初步数据表 - 版本1.0
07/2003
3
AWT6134
金伯利进程证书制度/ CDMA 3.4V / 28dBm的
线性功率放大器模块
初步数据表 - 版本1.0
特点
的InGaP HBT技术
高效率: 39 %
低静态电流: 48毫安
低漏电流的关断模式: <1
A
V
REF
= 2.8 V( 2.7 V最小温度过高)
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装:
1.56毫米最大
CDMA 1XRTT标准
CDMA 1xEV-DO的标准
应用
韩国PCS CDMA无线手机
M7包
10引脚4mm x 4mm的
表面贴装模块
产品说明
该AWT6134满足不断增长的需求
更高的效率和线性度在CDMA 1XRTT
手机。该PA模块的V优化
REF
= +2.8 V,
用于与高通兼容性的要求
6000芯片组。该器件在一个制造
先进的InGaP HBT MMIC技术产品
国家的最先进的可靠性,温度稳定性和
耐用性。可选的偏置模式,优化
效率为不同的输出功率电平,和一个
关机模式与低漏电流,提高
手机的通话和待机时间。自含式
采用4mm x 4mm表面贴装封装集成
匹配网络的输出功率进行了优化,
效率和线性度在50
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 :框图
07/2003
AWT6134
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
模式控制电压(V
模式
)
参考电压(V
REF
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长,则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
参考电压(V
REF
)
模式控制电压(V
模式
)
RF输出功率(P
OUT
)
外壳温度(T
C
)
民
1750
+3.2
+2.7
0
+2.5
0
+27.5
(1)
-30
典型值
-
+3.4
+2.8
-
+2.8
-
+28.0
-
最大
1780
+4.2
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
+85
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
°C
评论
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)对于操作在T
C
= + 85 ° C和V
CC
= 3.2 V,P
OUT
由0.5分贝降额。
初步数据表 - 版本1.0
07/2003
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