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AWT6134
金伯利进程证书制度/ CDMA 3.4V / 28dBm的
线性功率放大器模块
初步数据表 - 版本1.0
特点
的InGaP HBT技术
高效率: 39 %
低静态电流: 48毫安
低漏电流的关断模式: <1
A
V
REF
= 2.8 V( 2.7 V最小温度过高)
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装:
1.56毫米最大
CDMA 1XRTT标准
CDMA 1xEV-DO的标准
应用
韩国PCS CDMA无线手机
M7包
10引脚4mm x 4mm的
表面贴装模块
产品说明
该AWT6134满足不断增长的需求
更高的效率和线性度在CDMA 1XRTT
手机。该PA模块的V优化
REF
= +2.8 V,
用于与高通兼容性的要求
6000芯片组。该器件在一个制造
先进的InGaP HBT MMIC技术产品
国家的最先进的可靠性,温度稳定性和
耐用性。可选的偏置模式,优化
效率为不同的输出功率电平,和一个
关机模式与低漏电流,提高
手机的通话和待机时间。自含式
采用4mm x 4mm表面贴装封装集成
匹配网络的输出功率进行了优化,
效率和线性度在50
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 :框图
07/2003
AWT6134
GND
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
1
2
3
4
5
GND
10 V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
图2 :接脚分布(透视顶视图)
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
GND
GND
RF
OUT
GND
V
CC
描述
电源电压
RF输入
模式控制电压
参考电压
RF输出
电源电压
2
初步数据表 - 版本1.0
07/2003
AWT6134
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
模式控制电压(V
模式
)
参考电压(V
REF
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长,则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
参考电压(V
REF
)
模式控制电压(V
模式
)
RF输出功率(P
OUT
)
外壳温度(T
C
)
1750
+3.2
+2.7
0
+2.5
0
+27.5
(1)
-30
典型值
-
+3.4
+2.8
-
+2.8
-
+28.0
-
最大
1780
+4.2
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
+85
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
°C
评论
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)对于操作在T
C
= + 85 ° C和V
CC
= 3.2 V,P
OUT
由0.5分贝降额。
初步数据表 - 版本1.0
07/2003
3
AWT6134
表4 :电气规格
(T
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.8 V, 50
系统)
参数
收益
邻道功率
(1)
在± 1.25 kHz偏置
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
邻道功率
(1)
在± 2.25 MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
功率附加英法fi效率
(1)
静态电流(WinSock )
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
1840 MHz至1870年兆赫
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
24
21
典型值
26
23.5
最大
29
27
单位
dB
评论
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
-
-
-49
-52
-46.5
-46.5
分贝
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
-
-
37
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-60
-68
39
9
48
3.5
0.3
<1
-137
-141
-45
-55
-
-57
-57
-
-
60
5
0.5
5
-135
-138
-30
-30
2:1
分贝
%
mA
mA
mA
A
dBm / Hz计
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
V
模式
= +2.8 V
通过V
REF
脚, PA "on"
通过V
模式
针,V
模式
= +2.8 V
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V
V
模式
= 0 V
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
P
OUT
< +28 dBm的
分贝
VSWR
杂散输出电平
(所有杂散输出)
-
-
-65
分贝
P
OUT
< +28 dBm的
带负载电压驻波比< 8:1
外的带负载电压驻波比< 8:1
适用于所有电压和
温度工作范围
V
CC
= +5.0 V,P
IN
= +5 dBm的
适用于在整个工作
温度范围
负载失配应力,无
永久退化或失效
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
( 1 ) ACPR和PAE的限制只适用于中频。
4
初步数据表 - 版本1.0
07/2003
AWT6134
表5 :电气规格
(T
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.9 V, V
模式
= +2.9 V, 50
系统)
参数
收益
邻道功率
(1)
在± 1.25 kHz偏置
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
邻道功率
(1)
在± 2.25 MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
功率附加英法fi效率
(1)
静态电流(WinSock )
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
1840 MHz至1870年兆赫
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
23.5
20
-
-
典型值
25
23.5
-50
-52
最大
28
27
-46.5
-46.5
单位
dB
评论
P
OUT
= +28 dBm的
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +28 dBm的
P
OUT
= +16 dBm的
分贝
-
-
37
8
-
-
-
-
-
-58
-68
40
9
56
3.5
0.3
<1
-135
-56
-57
-
-
68
5
0.5
5
-133
分贝
P
OUT
= +28 dBm的
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +28 dBm的
P
OUT
= +16 dBm的
V
REF
= +2.9 V
通过V
REF
脚, PA "on"
通过V
模式
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V
V
模式
= 0 V
%
mA
mA
mA
A
dBm / Hz表示P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= +2.8 V
-
-
-
-45
-55
-
-30
-30
2:1
分贝
VSWR
P
OUT
< +28 dBm的
带负载电压驻波比< 8:1
外的带负载电压驻波比< 8:1
适用于所有电压和
温度工作范围
V
CC
= +5.0 V,P
IN
= +5 dBm的
适用于在整个工作
温度范围
杂散输出电平
(所有杂散输出)
-
-
-65
分贝
负载失配应力,无
永久退化或失效
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
( 1 ) ACPR和PAE的限制只适用于中频。
初步数据表 - 版本1.0
07/2003
5
AWT6134
金伯利进程证书制度/ CDMA 3.4V / 28dBm的
线性功率放大器模块
初步数据表 - 版本1.0
特点
的InGaP HBT技术
高效率: 39 %
低静态电流: 48毫安
低漏电流的关断模式: <1
A
V
REF
= 2.8 V( 2.7 V最小温度过高)
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装:
1.56毫米最大
CDMA 1XRTT标准
CDMA 1xEV-DO的标准
应用
韩国PCS CDMA无线手机
M7包
10引脚4mm x 4mm的
表面贴装模块
产品说明
该AWT6134满足不断增长的需求
更高的效率和线性度在CDMA 1XRTT
手机。该PA模块的V优化
REF
= +2.8 V,
用于与高通兼容性的要求
6000芯片组。该器件在一个制造
先进的InGaP HBT MMIC技术产品
国家的最先进的可靠性,温度稳定性和
耐用性。可选的偏置模式,优化
效率为不同的输出功率电平,和一个
关机模式与低漏电流,提高
手机的通话和待机时间。自含式
采用4mm x 4mm表面贴装封装集成
匹配网络的输出功率进行了优化,
效率和线性度在50
系统。
GND在蛞蝓( PAD)
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 :框图
07/2003
AWT6134
GND
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
1
2
3
4
5
GND
10 V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
图2 :接脚分布(透视顶视图)
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
GND
GND
RF
OUT
GND
V
CC
描述
电源电压
RF输入
模式控制电压
参考电压
RF输出
电源电压
2
初步数据表 - 版本1.0
07/2003
AWT6134
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
模式控制电压(V
模式
)
参考电压(V
REF
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长,则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
参考电压(V
REF
)
模式控制电压(V
模式
)
RF输出功率(P
OUT
)
外壳温度(T
C
)
1750
+3.2
+2.7
0
+2.5
0
+27.5
(1)
-30
典型值
-
+3.4
+2.8
-
+2.8
-
+28.0
-
最大
1780
+4.2
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
+85
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
°C
评论
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)对于操作在T
C
= + 85 ° C和V
CC
= 3.2 V,P
OUT
由0.5分贝降额。
初步数据表 - 版本1.0
07/2003
3
AWT6134
表4 :电气规格
(T
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.8 V, 50
系统)
参数
收益
邻道功率
(1)
在± 1.25 kHz偏置
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
邻道功率
(1)
在± 2.25 MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
功率附加英法fi效率
(1)
静态电流(WinSock )
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
1840 MHz至1870年兆赫
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
24
21
典型值
26
23.5
最大
29
27
单位
dB
评论
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
-
-
-49
-52
-46.5
-46.5
分贝
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
-
-
37
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-60
-68
39
9
48
3.5
0.3
<1
-137
-141
-45
-55
-
-57
-57
-
-
60
5
0.5
5
-135
-138
-30
-30
2:1
分贝
%
mA
mA
mA
A
dBm / Hz计
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
V
模式
= +2.8 V
通过V
REF
脚, PA "on"
通过V
模式
针,V
模式
= +2.8 V
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V
V
模式
= 0 V
P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= 0 V
P
OUT
= +16 dBm时, V
模式
= +2.8 V
P
OUT
< +28 dBm的
分贝
VSWR
杂散输出电平
(所有杂散输出)
-
-
-65
分贝
P
OUT
< +28 dBm的
带负载电压驻波比< 8:1
外的带负载电压驻波比< 8:1
适用于所有电压和
温度工作范围
V
CC
= +5.0 V,P
IN
= +5 dBm的
适用于在整个工作
温度范围
负载失配应力,无
永久退化或失效
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
( 1 ) ACPR和PAE的限制只适用于中频。
4
初步数据表 - 版本1.0
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AWT6134
表5 :电气规格
(T
C
= +25 ° C,V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.9 V, V
模式
= +2.9 V, 50
系统)
参数
收益
邻道功率
(1)
在± 1.25 kHz偏置
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
邻道功率
(1)
在± 2.25 MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
功率附加英法fi效率
(1)
静态电流(WinSock )
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
1840 MHz至1870年兆赫
谐波
2fo
3fo , 4fo
输入阻抗
23.5
20
-
-
典型值
25
23.5
-50
-52
最大
28
27
-46.5
-46.5
单位
dB
评论
P
OUT
= +28 dBm的
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +28 dBm的
P
OUT
= +16 dBm的
分贝
-
-
37
8
-
-
-
-
-
-58
-68
40
9
56
3.5
0.3
<1
-135
-56
-57
-
-
68
5
0.5
5
-133
分贝
P
OUT
= +28 dBm的
P
OUT
= +16 dBm的
P
OUT
= +28 dBm的
P
OUT
= +16 dBm的
V
REF
= +2.9 V
通过V
REF
脚, PA "on"
通过V
模式
V
CC
= +4.2 V, V
REF
= 0 V
V
模式
= 0 V
%
mA
mA
mA
A
dBm / Hz表示P
OUT
= +28 dBm时, V
模式
= +2.8 V
-
-
-
-45
-55
-
-30
-30
2:1
分贝
VSWR
P
OUT
< +28 dBm的
带负载电压驻波比< 8:1
外的带负载电压驻波比< 8:1
适用于所有电压和
温度工作范围
V
CC
= +5.0 V,P
IN
= +5 dBm的
适用于在整个工作
温度范围
杂散输出电平
(所有杂散输出)
-
-
-65
分贝
负载失配应力,无
永久退化或失效
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
( 1 ) ACPR和PAE的限制只适用于中频。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AWT6134M7P8
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
AWT6134M7P8
ANADIG
24+
5000
(QFN)
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
AWT6134M7P8
AWT
22+
9600
QFN
全新原装现货热卖可长期供货
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电话:13480301972
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AWT6134M7P8
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
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AWT6134M7P8
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联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
AWT6134M7P8
AWT
24+
4000
QFN
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
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