【AWT6131PCS / CDMA 3.5V /为29dBm线性功率放大器模块初步数据表 - 版本1】,IC型号AWT6131,AWT6131 PDF资料,AWT6131经销商,ic,电子元器件-51电子网

AWT6131

PCS / CDMA 3.5V /为29dBm

线性功率放大器模块

初步数据表 - 版本1.0

特点

的InGaP HBT技术

高效率： 37 ％

低静态电流： 50毫安

低漏电流的关断模式： <1

优化用于一个50

系统

低调微型表面贴装封装：

1.56毫米最大

CDMA 1XRTT标准

CDMA 1xEV-DO的标准

应用

PCS CDMA无线手机

双频CDMA无线手机

三模CDMA手机具有GPS

M7包

10引脚4mm x 4mm的

表面贴装模块

产品说明

该AWT6131提供额外的输出功率

保证金RF设计人员需要克服更多的

在三模手机设计后PA插入损耗

支持E911 （GPS启用）。该装置是

采用先进的InGaP HBT MMIC制造

技术提供先进设备，最先进的可靠性，

温度稳定性和耐用性。可选

偏置模式，优化效率，针对不同的输出

功率水平，以及关断模式，低泄漏

目前，增加手机的通话和待机时间。该

自包含的4mm x 4mm表面贴装封装

采用了优化的输出匹配网络

的功率，效率，和在50的线性

系统。

GND在蛞蝓（ PAD）

GND

偏置控制

GND

OUT

GND

模式

REF

图1 ：框图

11/2002

AWT6131

GND

模式

REF

GND

图2 ：接脚分布（透视顶视图）

10 V

GND

OUT

GND

表1 ：引脚说明

针

名字

GND

模式

REF

GND

OUT

GND

描述

电源电压

RF输入

地

模式控制电压

参考电压

地

RF输出

地

电源电压

初步数据表 - 版本1.0

11/2002

AWT6131

电气特性

表2 ：绝对最小和最大额定值

参数

电源电压（V

)

模式控制电压（V

模式

)

参考电压（V

REF

)

RF输入功率（P

)

存储温度（T

英镑

)

民

-40

最大

+3.5

+10

+150

单位

分贝米

°C

过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的

损害。功能操作并不在这些条件下暗示。

暴露在绝对额定值的时间过长，则可能

产生不利影响的可靠性。

表3 ：工作范围

参数

工作频率（f ）

电源电压（V

)

参考电压（V

REF

)

模式控制电压（V

模式

)

RF输出功率（P

OUT

)

外壳温度（T

)

民

1850

+3.2

+2.8

+2.5

+29.0

-30

典型值

+3.5

+2.9

最大

1910

+4.2

+3.1

+0.5

+3.1

+0.5

+85

单位

兆赫

分贝米

PA "on"

PA "shut down"

低偏置模式

高偏置模式

该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能有保证

仅在电气规范中定义的条件。

初步数据表 - 版本1.0

11/2002

AWT6131

表4 ：电气规格

= +25 ° C，V

= +3.5 V, V

REF

= +2.9 V, 50

系统）

参数

收益

邻道功率

在± 1.25 kHz偏置

主通道带宽= 1.23 MHz的

邻道BW = 30 kHz的

邻道功率

在± 2.25 MHz偏移

主通道带宽= 1.23 MHz的

邻道BW = 30 kHz的

功率附加英法fi效率

静态电流（WinSock ）

参考电流

模式控制电流

漏电流

噪声接收频段

谐波

2fo

3fo ， 4fo

输入阻抗

民

23.5

典型值

-48

-50

最大

27.5

-46.5

单位

OUT

= +29 dBm时， V

模式

= 0 V

OUT

= +16 dBm时， V

模式

= +2.9 V

OUT

= +29 dBm时， V

模式

= 0 V

OUT

= +16 dBm时， V

模式

= +2.9 V

35.5

6.5

-61

-65

7.5

6.5

0.3

-135

-40

-55

-57

0.5

-133

-30

2:1

OUT

= +29 dBm时， V

模式

= 0 V

OUT

= +16 dBm时， V

模式

= +2.9 V

OUT

= +29 dBm时， V

模式

= 0 V

OUT

= +16 dBm时， V

模式

= +2.9 V

模式

= +2.9 V

通过V

REF

针

通过V

模式

针

= +4.2 V, V

REF

= 0 V

模式

= 0 V

dBm / Hz表示1930 MHz至1990 MHz的

分贝

VSWR

OUT

< +29 dBm的

带负载电压驻波比< 8:1

外的带负载电压驻波比< 8:1

适用于所有电压和

温度工作范围

= +5.0 V，P

= +5 dBm的

适用于在整个工作

温度范围

杂散输出电平

（所有杂散输出）

-65

分贝

负载失配应力，无

永久退化或失效

8:1

VSWR

初步数据表 - 版本1.0

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AWT6131

性能数据

图3 ： PAE与频率的关系

OUT

= +29 dBm的高偏置模式

= +25 ° C，V

= +3.4 V, V

REF

= +2.9 V, V

模式

= 0 V)

40.0

39.5

-45.00

39.0

ACPR （分贝）

图4 ： ACP1与频率的关系

OUT

= +29 dBm的高偏置模式

= +25 ° C，V

= +3.4 V, V

REF

= +2.9 V, V

模式

= 0 V)

-44.00

PAE （％）

38.5

38.0

37.5

37.0

36.5

36.0

1850兆赫

1880兆赫

频率

-30deg

25deg

85deg

-46.00

-47.00

-48.00

-49.00

-50.00

1910兆赫

1850兆赫

1880兆赫

频率

-30deg

25deg

85deg

1910兆赫

图5 ： ACP2与频率的关系

OUT

= +29 dBm的高偏置模式

= +25 ° C，V

= +3.4 V, V

REF

= +2.9 V, V

模式

= 0 V)

-52.00

-53.00

-54.00

-55.00

ACPR （分贝）

图6 ： PAE与频率的关系

OUT

= +16 dBm时，低偏置模式

= +25 ° C，V

= +3.4 V, V

REF

= +2.9 V, V

模式

= +2.9 V)

8.4

8.2

8.0

-56.00

-57.00

-58.00

-59.00

PAE （％）

1850兆赫

1880兆赫

频率

-30deg

25deg

85deg

7.8

7.6

7.4

-60.00

-61.00

1910兆赫

7.2

7.0

1850兆赫

1880兆赫

频率

-30deg

25deg

85deg

1910兆赫

图8 ： ACP2与频率的关系

图7 ： ACP1与频率的关系

OUT

= +16 dBm时，低偏置模式

OUT

= +16 dBm时，低偏置模式

= +25 ° C，V

= +3.4 V, V

REF

= +2.9 V, V

模式

= +2.9 V)

= +25 ° C，V

= +3.4 V, V

REF

= +2.9 V, V

模式

= +2.9 V)

-44.00

-45.00

-46.00

-47.00

-62.00

ACPR （分贝）

-58.00

-60.00

ACPR （分贝）

-48.00

-49.00

-50.00

-51.00

-52.00

-53.00

-54.00

1850兆赫

1880兆赫

频率

-30deg

25deg

85deg

-64.00

-66.00

-68.00

-70.00

-72.00

1910兆赫

-74.00

1850兆赫

1880兆赫

频率

-30deg

25deg

85deg

1910兆赫

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全新原装现货，原厂代理。

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