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AWT6114
金伯利进程证书制度的CDMA 3.4V / 28dBm的
线性功率放大器模块
先进的产品资料 - 冯0.0
特点
的InGaP HBT技术
高效率： 37 ％
低静态电流： 55毫安
低漏电流的关断模式： <5
A
优化用于一个50
系统
低调微型表面贴装封装
CDMA 1XRTT标准
CDMA 1xEV-DO的标准
应用
韩国PCS频段CDMA无线手机
M7包
10引脚4mm x 4mm的
表面贴装模块
产品说明
该AWT6114是一种高功率，高效率
韩国PCS频段的CDMA功率放大器模块
无线手持设备应用。该装置是
采用先进的InGaP HBT MMIC制造
技术提供先进设备，最先进的可靠性，
温度稳定性和耐用性。可选
偏置模式，优化效率的不同
输出功率水平，以及关断模式，低
漏电流，有助于提高手机的通话与
待机时间。自包含的4mm x 4mm
表面封装包含匹配
网络的输出功率，效率和优化
线性度在50
系统。
GND在蛞蝓（ PAD）
V
CC
RF
IN
GND
1
2
3
偏置控制
10
V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
V
模式
4
V
REF
5
图1 ：框图
05/2002
AWT6114
GND
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
1
2
3
4
5
GND
图2 ：接脚分布（透视顶视图）
10 V
CC
9
8
7
6
GND
RF
OUT
GND
GND
表1 ：引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
CC
RF
IN
GND
V
模式
V
REF
GND
GND
RF
OUT
GND
V
CC
描述
电源电压
RF输入
地
模式控制电压
参考电压
地
地
RF输出
地
电源电压
2
先进的产品资料 - 冯0.0
05/2002
AWT6114
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
电源电压（V
CC
)
模式控制电压（V
模式
)
参考电压（V
REF
)
RF输入功率（P
IN
)
存储温度（T
英镑
)
民
0
0
0
-
-40
最大
+5
+3.5
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
分贝米
°C
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作并不在这些条件下暗示。
暴露在绝对额定值的时间过长，则可能
产生不利影响的可靠性。
表3 ：工作范围
参数
工作频率（f ）
电源电压（V
CC
)
参考电压（V
REF
)
模式控制电压（V
模式
)
RF输出功率（P
OUT
)
外壳温度（T
C
)
民
1750
+3.0
+2.75
0
+2.5
0
-
-30
典型值
-
+3.4
+2.85
-
+2.85
-
+28.0
-
最大
1780
+4.2
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
+110
单位
兆赫
V
V
V
分贝米
o
评论
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
C
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
先进的产品资料 - 冯0.0
05/2002
3
AWT6114
表4 ：电气规格
(T
C
= +25 ° C，V
CC
= +3.4 V, V
REF
= +2.85 V, 50
系统）
参数
收益
邻道功率
在± 1.25 MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
邻道功率
在± 2.25 MHz偏移
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
功率附加英法fi效率
静态电流（WinSock ）
参考电流
模式控制电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo ， 4fo
输入阻抗
民
-
-
-
-
典型值
29
27
-52
-48
最大
-
-
-
-
单位
dB
评论
P
OUT -
+28 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT -
+16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +28 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT -
+16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
dB
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-59
-62
37
7.5
55
7
0.35
<5
-135
-41
-65
-
-
-
-
-
-
10
0.7
-
-
-30
-30
2:1
dB
P
OUT
= +28 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT -
+16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
P
OUT
= +28 dBm时， V
模式
= 0 V
P
OUT -
+16 dBm时， V
模式
= +2.85 V
V
模式
= +2.85 V
通过V
REF
针
通过V
模式
针
V
CC
= +3.4 V, V
REF
= 0 V,
V
模式
= 0 V
1840 MHz至1870MHz
%
mA
mA
mA
A
dBm / Hz计
分贝
VSWR
P
OUT
< + 28 dBm的
带负载电压驻波比< 8:1
外的带负载电压驻波比< 8:1
适用于所有电压和
温度工作范围
V
CC
= +5.0 V，P
IN
= +5 dBm的
适用于在整个工作
温度范围
杂散输出电平
（所有杂散输出）
-
-
-70
分贝
负载失配应力，无
永久退化或失效
8:1
-
-
VSWR
4
先进的产品资料 - 冯0.0
05/2002
AWT6114
应用信息
为了确保适当的性能，是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知：
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断
通过施加逻辑低电平模式（见操作
范围表），以既在V
REF
和V
模式
电压。
偏置模式
功率放大器可被放置在任何一个低
偏置模式或高偏置模式，通过应用
适当的逻辑电平（见工作范围表）
于V
模式
电压。偏置控制表列出了
操作的各种推荐模式
应用程序。
表5 ：偏置控制
应用
CDMA - 低功耗
CDMA - 高功率
关闭
P
OUT
LE V ê LS
< + 16 dBm的
> + 16 dBm的
-
BIAS
模式
低
高
关闭
V
EF
V
模式
+2.85 V +2.85 V
+2.85 V
0V
0V
0V
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5
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