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AWS5522
0.5至2.5 GHz SPDT开关
先进的产品资料 - 冯0.1
特点
低插入损耗:0.5分贝2 GHz的
高隔离: > 25分贝
低谐波含量: < -65 dBc的
低控制电压操作:至+2.5 V
薄型表面贴装封装
AW
S55
22
应用
GSM无线手机和
前端模块
CDMA无线手机和
前端模块
D1
DIE
S26套餐
12引脚MLF
采用3mm x 3mm
产品说明
该AWS5522是一个单刀双掷( SPDT )
RF开关开发,以满足严格的
GSM和CDMA系统的要求。
在ANADIGICS的先进设备,最先进的制造
pHEMT工艺,该器件采用正在申请专利
电路拓扑,以提供低插入损耗,高
端口至端口隔离,需要高线性度
增强的无线手持机无线电性能。
该AWS5522提供既用MMIC管芯和在
12引线3mm x 3mm的MLF封装。
VS1
RFC
VS2
RF1
RF2
RF1G
V1
V2
RF2G
图1 :框图
12/2002
AWS5522
表1:垫描述
名字
RF1
VS1
描述
常见的端口偏见
电压(逻辑高电平)
RF端口, 1路
控制电压
RF路径1
控制电压
RF路径2
RF端口, 2路
常见的端口偏见
电压(逻辑高电平)
RF通用端口
VS1
RF1G
RF1
RF1G
V1
RFC
V2
V1
V2
RF2G
RF2G
RF2
RF2
VS2
VS2
RFC
尺寸
m.
邦德片: 100微米x75μm
模具厚度: 178μm
没有背面的金属。
图2 :模具结构
表2 :引脚说明
NC RFC VS2
12
11
10
名字
RF1
V1
描述
RF端口, 1路
控制电压
RF路径1
控制电压
RF路径2
RF端口, 2路
常见的端口偏见
电压(逻辑高电平)
RF通用端口
无连接
2
4
NC
RF1
GND
1
2
3
9
8
7
NC
RF2
GND
6
8
10
V2
RF2
VS2
RFC
GND
NC
4
5
6
V2
V1 NC
11
3, 7
1, 5, 9, 12
图3 :包装设备
接脚分布(透视顶视图)
2
先进的产品资料 - 冯0.1
12/2002
AWS5522
电气特性
表3 :绝对最小和最大额定值
参数
常见的端口偏置电压( V
S
)
控制电压(V
1
, V
2
)
RF输入功率(P
IN
)
储存温度
(2)
-0.2
-0.2
-
-65
最大
+8.0
+8.0
10
+150
单位
V
V
W
°C
在RF1 , RF2和RFC
评论
在VS1 VS2或
(1)
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。功能操作不
在这些条件下暗示。接触的时间可能不利长时间绝对额定值
影响可靠性。
注意事项:
(1) VS1和VS2的端口可以保持开路,而不会损坏该装置。
( 2 )存储温度范围适用于已经从ANADIGICS删除后,才模
运送材料。 (该限制适用于在任何时候都为封装器件)。
3. RF1 , RF2和RFC端口应该是交流耦合。无需外部直流偏置应适用。
表4 :工作范围
参数
RF频率(f )
常见的端口偏置电压( V
S
)
控制电压(V
1
, V
2
)
环境温度(T
A
)
0
+2.5
-30
0.5
典型值
-
(1)
最大
2.5
单位
GHz的
评论
适用于任何VS1
或VS2口
+0.2
+3.5
+85
V
°C
RF路径OFF状态
ON状态RF路径
-
-
-
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能,才能保证
在电气规范中定义的条件。
注意事项:
(1)为了获得最佳的线性度性能,通用端口偏置电压(V
S
)应设置为所使用的相同的控制电压
以接通任一单独的RF路径。该VS1和VS2的端口可以保持开路,而不会损坏
设备,但在某些线性退化。
先进的产品资料 - 冯0.1
12/2002
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AWS5522
表5 :电气规格 - 无包装模具
(T
A
= +25
°
℃;终止了与50个射频端口
; V
n
= 2.7 V ,是控制电压
在路径上, RFC-的RFn ; V
x
= 0伏,是在控制电压为OFF路径, RFC-的RFx )
参数
插入损耗
1 GHz的
2 GHz的
回波损耗
(1)
1 GHz的
2 GHz的
隔离
1 GHz的
2 GHz的
输入三阶截
(2)
800兆赫蜂窝频段
1900 MHz的PCS频段
二次谐波抑制
(3)
1 GHz的
2 GHz的
第三谐波抑制
(3)
1 GHz的
2 GHz的
消耗电流
-
-
典型值
0.4
0.5
最大
0.6
0.8
单位
dB
评论
RFC端口选择端口的RFn
-
-
-30
-32
-20
-20
dB
RFC端口,选择端口的RFn
25
25
27
27
-
-
dB
RFC端口隔离的RFx端口
-
-
+60
+59
-
-
DBM
RFC端口选择端口的RFn
-
-
-79
-78
-65
-65
dBc的
P
IN
= +34 dBm的
P
IN
= +32 dBm的
-
-
-
-
-88
-81
-
-
-65
-65
30
5
dBc的
A
A
P
IN
= +34 dBm的
P
IN
= +32 dBm的
每个Vn的端口
VS1 VS2或端口
注意事项:
(1)所述的分离的RFx端口具有大约-3dB的回波损耗。
( 2 )对于蜂窝频段,两个音调与P
IN
=每22.5 dBm时,在900.0和900.1兆赫。对于PCS频段,两个音
与P
IN
=每+21 dBm时,在1900.0和1900.1兆赫。
(3) V
s
= V
n
表6 :开关控制真值表
控制电压
V
1
+2.5 +3.5至V
0至+0.2 V
V
2
0至+0.2 V
+2.5至+ 3.5V
RF路径选择
RFC - RF1
ON
关闭
RFC - RF2
关闭
ON
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AWS5522
表7 :电气规格 - 包装设备
(T
A
= +25
°
℃;终止了与50个射频端口
; V
n
= 2.7 V ,是控制电压
在路径上, RFC-的RFn ; V
x
= 0伏,是在控制电压为OFF路径, RFC-的RFx )
参数
插入损耗
1 GHz的
2 GHz的
回波损耗
(1)
1 GHz的
2 GHz的
隔离
1 GHz的
2 GHz的
输入三阶截
(2)
800兆赫蜂窝频段
1900 MHz的PCS频段
二次谐波抑制
(3)
1 GHz的
2 GHz的
第三谐波抑制
(3)
1 GHz的
2 GHz的
消耗电流
-
-
典型值
0.4
0.5
最大
-0.6
-0.8
单位
dB
评论
RFC端口选择端口的RFn
-
-
-28
-33
-20
-20
dB
RFC端口,选择端口的RFn
25
25
27
27
-
-
dB
RFC端口隔离的RFx端口
-
-
+60
+59
-
-
DBM
RFC端口选择端口的RFn
-
-
-75
-76
-65
-65
dBc的
P
IN
= +34 dBm的
P
IN
= +32 dBm的
-
-
-
-
-70
-74
-
-
-65
-65
30
5
dBc的
A
A
P
IN
= +34 dBm的
P
IN
= +32 dBm的
每个Vn的端口
VS2口
注意事项:
(1)所述的分离的RFx端口具有大约-3dB的回波损耗。
( 2 )对于蜂窝频段,两个音调与P
IN
=每22.5 dBm时,在900.0和900.1兆赫。对于PCS频段,两个音
与P
IN
=每+21 dBm时,在1900.0和1900.1兆赫。
(3) V
s
= V
n
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