AWS5516
砷化镓IC
SPDT开关反光DC- 2.0 GHz的
初步数据表 - 版本1.2
特点
高线性度（ IP3 48 dBm的@ 0.9 GHz的）
低插入损耗（ 0.4分贝@ 0.9 GHz的）
2.7 V至6V工作
低DC功耗
超小型SOT- 26封装
高隔离度
应用
发送/接收开关
分集开关
天线选择
产品说明
该AWS5516是一个单刀双掷（ SPDT ）
砷化镓MMIC开关采用SOT- 26塑料组装
封装。该AWS5516是专为应用程序
要求低插入损耗，高隔离度，高
线性度和小尺寸。该开关是可以控制的
具有正，负，或两者的组合
电压。
S14
SOT-26
6引脚塑料封装
表1 ：引脚说明
针
Vs
C
3
RF
ü牛逼1
(J2)
GND
RF
ü牛逼2
(J3)
可选的RS
见注3
RF
I N
(J1)
功能
RF
出1
(J2)
GND
RF
输出2
(J3)
V2
RF
IN
(J1)/Vs
V1
描述
RF端口可以被用作输入或输出。
接地连接。保持尽可能的短。
RF端口可以被用作输入或输出中。
控制电压2 ，低0V ，高3V至5V
射频公共端口和偏置电压为正
控制（ 3V至5V ） 。
控制电压1 ，低0V ，高3V至5V
1
2
3
4
5
6
1
2
3
C
2
6
5
V1
C
1
4
V2
图1 ：引脚布局
注意事项：
1.隔直流电容器C1,2,3和可选的电阻Rs必须由外部提供。
2. C1,2,3 = 100 pF的操作>500MHz 。
3.使用电阻器Rs的到正电压源是可选的。如果有必要，仅需要
独立地控制所述RF端口，例如选择两个端口为OFF的同时。
01-03
AWS5516
电气特性
表2 ：绝对最小和最大额定值
参数
RF输入功率
> 900兆赫，V控制
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
民
-
-0.2
-40°
-65
-
最大
6
+8
+85
+150
25°
单位
W
V
°C
°C
C / W
过量的绝对收视率的压力可能会导致永久性的
损害。功能操作不根据这些暗示
条件。暴露于长时间绝对额定值
时间可能会影响可靠性。
表3 ：操作范围在25℃下
参数
交换性On WANG Zeng
2
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 90 /10％ RF）
视频馈通
2音功率13dBm的到27dBm的
（选择以优化测试的动态范围）
频率
民
典型值
100
100
100
最大
单位
nS
nS
mV
交调截取点（ IP3 ）
V
CTL
= 2.7V
V
CTL
= 5.0V
1.0 GHz的
1.8 GHz的
1.0 GHz的
1.8 GHz的
1.0 GHz的
1.8 GHz的
1.0 GHz的
1.8GHz
1 & 1.8 GHz的
+45
+42
+55
+52
+48
+46
+61
+56
+28
+27
+37
+37
-75
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dBc的
6
50
75
V
A
A
输入功率的1dB压缩
V
CTL
= 2.7V
V
CTL
= 5.0V
谐波电平
控制电压（V
CTL
)
3
漏电流
输入功率= 30 dBm时， V
CTL
= 5.0V
额定工作电压
V
CTL
= 2.7V
V
CTL
= 5.0V
2.7
该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能有保证
仅在电气规范中定义的条件。
注意事项：
1.所有的测量在一个50欧姆的系统，除非其他指定。
与1 ns的测量2.视频馈通上升时间脉冲和500 MHz的带宽。
3. VCTL是差分电压从V1到V2的绝对值。改变极性选择开关路径
如下面的真值表来定义。在公共端口限制VHIGH到VS ±使用可选的电阻Rs
0.2V
2
初步数据表 - 版本1.2
08/2001
AWS5516
表4 ：电气规格在25 ° C（ VCTL = 2.7V ）
参数
1
插入损耗
隔离
VSWR
3
3
频率
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
0.5 - 2.0 GHz的
2
民
典型值
0.35
0.45
最大
0.45
0.55
单位
dB
dB
25
22
32
24
1.4:1
dB
注意事项：
1，一种在50进行的所有测量
系统中，除非其它说明。
2， DC = 300千赫
3.低插入损耗的路径。
表5 ：真值表
V
1
V
低
V
高
V
2
V
高
V
低
J
1
- J
2
隔离
低损耗
J
1
- J
3
低损耗
隔离
V
CTL
= V
高
– V
低
= 2.7V至8V （V
高
= VS时使用普通端口卢比± 0.2V ）。
初步数据表 - 版本1.2
08/2001
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