【特点四频GSM / GPRS / EDGE功率放大器模块集成功率控制数据表 - 版本】,IC型号AWE6159RM46P8,AWE6159RM46P8 PDF资料,AWE6159RM46P8经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

四频GSM / GPRS / EDGE

功率放大器模块

集成功率控制

数据表 - 版本2.2

aWe6159r

内部参考电压

集成的功率控制

的InGaP HBT技术

ESD保护上的所有引脚（ 2.5千伏）

自动V

BATT

跟踪

低调1.0毫米

小包装外形为5mm× 5毫米

EGPRS可（ 12级）

符合RoHS的封装， 250

MSL - 3

无卤

159

GMSK模式

集成的功率控制（ CMOS ）

+35 dBm的GSM850 / 900输出功率

+33 dBm的DCS / PCS输出功率

53 ％的GSM 850/900 PAE

49％的DCS / PCS PAE

功率控制范围> 50分贝

边缘模式

+29 dBm的GSM850 / 900输出功率

28.5 dBm的DCS / PCS输出功率

28 ％ GSM850 / 900 PAE

28 ％ DCS / PCS PAE

64分贝典型的ACPR （ 400千赫）

74分贝典型的ACPR （ 600千赫）

M46包

11引脚5 x 5毫米X 1.0毫米

表面贴装模块

应用

此外，该功率控制功能包括

电池检测电路，用于强大的ORFS瞬态

频谱性能在低电池电压。

该放大器？的功率控制范围一般

55分贝，随着输出功率通过将设置

模拟电压至V

坡道

。所有的RF端口

此设备内部匹配到50

双/三/四频手机和PDA

双/三/四频无线数据卡

产品说明

该功率放大器模块支持双，三和

四频应用GMSK和8 -PSK调制

使用极性架构LATION方案。有

2放大器链，一个支持GSM850 / 900

带，其他为DCS / PCS频段。每个扩增

化链条优秀EDGE效率进行了优化，

功率和线性度，同时极地循环环境

保持高效率，在GSM / GPRS的模式。

该模块包括一个内部基准电压

和集成功率控制方案中都使用

GMSK和8-PSK的操作。这有利于快速，

容易制作校准，并降低了数

来完成电源所需的外部元件

控制功能。

DCS / PCS_IN

DCS / PCS

DCS / PCS_OUT

_en

BATT

坡道

GSM850/900_IN

GSM850/900_OUT

偏置/电源

控制

GSM850/900

图1 ：框图

01/2012

AWE6159R

RFIN_DCS

_en

BATT

坡道

DCS_OUT

VCC_OUT

GND

N / C

GND

RFIN_GSM

GSM_OUT

图2 ：引脚（X - 射线顶视图）

表1 ：引脚说明

针

名字

RFIN_DCS

TX_EN

BATT

坡道

N / C

描述

DCS RF输入

频段选择逻辑输入

TX使能逻辑输入

电池供电

连接

模拟信号用

控制输出功率

无连接

针

名字

GND

RFIN_GSM

GSM_OUT

VCC_OUT

DCS_OUT

描述

地

GSM900 RF输入

GSM900射频输出

坡道

测试点

不要连接

DCS射频输出

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AWE6159R

电气特性

表2 ：绝对最大额定值

(1)

参数

电源电压（V

BATT

)

RF输入功率（ RF

)

控制电压（V

坡道

)

(2)

数字输入（逻辑电压）

(2)

TX_EN ， BS ，V

坡道

存储温度（T

英镑

)

民

-0.3

-0.5

-55

最大

+5.5

2.2

+3.0

150

单位

DBM

°C

注意事项：

（ 1A ）无损伤或退化假设在一个只有一个参数

时间设定在极限设定在额定条件下的所有其它参数。

（ 1B ）功能操作不这些条件下暗示。

（ 1C ）暴露在绝对额定值的时间过长，则可能

产生不利影响的可靠性。

(2) V

BATT

必须是>逻辑和控制电压，以防止损坏

ESD二极管。

RFIN_DCS

> + 2500 V <-2500 V

_en

> + 2500 V <-2500 V

BATT

> + 2500 V <-2500 V

坡道

> + 2500 V <-2500 V

N / C

GND

RFIN_GSM

> + 2500 V <-2500 V

图3 ：引脚的ESD额定值

DCS_OUT

> + 2500 V <-2500 V

GND

VCC_OUT

> + 2500 V <-2500 V

GSM_OUT

> + 2500 V <-2500 V

静电放电敏感度

该AWE6159R部分进行测试，以便确定

每个封装引脚相对于ESD敏感度

地面上。所有的封装引脚经受静电

使用人体模型脉冲事件概述

在JESD22- A114C.01在任一极性相

到地面。前期和后期的测试I- V特性

每个销的被记录。每个引脚上的收视率

要求其维持在ESD事件，并没有显示

退化。

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AWE6159R

表3 ：工作条件

参数

外壳温度（T

)

电源电压（V

BATT

)

电源的电流

控制电压范围

打开时间（t

)

关闭时间（T

关闭

)

上升时间（T

上升

)

下降时间（T

秋天

)

坡道

输入电容

坡道

输入电流

占空比

民

-30

3.0

0.2

典型值

3.5

最大

+85

4.8

1.6

单位

°C

BATT

= 4.8 V, V

坡道

= 0 V,

TX_EN = LOW

没有RF应用

坡道

= 0.2 V ， TX_EN = LOW

高

= 5 dBm的

坡道

= 0.2 V ， TX_EN =高

低

= 5 dBm的

OUT

= -10 dBm的

最大

（在0.2 dB为单位）

OUT

= P

最大

为-10 dBm （在0.2 dB为单位）

该装置可安全地在这些条件下操作;然而，参数性能，才能保证

在电气规范中定义的条件。

表4 ：数字输入

参数

逻辑高电压

逻辑低电压

逻辑高电流

逻辑低电流

符号

民

1.2

典型值

最大

3.0

0.5

单位

表5 ：逻辑控制表

经营模式

GSM850/900

DCS / PCS

PA禁用

低

高

TX_EN

高

低

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AWE6159R

表6 ：电气特性GSM850 GMSK模式

除非另有规定： V

BATT

= 3.5 V ，P

= 3.0 dBm时，脉冲宽度= 1154

占空比= 25 ％

= Z

OUT

= 50

= 25 ° C，V

坡道

= 1.6 V， BS = LOW ， TX_EN =高

参数

工作频率

输入功率（P

)

输出功率（P

最大

)

降级输出功率

OUT

)

PAE @ P

最大

电源电流（I

BATT

)

正向隔离1

正向隔离2

十字隔离

（ 2FO @ DCS / PCS端口）

十字隔离

（ 3Fo @ DCS / PCS端口）

二次谐波

三次谐波

N * FO （N > 4 ），F

≤

12.75

GHz的

(

)

民

824

34.5

典型值

35.2

32.8

1.82

-51

-27

-23

-19

-24

-30

最大

849

2.2

-30

-15

-12

-10

-8

单位

兆赫

DBM

频率= 824至849兆赫

BATT

= 3.0 V，T

= +85 °C

= 0 dBm的

频率= 824至849兆赫

OUT

= P

最大

, V

坡道

= 1.6 V

TX_EN = 0 V ，P

= 5 dBm的

TX_EN =高，V

坡道

= 0.2 V

= 5 dBm的

OUT

< 34.5 dBm的

OUT

< 34.5 dBm的

OUT

< 34.5 dBm的

OUT

< 34.5 dBm的

OUT

< 34.5 dBm的

VSWR = 6 ： 1的所有阶段

稳定性

耐用性

接收噪声功率

输入回波损耗

-36

-30

DBM

OUT

＆ LT ; 1 GHz的

OUT

> 1 GHz的

没有永久的退化

驻波比10 ： 1 ，所有相位角

-88

1.5:1

-82

2.5:1

DBM

VSWR

= 849 MHz的RBW = 100 kHz时，

= 869至894兆赫，P

OUT

< 34.5 dBm的

OUT

< 34.5 dBm的

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