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HELP CDMA频段0,10级
CDMA功率放大器模块
TM
AWC6340
初步数据片状版本1.8
特点
CDMA / EVDO标准
帮助
TM
技术
高效率( RC - 1的波形) :
36 % @ P
OUT
= 28.0 dBm的
16 % @ P
OUT
= +15 dBm的
低静态电流: 12毫安
低漏电流的关断模式: <5
A
内部稳压器
AWC6340
综合“菊花链式”定向耦合器
与CPL
IN
和CPL
OUT
端口。
所有RF端口内部DC块
优化用于一个50
系统
1.8V控制逻辑
符合RoHS的封装, 260
o
MSL - 3
M45包
10引脚3毫米x 3毫米×1毫米
表面贴装模块
应用
带0级, 10 CDMA / EVDO无线
器件
GND在蛞蝓( PAD)
产品说明
该AWC6340是HELP
TM
产品CDMA
在波段操作类0到10这PA设备
采用ANADIGICS的HELP 技术
在低功率水平提供卓越的效率和
无需外部低静态电流
电压调节器或转换器。该装置是
采用先进的InGaP HBT技术制造
提供先进设备,最先进的可靠性,温度稳定性,
和耐用性。两个可选的偏置模式,
优化效率,对于不同的输出功率电平与
关机模式与低漏电流的增加
手机的通话和待机时间。 A“菊花链式”
定向耦合器被集成在模块中从而
消除了外部耦合器的需要。该
自含有3 x 3毫米×1毫米的表面贴装
包装采用了优化的匹配网络
输出功率,效率和线性度在50 Ω系统。
V
BATT
1
10
V
CC
RF
IN
2
CPL
9
RF
OUT
GND
3
偏置控制
电压调节
8
CPL
IN
V
模式
4
7
GND
V
EN
5
6
CPL
OUT
图1 :框图
02/2012
AWC6340
V
BATT
1
10
9
V
CC
RF
IN
2
RF
OUT
GND
3
8
CPL
IN
V
模式
4
7
GND
V
EN
5
图2 :接脚分布(透视顶视图)
6
CPL
OUT
表1 :引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
名字
V
BATT
RF
IN
GND
V
模式
V
EN
CPL
OUT
GND
CPL
IN
RF
OUT
V
CC
描述
电池电压
RF输入
模式控制电压
PA使能电压
耦合器输出
耦合器输入
RF输出
电源电压
2
初步数据表 - 版本1.8
02/2012
AWC6340
电气特性
表2 :绝对最小和最大额定值
参数
电源电压(V
CC
)
电池电压(V
BATT
)
控制电压(V
模式,
V
EN
)
RF输入功率(P
IN
)
存储温度(T
英镑
)
0
0
0
-
-40
最大
+5
+6
+3.5
+10
+150
单位
V
V
V
DBM
°C
过量的绝对收视率的压力可能会造成永久性的损害。
功能操作并不在这些条件下暗示。曝光
为长时间可能造成不利影响的绝对收视率
可靠性。
表3 :工作范围
参数
工作频率(f )
电源电压(V
CC
)
使能电压(V
EN
)
模式控制电压(V
模式
)
CDMA输出功率
HPM
LPM
外壳温度(T
C
)
816
+3.1
+1.35
0
+1.35
0
27.5
(1)
-
-30
典型值
-
+3.4
+1.8
-
+1.8
-
28
15
-
最大
849
+4.35
+3.1
+0.5
+3.1
+0.5
-
-
+90
单位
兆赫
V
V
V
P
OUT
+28 dBm的
PA "on"
PA "shut down"
低偏置模式
高偏置模式
评论
DBM
C
CDMA 2000 , RC1
该装置可安全地在这些条件下操作;然而,参数性能,才能保证
在电气规范中定义的条件。
注意:
( 1 )对于工作在3.1 V,P
OUT
由0.8分贝降额。
3
初步数据表 - 版本1.8
02/2012
AWC6340
表4 :电气规格 - CDMA2000运营( RC - 1的波形)
(T
C
= +25 ° C,V
BATT
= V
CC
= +3.4 V, V
启用
= +1.8 V, 50
系统)
参数
-
-
-
-
典型值
28
15.5
-50
-49
最大
-
-
-
-
单位
评论
P
OUT
+28 dBm的
+15 dBm的
+28 dBm的
+15 dBm的
V
模式
0V
1.8 V
0V
1.8 V
收益
邻道功率
at
±885
kHz偏置
(1)
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
邻道功率
at
±1.98
MHz偏移
(1)
主通道带宽= 1.23 MHz的
邻道BW = 30 kHz的
功率附加英法fi效率
(1)
静态电流(WinSock )
低偏置模式
模式控制电流
当前启用
BATT电流
漏电流
噪声接收频段
谐波
2fo
3fo , 4fo
耦合系数
指向性
耦合器IN_OUT
菊花链插入损耗
杂散输出电平
(所有杂散输出)
负载失配应力,无
永久退化或失效
dB
dBc的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-62
-58
36
16
12
0.06
0.4
3.0
<5
-135
-40
-60
20
20
<0.25
-
-
-
-
-
0.15
0.6
0.5
-
-
-
-
-
-
-
dBc的
+28 dBm的
+15 dBm的
+28 dBm的
+15 dBm的
通过V
CC
0V
1.8 V
0V
1.8 V
1.8 V
%
mA
mA
mA
mA
A
dBm / Hz计
通过V
模式
针,V
模式
= 1.8 V
通过V
EN
通过V
BATT
针,V
模式
= +1.8 V
V
BATT
= +4.35 V, V
CC
= +4.35 V,
V
EN
= 0 V, V
模式
= 0 V
dBc的
dB
dB
dB
P
OUT
+28 dBm的
698 MHz至2620 MHz的
引脚8-6 ,关断模式
P
OUT
+28 dBm的
带负载电压驻波比< 5:1
外的带负载电压驻波比< 10:1的
适用于在所有工作条件
适用于在所有工作条件
-
-
-70
dBc的
8:1
-
-
VSWR
注意事项:
(1)的ACLR和效率的测定在836.5兆赫。
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初步数据表 - 版本1.8
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AWC6340
应用信息
为了确保适当的性能,是指所有相关
在ANADIGICS网站报名须知:
http://www.anadigics.com
关断模式
功率放大器可被置于关断
通过施加逻辑低电平模式(见操作
范围表)至V
EN
和V
模式
电压。
偏置模式
功率放大器可被放置在任一低或
高偏置模式,通过应用适当的逻辑
水平(见工作范围表)到V
模式
引脚。
Vcontrols
维纳布尔/ VMODE ( S)
上升/下降最大1
S
在10%的定义为90%的
的最小/最大电压
关闭顺序启动
T_0FF = 0μ
偏置控制表列出了推荐
操作模式用于各种应用。
两种操作模式,建议优化
电流消耗。高偏置/高功率运行
模式是用于P
OUT
各级> 15 dBm的。在15 dBm时,
在PA应该是“模式转换”到低功耗模式。
在顺序启动
T_0N = 0μ
关于序列
关闭顺序
RF
IN
注1,2
V
EN
V
CC
注1
T_0N+1S
T_0N+3S
T_0FF + 2μS T_0FF + 3μS
引用后90 %的上升
时间
秋天的引用Before10 %
时间
注意事项:
( 1 )后, RF是在水平可能会改变。
(2) RF关闭定义为P
IN
≤ -30 dBm的。
( 3 )V之间的切换同步
模式
和V
EN
不推荐使用。
图3:推荐的开/关定时序
表5 :偏置控制
应用
低功耗
高功率
关闭
P
OUT
水平
+15 dBm的
> +15 dBm的
-
BIAS
模式
关闭
V
EN
+1.8 V
+1.8 V
0V
V
模式
+1.8 V
0V
0V
V
CC
3.1 - 4.35 V
3.1 - 4.35 V
3.1 - 4.35 V
V
BATT
> 3.1 V
> 3.1 V
> 3.1 V
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