AVT-52663
DC - 6000 MHz的
的InGaP HBT增益模块
数据表
描述
Avago的AVT- 52663是一款经济， easy-
易用，通用的InGaP HBT MMIC增益模块
采用达林顿对CON组fi guration扩增fi er设在
提供6引脚（ SOT- 363 ）表面贴装塑料封装。
达林顿反馈结构提供了内在的
宽的带宽性能，导致有用ope-
额定频率高达6 GHz 。这是一个理想的设备
小信号增益级联或IF放大器阳离子。
AVT - 52263采用先进的InGaP HBT制
（异质结双极晶体管）技术，它
可靠性，温度稳定性的国家的最先进邻FF器和
性能的一致性。
特点
x
小信号增益放大器器
x
工作频率DC到6GHz
x
无条件稳定
x
50欧姆输入输出&
x
平，宽带频率响应高达2 GHz
x
工业标准SOT- 363
x
无铅，符合RoHS标准，绿色
特定网络阳离子
2 GHz时， 5V Vcc的45 mA（典型值）
x
15.3分贝增益
x
12.7 dBm的P1dB为
x
27 dBm的OIP3
分量图像
GND
产量
＆放大器; V
d
x
4分贝NF
x
15分贝IRL和ORL
52X
顶视图
GND
输入
GND
GND
应用
x
蜂窝/ PCS / 3G基站
x
无线数据/ WLAN
x
的WiMAX / WiBro的
x
CATV &电缆调制解调器
x
ISM
注意事项：
包装标识提供了方向和identi网络阳离子
“ 52 ” =器件代码
“X” =月制造的
“X” = 1脚
典型的偏置CON组fi guration
V
CC
= 5V
R
BIAS
C
BYP
C
块
3脚
C
BYP
R
BIAS
= (V
CC
- V
d
)/I
d
注意：遵守注意事项
处理静电敏感设备。
ESD机型号（ 120V ）
ESD人体模型（ 1200V ）
请参考Avago的应用笔记A004R ：
静电放电，危害及防治。
RFIN
引脚6
V
d
脚1， 2，4， 5
（GND）的
C
块
RFOUT
绝对最大额定值
[1]
T
A
=25°C
符号
I
d
P
IN，最大
P
DISS
T
选择
T
， MAX
T
英镑
热阻
单位
mA
DBM
mW
°C
°C
°C
参数
器件的电流
CW RF输入功率
总功耗
[3]
工作温度
结温
储存温度
绝对最大值。
90
18
394
-40到85
150
-65到150
热阻
[2]
T
JC
= 149 ° C / W
(I
d
= 45毫安，T
C
= 85°C)
注意事项：
超过任何1.操作此设备的
这些限制可能会造成永久性的损害。
采用红外测2.热阻
测量技术。
3.接地线温度为25 ℃。减额
6.7mW /°C，对于T
C
>91°C.
电气规格
[4]
T
A
= 25°C ，莫宁= 50
:,
V
CC
= 5 V ，R
BIAS
= 22
:,
P
in
= -15 dBm的（除非特定网络版以其他方式）
符号
I
d
G
p
'G
p
f
3dB
OIP3
[5]
S11
S22
S12
P1dB
NF
参数和测试条件
器件的电流
功率增益
增益平坦度
3 dB带宽
输出3
rd
截取点
输入回波损耗， 50 ：源
输出回波损耗， 50 ：负荷
反向隔离
在1分贝增益压缩输出功率
噪声系数
频率
900兆赫
2000兆赫
0.05 - 2 GHz的
单位
mA
dB
分钟。
42
13.8
典型值。
45.6
16.1
15.5
0.67
5
马克斯。
49
16.8
GHz的
900兆赫
2000兆赫
900兆赫
2000兆赫
900MHz
2000兆赫
900兆赫
2000兆赫
900兆赫
2000兆赫
900兆赫
2000兆赫
DBM
26.2
dB
dB
dB
DBM
dB
30.2
27.7
-21.9
-15.9
-19.1
-15.2
-19.3
-19.8
15.6
15
3.6
4
注意事项：
上获得CPWG线与参考平面在被测导线的端部（如图1）4.测量。
5. OIP3测试条件：F
RF1
- F
RF2
= 10MHz时为每基调糟糕的边带测量-15 dBm的输入功率。
V
CC
R
BIAS
偏置T恤
RFIN
ZO = 50欧姆
引脚6
3脚
脚1， 2，4， 5
（GND）的
ZO = 50欧姆
RFOUT
用于I板图1.框图
d
，增益， OIP3 ， S11 ， S22 ， S12 ，的OP1dB和NF测量。
电路损耗已解嵌，从实际测量。
2
产品的一致性分布图表在2 GHz ，V
cc
= 5 V ，R
BIAS
= 22
:
LSL
USL
LSL
USL
42
43
44
45
46
47
48
49
13.5
14
14.5
15
15.5
16
16.5
17
17.5
图2.我
d
（ mA）的分布。 LSL = 42 ，额定= 45.6 ， USL = 49
图3.增益（ dB）的分布。 LSL = 13.8 ，额定= 15.2 ， USL = 16.8
LSL
注意事项：
从2099样本量确定1，统计分布
来自6 DI FF erent晶圆样品，在测量生产
测试板。
分配给本产品2.未来晶片可具有典型值
任意位置的最小和最大规格界限之间。
26
26.5
27
27.5
28
28.5
29
29.5
图4. OIP3 （ dBm的）分布。 LSL = 26.2 ，额定= 27.7
3
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