AVF300
NPN硅射频功率晶体管
包装风格.400 2NL FLG
描述：
2个B
4x .062 x 45°
D
E
F
A
.025 x 45°
该
ASI AVF300
是专为
C
产品特点：
Omnigold
金属化系统
暗淡
H
L
G
I
J
K
P
M
最低
英寸/毫米
N
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
18.8 A
55 V
625 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C至+250
O
C
-65℃至+ 200C
0.3
O
C / W
O
O
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.020 / 0.51
.100 / 2.54
.376 / 9.55
.110 / 2.79
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.450 / 11.43
.125 / 3.18
.640 / 16.26
.890 / 22.61
.395 / 10.03
.004 / 0.10
.052 / 1.32
.118 / 3.00
.030 / 0.76
.396 / 10.06
.130 / 3.30
.407 / 10.34
.660 / 16.76
.910 / 23.11
.415 / 10.54
.007 / 0.18
.072 / 1.83
.131 / 3.33
.230 / 5.84
订货编号： ASI10572
O
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
G
P
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 25毫安
I
E
= 1毫安
V
CE
= 50 V
T
C
= 25 C
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
65
3.5
25
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
I
C
= 1.0 A
P
OUT
= 300 W
F = 1030年至1090年兆赫
15
7.7
40
120
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
AVF300
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI AVF300
是一款高功率C级
晶体管，专为IFF / DME / TACAN
应用程序在960-1215兆赫。
包装风格.400 2NL FLG
A
.0 2 5 x 4 5 °
2个B
C
D
E
F
4 x .0 6 2 x 4 5 °
产品特点：
内部输入/输出匹配网络
P
G
= 7.7分贝在300W / 1090兆赫
Omnigold
金属化系统
IM
G
H
I
J
K
P
M
M IN IM ü M
英寸/ M M
L
N
M A X IM ü米
英寸/ M M
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
20 A
65 V
1166 W @ T
C
= 25 °C
-65 ° C到+ 250℃的
-65℃ + 200 ℃，
0.15 ° C / W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.0 2 0 / 0 .5 1
.1 0 0 / 2 .5 4
.3 7 6 / 9 .5 5
.1 1 0 / 2 .7 9
.3 9 5 / 1 0 .0 3
.1 9 3 / 4 .9 0
.4 5 0 / 1 1 .4 3
.1 2 5 / 3 .1 8
.6 4 0 / 1 6 .2 6
.8 9 0 / 2 2 .6 1
.3 9 5 / 1 0 .0 3
.0 0 4 / 0 .1 0
.0 5 2 / 1 .3 2
.1 1 8 / 3 .0 0
.0 3 0 / 0 .7 6
.3 9 6 / 1 0 .0 6
.1 3 0 / 3 .3 0
.4 0 7 / 1 0 .3 4
.6 6 0 / 1 6 .7 6
.9 1 0 / 2 3 .1 1
.4 1 5 / 1 0 .5 4
.0 0 7 / 0 .1 8
.0 7 2 / 1 .8 3
.1 3 1 / 3 .3 3
.2 3 0 / 5 .8 4
订货编号： ASI10572
特征
符号
BV
CES
BV
EBO
I
CES
h
FE
G
P
η
C
I
C
= 50毫安
I
E
= 25毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 50 V
I
C
= 1.0 A
P
OUT
= 300 W
F = 960 - 1215兆赫
10
6.5
45
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
2.0
25
120
单位
V
V
mA
---
dB
%
脉冲宽度= 10微秒，占空比10 ％
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
1/3
AVF300
错误！未找到引用源。
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
2/3
AVF300
错误！未找到引用源。
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
版本C
3/3
QQ：2881677436 复制
