18-40 GHz的砷化镓MMIC
可变电压衰减器
AV850M2-00
特点
s
双电压控制
s
35分贝衰减范围
s
三重门0.25
m
MESFET设计
s
+10 dBm的P
1分贝
所有衰减状态
s
100 ％晶圆RF和DC测试
s
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
MT 2010
0.314
1.050
0.911
芯片大纲
0.982
描述
阿尔法的AV850M2-00 MMIC可变电压衰减器
是包括三栅标准的TEE配置
0.25
m
功率MESFET的。衰减器具有典型的
3 dB的插入损耗在18-40 GHz频段。该
衰减范围是35分贝，而典型的I / P和O / P回报
损失比6分贝更好。该芯片采用Alpha的探明0.25
m
MESFET技术和基于分子束外延层
与电子束光刻的最高均匀性
和可重复性。该MMIC产品采用表面钝化
以保证一个坚固的，可靠的具有贯通基板部
通孔和黄金为基础的背面金属化
促进导电环氧树脂芯片粘接工艺。该芯片
包含三栅极场效应晶体管，从而减少了
随温度变化的衰减以及更好
动力操控性能在所有衰减状态。所有
芯片筛选插入损耗，充分衰减和
在18-40 GHz频段用于I / P和O / P赛
性能保证。
0.097
0.000
0.000
0.750
1.500
尺寸以毫米。
所有的直流电压（V ）垫是0.1 ×0.1毫米， RF输入，输出垫0.07毫米宽。
芯片厚度= 0.1毫米。
绝对最大额定值
特征
工作温度（T
C
)
存储温度（T
ST
)
控制电压（V
C
)
在功率（P
IN
)
结温（T
J
)
价值
-55 ° C至+ 90°C
-65 ° C至+ 150°C
-7 V
DC
30 dBm的
175°C
电气规格在25℃
参数
最大衰减
最小衰减
输入/输出回波损耗
最大衰减
最小衰减
输入/输出回波损耗
输入功率为1 dB压缩
（所有衰减水平）
1
热阻
1.未测量了100％的基础上。
条件
V
C
= -1 V, V
C2
= -0.25 V
F = 18-35 GHz的
V
C
= -1 V, V
C2
= -3.25 V
F = 18-35 GHz的
F = 18-35 GHz的
V
C
= 0 V, V
C2
= -0.8 V
F = 35-40 GHz的
V
C
= 0 V, V
C2
= -3.25 V
F = 35-40 GHz的
F = 35-40 GHz的
符号
ISO
I
L
RL
ISO
I
L
RL
P
1分贝
Θ
JC
分钟。
20
典型值。
2
30
2
-10
马克斯。
单位
dB
3
-6
dB
dB
dB
20
35
3
-10
10
101
4
-5
dB
dB
DBM
° C / W
2.典型代表整个指定的位数参数值
频率范围的中位数芯片。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 9 / 00A
1
18-40 GHz的砷化镓MMIC可变电压衰减器
AV850M2-00
典型性能数据
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0.0
V
C2
:
-1.6 – -3.0
-1.4
-1.2
0
-5
膝关节
膝关节
膝关节
电压1电压2电压3
V
C1
= -1V
衰减（dB ）
*
衰减（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-3.25
-0.25
例如芯片1
例2芯片
例如芯片3
*
频率（GHz ）
衰减与频率（V
C1
= 0 V)
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8
控制电压V
C2
(V)
例如芯片到芯片的变异任何
操作单频
（低频带）
*
星图中表示从电气保证衰减的限制
规格表（膝盖电压变化范围是-3.25 V至约-1.0 V） 。
1 dB输入功率
偏置安排
V
C2
-6
-4
-2
0
衰减（dB ）
衰减与1.0分贝压缩
RF
0
-5
20 GHz的
30 GHz的
40 GHz的
50 GHz的
V
C1
V
C1
控制系列器件，以获得最佳驻波比进行调整。
V
C2
控制分流设备，调整设置衰减。
建议控制电压：
对于频率18-35 GHz的： V
C1
= -1 V, V
C2
= -0.25至-3.25 V.
对于频率35-40 GHz的： V
C1
= 0 V, V
C2
= -0.8至-3.25 V.
RF
衰减（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
V
C1
= 0 V
-45
-3.0 -2.6 -2.2 -1.8 -1.4 -1.0 -0.6 -0.2 0
电路原理图
在RF
RF OUT
控制电压V
C2
(V)
衰减与控制电压
V
C2
V
C1
2
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传真
[617] 824-4579
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