【数据表AV111-12 ， AV111-12LF ： HIP3 可变衰减器0.80-1.00 GHz】,IC型号AV111-12LF,AV111-12LF PDF资料,AV111-12LF经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

AV111-12 ， AV111-12LF ： HIP3 可变衰减器

0.80-1.00 GHz的

特点

40 dBm的IP3典型

低损耗1 dB的典型

衰减30分贝典型

良好的VSWR <1.5 ： 1典型

低相移

可用铅（ Pb），且符合RoHS标准的MSL - 1 @ 260℃

根据JEDEC J- STD- 020

接线图

RF OUT

控制

当前

描述

该AV111-12是一种电流控制，从可变衰减器

Skyworks的系列HIP3 组件。它是专为满足

在扩展频谱所需的宽动态范围，无线基

站申请。单片正交混合的联手

硅PIN二极管对在一个塑料表面贴装封装

减小尺寸和一致性，保证从零件到部件。

AV111-12LF封装在一个铅（Pb ） - 免费，完全符合RoHS标准

SOIC - 8封装，电相同的AV111-12 。

在RF

控制

当前

新

Skyworks公司提供铅（Pb ） - 免费，符合RoHS （限制的

有害物质）标准包装。

Skyworks的解决方案，公司电话[ 781 ] 376-3000 传真[ 781 ] 376-3100 sales@skyworksinc.comwww.skyworksinc.com

200261版本B Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 2007年4月30日

数据表 AV111-12 ， AV111-12LF

电气规格在25℃

参数

频率

插入损耗（ 0毫安控制电流）

衰减@ 1.2毫安控制电流（ 900兆赫）

VSWR所有端口

输入3阶截取

相对相移高达20分贝

群时延

衰减

(1)

17.5

1.5

0.4

0.9

分钟。

0.8

典型值。

马克斯。

1.5

21.5

1.8

DBM

度。

单位

GHz的

工作特性，在25°C（ 0 ， 5 V ）

参数

(2)

开关特性

(3)

上升，下降

开，关

视频馈通（峰）

最大输入功率为<1分贝

衰减变化

1.当与外部元件构建为如图中的引脚输出的图。

2.在50进行的所有测量

制，除非另有说明。

3. 0-4毫安的方波总量控制电流。

条件

九十○分之一十％或90 /10％的射频

50％的CTL 90 /10％的射频

频率

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

DBM

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二〇〇七年四月三十○日 Skyworks的专有信息产品和产品信息如有变更，恕不另行通知。 200261版本B

数据表 AV111-12 ， AV111-12LF

典型性能数据

1.7

1.6

1.5

800兆赫

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.5

1.0

1000

兆赫

900兆赫

800兆赫

1.5

2.0

VSWR

1.4

1.3

1.2

900兆赫

1.1

1.0

1 GHz的

电流（mA ）

衰减（dB ）

当前

（MA ）

输入/输出VSWR与电流

-5

衰减与电流

0.1

0.5

-10

-15

-20

-25

-30

0.80

1.4

1.00

0.9

1.4毫安

相对相移（度）

0.80

1.2毫安

1.0毫安

0.5毫安

0毫安

1.00

衰减（dB ）

1.2

0.84

0.88

0.92

0.96

0.85

0.90

0.95

频率

（千兆赫）

频率

（千兆赫）

相对相位与频率的关系

100

衰减与频率的关系

相对相移（度）

-5

-10

-15

-20

-25

-35

900兆赫

1000兆赫

电流（mA ）

800兆赫

0.1

0.01

-30

-25

-20

-15

-10

-5

400

500

600

700

800

900

1000

衰减（dB ）

电压

(V)

相对相位与衰减

典型的PIN二极管的电流与电压

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数据表 AV111-12 ， AV111-12LF

引脚输出

控制

680

推荐电路板布局

射频输入/输出

220 pF的

100 nH的

控制

当前

GND

220 pF的

100 nH的

控制

当前

GND

0.018

SK38531

射频输入/输出

20密耳直径

地面威盛

销1

AV10.-12

特征

100 nH的

输入偏置

GND

在RF

RF OUT

220 pF的

材料是10万FR4 。

680

绝对最大额定值

价值

0.5瓦CW ， 4 W @ 12.5 ％

占空比

每个二极管50毫安

-40 ° C至+85°C

-65 ° C至+150°C

-100 V

125 V

RF输入功率

控制电流

工作温度

储存温度

最大反向二极管电压

静电放电

SOIC-8

引脚8

0.050 （1.27 MM） BSC

销1

指标

0.244 (6.20 mm)

0.228 (5.80 mm)

销1

0.068

（1.73 mm）最大。

0.020 （0.51 mm）最大。

0.049

(1.24 mm)

0.016

(0.41 mm)

0.016 MAX 。

（0.41公厘）x

45 °倒角

性能保证仅在在规格表中列出的条件，是

下的绝对最大规格所述的全范围（ S）不能保证。

超过任何绝对最大/最小规格的可导致永久

损坏设备，并会导致保修失效。

注意事项：

虽然此设备被设计成如作为鲁棒

可能的话， ESD （静电放电）可能会损坏

此设备。此设备必须在任何时候都受到保护

从ESD 。静电荷可以很容易地产生电位

几千伏，对人体tials或

设备，它可以排出而不被发现。

行业标准的ESD防范措施，必须采用

在任何时候。

0.197 (5.00 mm)

0.189 (4.80 mm)

0.010 (0.25 mm)

0.004 (0.10 mm)

0.158 (4.00 mm)

0.150 (3.80 mm)

0.010 (0.25 mm)

0.007 (0.17 mm)

马克斯。

推荐的回流焊曲线

参阅

“推荐回流焊简介”

应用笔记。

磁带和卷轴信息

参阅

“分立器件和集成电路开关/衰减器

卷带式封装定向“

应用笔记。

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数据表 AV111-12 ， AV111-12LF

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