初步
砷化镓IC 35分贝可变电压衰减器
单正3 V控制0.5-2.5 GHz的
AV107-59
特点
s
单正+3 V控制电压
s
35分贝衰减范围@ 0.9 GHz的
s
微型低成本MSOP- 8封装
销1
指标
MSOP-8
0.0256 (0.65 MM) TYP 。
0.118 (3.00 mm)
± 0.004 (0.1 mm)
平方米。
0.193 (4.90 mm)
REF 。
描述
该AV107-59砷化镓IC场效应管可变电压衰减器
提供35分贝衰减范围在900 MHz的控制
由一个单一的正电压。该VVA具有线性传送
曲线为12分贝/ V的斜率,具有输入和输出VSWR更好
比2 : 1以上的所有国家。它的衰减范围在1900兆赫
为25dB 。它以+3 V和控制电源电压
0 V至+3 V在低成本MSOP -8封装电压。该
RF端口需要25 pF的隔直流电容器。此外
外部接地电容是必需的。
销1
0.012 (0.30 mm)
+ 0.006 (0.15 mm)
- 0.002 (0.05 mm)
7.0
0.038 (0.95 MM) TYP 。
0.030 (0.75 mm)
0.017
(0.43 mm)
0.007 (0.18 mm)
± 0.005 (0.12 mm)
8.0
马克斯。
0.006 (0.15 mm)
0.002 (0.05 mm)
0.028 (0.70 mm)
0.016 (0.40 mm)
电气规格在25 ° C( V
S
= 3 V)
参数
1
插入损耗(V
C
= 0 V)
频率
0.5-1.0 GHz的
1.0-2.0 GHz的
2.0-2.5 GHz的
0.5–0.8
0.8–1.0
1.0–1.7
1.7–2.0
2.0–2.5
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
22
30
22
17
15
分钟。
典型值。
3.4
3.5
3.8
25
33
25
20
19
1.8:1
2.0:1
马克斯。
3.8
4.0
4.3
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
最大衰减(V
C
= 3 V)
2
VSWR ( I / O)
3
0.5-2.5 GHz的
工作特性,在25 ° C( V
S
= 3 V)
参数
开关特性
交调截取点( IIP3 )
3
控制电压(V
C
)
电源电压(V
S
)
控制电流(I
C
)
电源电流(I
S
)
1.所有的测量采用40 pF的射频旁路电容进行。
2.最大衰减包括插入损耗。
3.对于最坏情况下的状态。
条件
上升,在(10 /90%或50%的CTL至90%射频)
秋季,关(90 /10%的RF或50 % CTL至10% RF)
对于双音输入功率0 dBm的
频率
分钟。
典型值。
1.0
0.3
马克斯。
单位
S
S
DBM
0.9 GHz的
0.0
2.7
15
V
S
3
0.2× V
C
150
V
V
mA
A
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更,恕不另行通知。 3 / 99A
1
砷化镓IC 35分贝可变电压衰减器单正3 V控制0.5-2.5 GHz的
AV107-59
典型性能数据@ 0.9 GHz的
(除非另有规定编)
0.0
0
最大衰减量(dB )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-0.5
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
插入损耗(dB )
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
频率(GHz )
频率(GHz )
插入损耗与频率
0
-5
最大衰减与频率的关系
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
产量
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
输入
-40 °C至+ 85°
衰减(dB )
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
C
(V)
VSWR
V
C
(V)
衰减与控制电压
30
25
5
4
VSWR与控制电压
归一化衰减到25℃
+85C
+70C
+25C
插入损耗(dB )
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
IIP3 ( dBm的)
20
15
10
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-20C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
C
(V)
V
C
(V)
输入IP3与控制电压
衰减与控制电压
过温
2
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砷化镓IC 35分贝可变电压衰减器单正3 V控制0.5-2.5 GHz的
AV107-59
绝对最大额定值
特征
RF输入功率
电源电压
控制电压
工作温度
储存温度
Θ
JC
价值
50毫瓦> 500兆赫
+7 V
+3.3 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
引脚输出
C
BP
GND
GND
J
1
C
BL
V
S
4
5
GND
C
BL
GND
V
C
3
6
J
2
1
2
8
7
注:超过这些参数可能会造成不可逆的损伤。
隔直流电容器(C
BL
)和射频旁路电容(C
BP
)提供
外部。
C
BP
= 40 pF适用于900 MHz的操作。
C
BL
= 25 pF适用于900 MHz的操作。
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