AUIRS2301S
描述
该AUIRS2301S是一款高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,带有独立的高,
低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出,下降到兼容
3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮置沟道,可以用来驱动
在工作频率高达600V高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT 。
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AUIRS2301S
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
IC闩锁测试
符合RoHS
汽车
(每AEC -Q100
)
点评:该系列芯片已经通过了
汽车的资格。 IR的工业和消费
资质等级给予延伸的高
汽车的水平。
MSL3
260°C
(根据IPC / JEDEC J- STD- 020 )
M2类
(每AEC- Q100-003 )
类H1C
(每AEC- Q100-002 )
C5类
(每AEC- Q100-011 )
II级, B级
(每AEC- Q100-004 )
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
例外AEC- Q100的要求指出,在鉴定报告。
更高的MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系您
国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
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AUIRS2301S
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有的电压
参数参考COM绝对的电压。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
dV
S
/ DT
P
D
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
允许的偏移电压瞬变
封装的功率耗散@ TA
≤
25°C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
分钟。
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
COM -0.3
—
—
—
—
-50
—
马克斯。
625
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
25
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
0.625
200
150
150
300
°C
V
单位
V / ns的
W
° C / W
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图中示出图1.对于正确的操作设备应在使用
推荐的条件。在V
S
胶印的评价测试的所有物资偏置在15V的差分。
符号
德网络nition
分钟。
V
B
高侧浮动电源电压的绝对值
V
S
+ 5
V
S
高侧浮动电源偏置电压
1
V
HO
高侧浮动输出电压
V
S
V
CC
低侧和逻辑固定电源电压
5
V
LO
低边输出电压
0
V
IN
逻辑输入电压( HIN & LIN )
COM
T
A
环境温度
-40
:逻辑运算的V
S
-5 V至+600 V.逻辑状态保持V
S
V - -5 V至
BS 。
(请参考设计提示DT97 -3详细介绍) 。
马克斯。
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
125
单位
V
°C
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