AUIRS2191S
描述
该AUIRS2191S是一款高功率,高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器,带有独立的高侧和低侧
参考输出通道,适用于DC-DC转换器应用。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL兼容
输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低驱动跨
传导。传播延迟相匹配,以简化在高频应用中使用。浮置沟道可以用于
开车在工作频率高达600V高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT 。专有的HVIC和锁存器
免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。
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2012国际整流器
2013年2月3日
AUIRS2191S
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
汽车
(每AEC -Q100 )
点评:该系列芯片已经通过了一项汽车
资格。 IR的工业和消费资格
级别授予扩展越高汽车的水平。
MSL3 260℃
(根据IPC / JEDEC J- STD- 020 )
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
IC闩锁测试
符合RoHS
M1级( 100V )
(每AEC- Q100-003 )
一流的H1B ( 1000V )
(每AEC- Q100-002 )
C4级( 1000V )
(每AEC- Q100-011 )
II类A级
(每AEC- Q100-004 )
是的
湿度敏感度等级
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
更高的MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系您
国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
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2012国际整流器
2013年2月3日
AUIRS2191S
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会造成设备永久损坏。这些都是强调
只有收视率,设备运行在这些或超出在“推荐标明的任何其他条件
工作条件“是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件下长时间工作会影响器件
可靠性。所有电压参数参考COM绝对电压,除非在表中另有说明。热
电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
R
θJA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低边输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
逻辑地
允许V
S
抵消供应瞬态
包装功耗@ T
A
≤+25
C
热阻,结到环境
结温
储存温度
引线温度(焊接, 10秒)
民
-0.3
V
B
– 20
V
S
– 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
– 0.3
V
CC
– 20
---
---
---
---
-55
---
最大
620
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
20
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
1.0
100
150
150
300
C
单位
V
V / ns的
W
摄氏度/ W
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图示于图1中对于正确的操作设备应当在所述使用
推荐的条件。在VS , VSS和COM偏移收视率与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
SS
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压( HIN & LIN )
逻辑地
环境温度
民
V
S
+ 10
V
S
10
0
V
SS
-5
-40
最大
V
S
+ 20
600
V
B
20
V
CC
V
CC
5
125
V
单位
C
对于V逻辑操作
S
-5 V至600 V的逻辑状态保持V
S
-5 V至-V
BS
.
(请参考设计提示DT97-3了解更多详情)
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