AUIRS2184(4)(S)
描述
该AUIRS2184 （ 4 ）S是高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有高依赖
和低压侧的参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，
下降至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动
跨导。浮置沟道，可以用来驱动在N沟道功率MOSFET或IGBT
它的工作频率高达600 V.高端配置
功能比较： AUIRS2181 （ 4 ） / AUIRS2183 （ 4 ） / AUIRS2184 （ 4 ）
部分
2181
21814
2183
21834
2184
21844
输入
逻辑
HIN / LIN
HIN / LIN
IN / SD
交
传导
预防
逻辑
no
是的
是的
死区时间
地
引脚
COM
V
SS
/ COM
COM
V
SS
/ COM
COM
V
SS
/ COM
吨/吨OFF
无
内部为500ns
可编程0.4 - 5美国
内部为500ns
可编程0.4 - 5美国
二百分之一百六NS
二百分之一百六NS
二百三十分之六百NS
www.irf.com
2008国际整流器
3
AUIRS2184(4)(S)
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
汽车
（每AEC -Q100
)
点评：该系列芯片已经通过了
汽车的资格。 IR的工业和消费
资质等级给予延伸的高
汽车的水平。
SOIC8
MSL3
260°C
（根据IPC / JEDEC J- STD- 020 ）
湿度敏感度等级
SOIC14N
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
IC闩锁测试
符合RoHS
M1级（通过+/- 100V ）
（每AEC- Q100-003 ）
类H1C （通过+/- 1500V ）
（每AEC- Q100-002 ）
一流的C4 （通过+/- 1000V ）
（每AEC- Q100-011 ）
II级， A级
（每AEC- Q100-004 ）
是的
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
例外AEC- Q100的要求指出，在鉴定报告。
更高的MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系您
国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
IN， SD ，每JESD78 40毫安DT II类B级。
www.irf.com
2008国际整流器
4
AUIRS2184(4)(S)
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有
电压参数参考COM绝对领先的电压。超越那些在"上市压力
绝对最大Ratings"可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出任何其他条件的功能操作所指示的
“推荐工作条件”是不是暗示。置身于绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。热电阻和功率耗散额定值
在船上安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有
指定的。
符号
德网络nition
民
最大
单位
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
DT
V
IN
V
SS
dV
S
/ DT
P
D
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低侧和逻辑固定电源电压
低边输出电压
可编程死区时间引脚电压
逻辑输入电压（IN &
SD
)
逻辑地
允许的偏移电压瞬变
封装的功率耗散@ TA
≤
25°C
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚SOIC ）
（ 8引脚SOIC ）
（ 14引脚SOIC ）
-0.3
V
B
- 25
V
S
- 0.3
-0.3
-0.3
V
SS
-0.3
V
SS
-0.3
V
CC
- 20
—
—
—
—
—
—
-50
620
V
B
+ 0.3
V
B
+ 0.3
20
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
50
0.625
1.0
200
120
150
150
°C
V / ns的
W
V
RTH
JA
T
J
T
S
热阻，结到环境
结温
储存温度
° C / W
T
L
引线温度（焊接， 10秒）
—
300
所有耗材均在25 V全面测试和内部20 V夹存在于每个供应。
www.irf.com
2008国际整流器
5
QQ：2880707522 复制
