汽车级
PD - 97743
特点
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l
AUIRLR3915
HEXFET
功率MOSFET
55V
12m
14m
61A
30A
D
高级平面技术
逻辑电平栅极驱动
低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
重复性雪崩允许
ed
达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
最大
I
D（硅有限公司）
G
S
I
D（包装有限公司）
D
描述
专为汽车应用，
HEXFET功率这种条纹平面设计
MOSFET的采用了最新的加工技术
以实现低导通电阻每硅片面积。这
受益结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车和各种其他应用程序。
S
G
D- PAK
AUIRLR3915
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， VGS @ 10V （硅有限公司）
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
I
DM
漏电流脉冲
马克斯。
61
43
30
240
120
0.77
± 16
200
600
参见图。器12a，12b ，15，16
-55 + 175
单位
A
c
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
c
i
d
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
重复性雪崩能量
工作结
c
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
300
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
k
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.3
50
110
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
11/29/11
AUIRLR3915
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
–––
1.0
42
–––
–––
–––
–––
–––
0.057
12
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
17
3.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
m
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 26A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
s V
DS
= 25V ，我
D
= 30A
μA
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
f
f
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
61
9.0
17
7.4
51
83
100
4.5
7.5
1870
390
74
2380
290
540
92
14
25
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 30A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 30A
R
G
= 8.5
V
GS
= 10V
铅之间，
f
f
ns
D
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
g
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
62
110
61
A
240
1.3
93
170
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 30A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 30A ，V
DD
= 25V
的di / dt = 100A / μs的
f
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25°C,
L = 0.45mH ，R
G
= 25, I
AS
= 30A ，V
GS
=10V.
部分不建议使用此之上
值。
I
SD
30A ， di / dt的
280A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
,
T
J
175°C.
脉冲宽度
1.0ms的;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效的人口决定了这个值，起动
T
J
= 25℃时，L = 0.45mH ，R
G
= 25, I
AS
= 30A ，V
GS
=10V.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
测定在T
J
大约90 ℃。
2
www.irf.com
AUIRLR3915
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。
IR的工业和消费水平的资格被授予了
延长汽车更高水平。
D- PAK
AEC-Q101-002
MSL1
M2类（ +/- 200V ）
一流的H1B （ +/- 1000V ）
AEC-Q101-001
C5级（ +/- 2000V ）
AEC-Q101-005
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
ESD
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。
??????最高路过电压。
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
