汽车级
PD - 97703A
特点
高级平面技术
l
逻辑电平栅极驱动
l
动态的dv / dt额定值
l
低导通电阻
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
重复性雪崩允许
ed
达TJMAX
l
无铅，符合RoHS
l
汽车合格*
l
D
AUIRLR3105
HEXFET
功率MOSFET
G
S
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
最大
I
D
D
55V
30mΩ
37mΩ
25A
描述
专为汽车应用，
HEXFET功率这种条纹平面设计
MOSFET的采用了最新的加工技术
以实现低导通电阻每硅片面积。这
受益结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车和各种其他应用程序。
G
S
D- PAK
AUIRLR3105
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流， V
GS
@ 10V
I
DM
漏电流脉冲
马克斯。
25
18
100
57
0.38
± 16
61
94
参见图。器12a，12b ，15，16
3.4
-55 + 175
300
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
c
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
线性降额因子
V
GS
栅极 - 源极电压
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
d
i
d
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
d
e
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
k
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
2.65
50
110
单位
° C / W
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
11/1/11
AUIRLR3105
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
–––
1.0
15
–––
–––
–––
–––
–––
0.056
30
35
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
37
43
3.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
mΩ
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 13A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
s V
DS
= 25V ，我
D
= 15A
μA
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
nA的V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
f
f
f
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
57
25
37
4.5
7.5
710
150
28
890
110
210
20
5.6
9.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 15A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V ，见图。 6 & 13
V
DD
= 28V
I
D
= 15A
R
G
= 24
Ω
R
D
= 5.0Ω ，参照图18
铅之间，
f
ns
f
D
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
pF
g
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
52
82
25
A
100
1.3
78
120
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 15A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 15A ，V
DD
= 28V
的di / dt = 100A / μs的
f
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25°C,
L = 0.55mH ，R
G
= 25Ω, I
AS
= 15A ，V
GS
=10V.
I
SD
≤
25A ， di / dt的
≤
290A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX “
参照图12a中，对于典型的重复12b中，15，16
雪崩性能。
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
测试，在生产该值。
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
大约90 ℃。
2
www.irf.com
AUIRLR3105
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。
IR的工业和消费水平的资格被授予了
延长汽车更高水平。
D- PAK
不适用
M2类（ +/- 200V ）
（每AEC- Q101-002 ）
类H1A （ +/- 500V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C5级（ +/- 2000V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
ESD
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。
最高电压合格
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
