汽车级
PD - 96306A
AUIRGP50B60PD1
AUIRGP50B60PD1E
WARP2系列IGBT与
超快软恢复二极管
应用
汽车HEV和EV
PFC和ZVS开关电源电路
G
E
C
V
CES
= 600V
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 2.00V
@ V
GE
= 15V我
C
= 33A
特点
低V
CE （ON）的
NPT技术，正温度
系数
较低的寄生电容
最小的尾电流
HEXFRED超快软恢复联合包二极管
参数的分布更为紧密
无铅，符合RoHS
汽车合格*
N沟道
等效MOSFET
参数
R
CE （ON）的
（典型值） 。 = 61mΩ
I
D
（ FET当量） = 50A
G
C
E
G
C
E
好处
并联运行较大电流应用
更低的传导损耗和开关损耗
更高的开关频率高达150kHz的
TO-247AC
AUIRGP50B60PD1
TO-247AD
AUIRGP50B60PD1E
绝对最大额定值
G
门
C
集热器
E
辐射源
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只;并且该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作不
implied.Exposure以长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。的耐热性和耐
功率耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非
另有规定ED 。
参数
马克斯。
单位
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 25°C
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FRM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
脉冲集电极电流（参考图C.T.4 ）
钳位感性负载电流
600
75
45
h
V
d
150
150
40
15
60
±20
390
156
-55到+150
°C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
V
W
A
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
最大重复正向电流
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
钎焊温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
e
热阻
参数
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θCS
R
θJA
热阻结到案例 - （每个IGBT ）
热阻结到案例 - （每个二极管）
热电阻，凯斯到水槽（平，润滑表面）
热阻，结到环境（典型的插座安装）
重量
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
–––
6.0 (0.21)
马克斯。
0.32
1.7
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
11/02/10
AUIRGP50B60PD1/AUIRGP50B60PD1E
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
分钟。
600
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
0.31
1.7
2.00
2.45
2.60
3.20
4.0
-10
41
5.0
1.0
1.30
1.20
—
MAX 。单位
—
—
—
2.35
2.85
2.95
3.60
5.0
—
—
500
—
1.70
1.60
±100
nA
V
V
V
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 500A
1MHz时，集电极开路
I
C
= 33A ，V
GE
= 15V
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V
I
C
= 33A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
I
C
= 50A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 125°C
I
C
= 250A
Ref.Fig
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安（ 25 ° C- 125°C ）
4, 5,6,8,9
R
G
V
CE （ON）的
内部栅极电阻
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE （日）
V
GE （日）
/ ΔTJ
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
3.0
—
—
—
—
—
—
—
7,8,9
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 1.0毫安
s V
CE
= 50V ，我
C
= 33A ， PW =为80μs
A
mA
V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 125°C
I
F
= 15A ，V
GE
= 0V
I
F
= 15A ，V
GE
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0V
10
静态或开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gc
Q
ge
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
C
OES
EFF 。
C
OES
EFF 。 （ ER）的
RBSOA
t
rr
Q
rr
I
rr
注意事项：
R
CE （ON）的
（典型值） 。 =等效导通电阻= V
CE （ON）的
（典型值） / I
C
其中V
CE （ON）的
（典型值） = 2.00V和我
C
= 33A 。我
D
管（FET等效）是等效的MOSFET我
D
评级@ 25℃
应用高达150kHz的。这些提供了用于比较目的（只）以等效的MOSFET的解决方案。
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 15V ， L = 28 μH ，R
G
= 22
.
脉冲宽度有限的最大。结温。
能量损失包括"tail"和二极管的反向恢复，数据与使用二极管30ETH06的产生。
C
OES
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OES
而V
CE
上升，从0至80 ％的V
CES
. C
OES
EFF的。 （ER）是一种固定电容，用来存储
相同的能量为C
OES
而V
CE
上升，从0至80 ％的V
CES
.
基于最大允许结温计算的连续电流。封装电流限制为60A 。请注意，从加热所产生的电流限制
该器件引脚可与一些领先的安装布置发生。
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
205
70
30
255
375
630
30
10
130
11
580
480
1060
26
13
146
15
3648
322
56
215
163
MAX 。单位
308
105
45
305
445
750
40
15
150
15
700
550
1250
35
20
165
20
—
—
—
—
—
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
ns
J
ns
J
nC
I
C
= 33A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
条件
Ref.Fig
17
CT1
总栅极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（时间相关）
I
C
= 33A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 3.3Ω ，L = 200μH
TJ = 25°C
CT3
f
I
C
= 33A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 3.3Ω ，L = 200μH
T
J
= 25°C
CT3
f
f
I
C
= 33A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 3.3Ω ，L = 200μH
T
J
= 125°C
I
C
= 33A ，V
CC
= 390V
V
GE
= + 15V ，R
G
= 3.3Ω ，L = 200μH
T
J
= 125°C
CT3
11,13
WF1,WF2
CT3
12,14
WF1,WF2
f
16
有效的输出电容（能源相关）
反向偏置安全工作区
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
g
—
g
—
—
F = 1MHz的
V
GE
= 0V, V
CE
= 0V至480V
T
J
= 150℃，我
C
= 150A
15
3
CT2
完整的正方形
—
—
—
—
—
—
42
74
80
220
4.0
6.5
60
120
180
600
6.0
10
A
nC
ns
V
CC
= 480V ， VP = 600V
RG = 22Ω ，V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
F
= 15A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 15A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
I
F
= 15A ，V
R
= 200V,
的di / dt = 200A / μs的
19
21
19,20,21,22
CT5
2
www.irf.com
AUIRGP50B60PD1/AUIRGP50B60PD1E
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。 IR的工业和
消费类资质等级给予延长汽车更高水平。
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
TO-247AC
TO-247AD
不适用
M4级（ +/- 450V ）
AEC-Q101-002
H2类（ +/- 4500V ）
AEC-Q101-001
C5级（ +/- 1100V ）
AEC-Q101-005
是的
ESD
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
AUIRGP50B60PD1/AUIRGP50B60PD1E
90
80
70
60
450
400
350
300
P合计（W）的
IC （ A）
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T C （ ° C）
T C （ ° C）
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
1000
图。 2
- 功耗与案例
温度
200
180
160
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
100
140
ICE （ A）
120
100
80
60
40
20
IC A）
10
1
10
100
1000
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VCE （ V）
VCE （ V）
图。 3
- 反向偏置SOA
T
J
= 150 ℃; V
GE
=15V
200
180
160
140
ICE （ A）
200
图。 4
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
180
160
140
ICE （ A）
120
100
80
60
40
20
0
0
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
120
100
80
60
40
20
0
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
VGE = 6.0V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VCE （ V）
VCE （ V）
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 125°C ; TP =为80μs
4
www.irf.com
AUIRGP50B60PD1/AUIRGP50B60PD1E
900
800
700
600
ICE （ A）
10
T J = 25°C
T J = 125°C
9
8
7
VCE （ V）
500
400
300
200
100
0
0
5
10
VGE （ V）
15
20
TJ = 125°C
T J = 25°C
6
5
4
3
2
1
0
5
10
VGE （ V）
ICE = 15A
ICE = 33A
ICE = 50A
15
20
图。 7
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V ; TP = 10微秒
10
9
8
7
VCE （ V）
我的SA T N O 5 SF ADCR （E T） -I （ ）
N t个否E ü OWR乌尔
a
A
F
100
图。 8
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
6
5
4
3
2
1
0
5
10
VGE （ V）
ICE = 15A
ICE = 33A
ICE = 50A
10
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
=
25°C
15
20
1
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 125°C
1200
1000
800
能量（ μJ ）
图。 10
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
1000
Swiching时间（纳秒）
宙
600
EOFF
400
200
0
0
10
20
30
IC （ A）
40
50
60
TD关闭
100
tF
Tdon
tR
10
0
10
20
30
40
50
60
IC （ A）
图。 11
- 典型。能量损失与我
C
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，R
G
= 3.3; V
GE
= 15V.
二极管钳位使用： 30ETH06 （见C.T.3 ）
图。 12
- 典型。开关时间与我
C
T
J
= 125°C ; L = 200μH ; V
CE
= 390V ，R
G
= 3.3; V
GE
= 15V.
二极管钳位使用： 30ETH06 （见C.T.3 ）
www.irf.com
5
QQ：2880707522 复制
