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汽车级

特点

AUIRFR8403

AUIRFU8403

HEXFET

功率MOSFET

描述

先进的工艺技术

新的超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

无铅，符合RoHS

汽车合格

DSS

DS （ ON）

典型值。

马克斯。

（硅有限公司）

40V

2.4m

3.1m

127A

100A

专为汽车应用，这HEXFET

功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。的附加功能

这样的设计是175 ° C的结温工作，快速切换

速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能

结合起来，使该设计非常有效和可靠的装置

为在汽车应用和各种其它应用中使用。

（包装有限公司）

应用

电动助力转向系统（ EPS ）

电池开关

启动/停止微型混合动力

重物

DC-DC变换器

套餐类型

标准包装

形式

管

磁带和卷轴

磁带和卷轴左

磁带和卷轴权

管

D- PAK

AUIRFR8403

I- PAK

AUIRFU8403

门

漏

来源

订购信息

基本零件编号

完整型号

QUANTITY

2000

3000

AUIRFR8403

DPAK

AUIRFU8403

IPAK

AUIRFR8403

AUIRFR8403TR

AUIRFR8403TRL

AUIRFR8403TRR

AUIRFU8403

绝对最大额定值

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和功能

该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件，操作不暗示。暴露在绝对最大额定值条件

长时间可能会影响器件的可靠性。热电阻和功率耗散额定值是根据测量板安装和静止的空气中

条件。环境温度（T

）是25℃ ，除非另有说明。

符号

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

@ T

= 25°C

英镑

参数

连续漏电流， V

@ 10V （硅有限公司）

连续漏电流， V

@ 10V （硅有限公司）

连续漏电流， V

@ 10V （包装有限公司）

漏电流脉冲

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

工作结

存储温度范围

焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）

马克斯。

127

520

单位

100

W / ℃，

°C

0.66

± 20

-55 + 175

300

114

148

参见图。 14，15， 24a和24b的

雪崩特性

AS （限热）

AS （测试）

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

单脉冲雪崩能量测试值

重复性雪崩能量

热阻

符号

θJC

θJA

参数

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

典型值。

–––

马克斯。

1.52

110

单位

° C / W

HEXFET

是国际整流器公司的注册商标。

*资质

标准可以在http://www.irf.com/找到

www.irf.com

2013国际整流器

2013年4月25日

AUIRFR/U8403

静态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

（ BR ） DSS

ΔV

（ BR ） DSS

/ΔT

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

内部栅极电阻

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

2.2

–––

条件

––– –––

V V

= 0V时，我

= 250μA

0.03 --- V / ° C参考到25° C，I

= 5毫安

2.4

3.1毫欧V

= 10V ，我

= 76A

3.0

3.9

V V

= V

, I

= 100μA

––– 1.0

= 40V, V

= 0V

μA

––– 150

= 40V, V

= 0V ，T

= 125°C

= 20V

––– 100

––– -100

= -20V

1.5 –––

动态@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

政府飞行服务队

SYNC

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

EFF 。（ ER）的

OSS

EFF 。（ TR）的

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

总栅极电荷同步。（Q

- Q

)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

有效的输出电容（能源相关）

有效的输出电容（时间相关）

分钟。典型值。马克斯。单位

283

–––

3171

477

331

573

681

–––

条件

= 10V ，我

= 76A

=20V

= 10V

= 76A ，V

=0V, V

= 10V

= 26V

= 76A

= 2.7Ω

= 10V

= 0V

= 25V

= 1.0兆赫，参照图五

= 0V, V

= 0V到32V ，参照图11

= 0V, V

= 0V至32V

二极管的特性

符号

dv / dt的

RRM

注意事项：

基于最大允许计算出的连续电流

结温。键合线限流为100A按来源

粘接技术。请注意，从加热所产生的电流限制

该装置的导线可能会与一些领先的安装布置发生。

（参见AN- 1140 ）

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

限制T

JMAX

，起始物为

= 25℃时，L = 0.039mH中，R

= 50Ω,

= 76A ，V

= 10V 。部分不推荐使用上述

此值。

≤

76A ， di / dt的

≤

1255A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

175°C.

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

OSS

EFF 。（TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

上升，从0至80 ％的V

DSS

OSS

EFF 。（ER）是一种固定电容，赋予相同的能量

OSS

而V

上升，从0至80 ％的V

DSS

当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术

请参考应用笔记AN ＃ -994 。

测定在T

大约90℃。

脉冲漏极电流是由源焊接工艺的限制。

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

––– 127

–––

0.9

5.1

1.2

条件

MOSFET符号

520

1.3

–––

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= 76A ，V

= 0V

峰值二极管恢复

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

V / ns的牛逼

= 175 ° C，I

= 76A ，V

= 40V

= 25°C

= 34V,

= 76A

= 125°C

的di / dt = 100A / μs的

= 25°C

= 125°C

一件T

= 25°C

www.irf.com

2013国际整流器

2013年4月25日

AUIRFR/U8403

1000

顶部

VGS

15V

10V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

4.3V

1000

顶部

VGS

15V

10V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

4.5V

4.3V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

4.3V

0.1

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

≤

60μs

脉冲宽度

TJ = 25°C

≤

60μs

脉冲宽度

TJ = 175℃

0.1

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

1000

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

图2 。

典型的输出特性

2.0

ID = 76A

VGS = 10V

1.6

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

T J = 175℃

T J = 25°C

1.2

VDS = 10V

≤60μs

脉冲宽度

0.1

0.8

0.4

-60

-20

100

140

180

TJ ，结温（ ° C）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图3 。

典型的传输特性

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

14.0

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

12.0

10.0

8.0

6.0

4.0

2.0

0.0

ID = 76A

VDS = 32V

VDS = 20V

C，电容（pF ）

10000

西塞

科斯

CRSS

1000

100

0.1

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容与漏 - 源极电压

www.irf.com

2013国际整流器

图6 。

典型栅极电荷与栅极至源极电压

2013年4月25日

AUIRFR/U8403

1000

10000

1000

100

在这一领域

限于由R （上）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

T J = 175℃

100μsec

1msec

10msec

TJ = 25°C

0.1

0.01

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

VSD ，源极到漏极电压（V ）

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

140

120

ID ，漏电流（ A）

V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）

图8 。

最大安全工作区

-60

-20

100

140

180

T J ，温度（° C）

ID = 5.0毫安

不限按包

100

125

150

175

TC ，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

0.5

0.4

0.3

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

图10 。

漏极至源极击穿电压

500

顶部

13A

24A

BOTTOM 76A

400

能量（ μJ ）

0.3

0.2

0.1

0.0

-5

10 15 20 25 30 35 40 45

300

200

100

125

150

175

开始T J ，结温（ ° C）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图11 。

典型的C

OSS

储能

www.irf.com

2013国际整流器

图12 。

最大雪崩能量对比DrainCurrent

2013年4月25日

AUIRFR/U8403

热响应（Z thJC ）° C / W

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.001

0.01

0.1

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图13 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

1000

占空比=单脉冲

雪崩电流（ A）

100

0.01

0.05

0.10

允许雪崩电流与雪崩

脉宽， TAV ，假设

-Tj

= 150 ℃，并

T开始= 25 ° C（单脉冲）

允许雪崩电流与雪崩

脉宽， TAV ，假设

ΔΤ

J = 25 ℃，并

T开始= 150℃。

0.1

1.0E-06

1.0E-05

1.0E-04

TAV （秒）

1.0E-03

1.0E-02

1.0E-01

图14 。

典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth

120

100

125

150

175

开始T J ，结温（ ° C）

顶部

单脉冲

BOTTOM 1.0 ％占空比

ID = 76A

对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15

（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）

1.雪崩失效的假设：

纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度

多余的T

JMAX

。这验证了每一部分的类型。

在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST

JMAX

不超标。

下面3.方程基于电路和在图24a所示的波形和24b 。

4. P

D（ AVE ）

=每单脉冲雪崩平均功耗。

5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高

在雪崩）。

6. I

=允许雪崩电流。

ΔT

允许上升的结温，不超过牛逼

JMAX

（假定为

25℃下在图14中， 15）。

AV =

平均时间在雪崩。

D =占空比雪崩= T

·f

thJC

（ D，T

） =瞬态热阻，参见图13 ）

D（ AVE ）

= 1/2（ 1.3 BV · ·我

) =

DT /

thJC

= 2DT / [1.3 BV · ·

]

AS （ AR ）

= P

D（ AVE ）

·t

图15 。

最大雪崩能量比。温度

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2013国际整流器

2013年4月25日

EAR ，雪崩能量（兆焦耳）