PD - 97452
汽车级
特点
l
l
l
l
l
l
l
HEXFET
功率MOSFET
D
AUIRFR4104
AUIRFU4104
40V
5.5m
119A
42A
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
G
S
I
D（包装有限公司）
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这种设计的附加特征是一个
175 ℃的结的工作温度，快速开关
速度和改进的重复雪崩额定值。这些
特点相结合，使这个设计非常
高效，可靠的装置，用于在汽车应用程序使用
阳离子和各种各样的其它应用。
D
S
D- PAK
AUIRFR4104
G
D
G
I- PAK
AUIRFU4104
S
D
G
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
119
84
42
480
140
0.95
± 20
145
310
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
h
d
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
g
300
10磅的（ 1.1N M）
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
y
y
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.05
40
110
单位
° C / W
i
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
02/10/2010
AUIRFR/U4104
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
58
–––
–––
–––
–––
–––
0.032
4.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5
4.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 42A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
s V
DS
= 10V ，我
D
= 42A
μA V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
59
19
24
17
69
37
36
4.5
7.5
2950
660
370
2130
590
850
89
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 42A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 42A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
pF
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
f
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
24
42
A
480
1.3
42
36
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 42A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 42A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
2
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AUIRFR/U4104
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
点评：这部分号码通过汽车认证。 IR的
工业和消费水平的资格授予通过扩展的
较高的汽车级别。
D- PAK
I- PAK
一流的M4
AEC-Q101-002
类H1C
AEC-Q101-001
C3类
AEC-Q101-005
是的
MSL1
MSL1
湿度敏感度等级
机器型号
人体模型
带电器件
模型
符合RoHS
ESD
??资格标准可在国际整流器公司？的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
????例外AEC- Q101的要求指出，在鉴定报告。
www.irf.com
3
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20
ID = 42A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5000
4000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
16
VDS = 32V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
3000
西塞
12
2000
8
1000
科斯
CRSS
4
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
1000
T J = 175℃
100
100sec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
10msec
10.0
T J = 25°C
1.0
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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AUIRFU4104
特点
l
l
l
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先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
40V
5.5m
119A
42A
G
S
I
D（包装有限公司）
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这种设计的附加特征是一个
175 ℃的结的工作温度，快速开关
速度和改进的重复雪崩额定值。这些
特点相结合，使这个设计非常
高效，可靠的装置，用于在汽车应用程序使用
阳离子和各种各样的其它应用。
D
S
D- PAK
AUIRFR4104
G
D
G
I- PAK
AUIRFU4104
S
D
G
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门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
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@T
C
= 25°C
V
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E
AS
E
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（测试）
I
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AR
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英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
119
84
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480
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0.95
± 20
145
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看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
h
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W / ℃，
V
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A
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10磅的（ 1.1N M）
热阻
R
θJC
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θJA
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结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
y
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参数
典型值。
–––
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单位
° C / W
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静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
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/T
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R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
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条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 42A
V V
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= V
GS
, I
D
= 100A
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DS
= 10V ，我
D
= 42A
μA V
DS
= 40V, V
GS
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V
DS
= 40V, V
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= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
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24
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条件
I
D
= 42A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 42A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
pF
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
f
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
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28
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A
480
1.3
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V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 42A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 42A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
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20
ID = 42A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5000
4000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
16
VDS = 32V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
3000
西塞
12
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科斯
CRSS
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1
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40
60
80
100
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
1000
T J = 175℃
100
100sec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
10msec
10.0
T J = 25°C
1.0
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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汽车级
特点
l
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HEXFET
功率MOSFET
D
AUIRFR4104
AUIRFU4104
40V
5.5m
119A
42A
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
G
S
I
D（包装有限公司）
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这种设计的附加特征是一个
175 ℃的结的工作温度，快速开关
速度和改进的重复雪崩额定值。这些
特点相结合，使这个设计非常
高效，可靠的装置，用于在汽车应用程序使用
阳离子和各种各样的其它应用。
D
S
D- PAK
AUIRFR4104
G
D
G
I- PAK
AUIRFU4104
S
D
G
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
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@ T
C
= 25°C
I
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= 25°C
V
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E
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（测试）
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英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
119
84
42
480
140
0.95
± 20
145
310
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
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W / ℃，
V
mJ
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mJ
°C
g
300
10磅的（ 1.1N M）
热阻
R
θJC
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θJA
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结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
y
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典型值。
–––
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马克斯。
1.05
40
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单位
° C / W
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静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
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（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
58
–––
–––
–––
–––
–––
0.032
4.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5
4.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 42A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
s V
DS
= 10V ，我
D
= 42A
μA V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
59
19
24
17
69
37
36
4.5
7.5
2950
660
370
2130
590
850
89
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 42A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 42A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
pF
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
f
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
24
42
A
480
1.3
42
36
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 42A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 42A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
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2
AUIRFR/U4104
20
ID = 42A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5000
4000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
16
VDS = 32V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
3000
西塞
12
2000
8
1000
科斯
CRSS
4
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
1000
T J = 175℃
100
100sec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
10msec
10.0
T J = 25°C
1.0
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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5
汽车级
特点
l
l
l
l
l
l
l
HEXFET
功率MOSFET
D
AUIRFR4104
AUIRFU4104
40V
5.5m
119A
42A
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D（硅有限公司）
G
S
I
D（包装有限公司）
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这种设计的附加特征是一个
175 ℃的结的工作温度，快速开关
速度和改进的重复雪崩额定值。这些
特点相结合，使这个设计非常
高效，可靠的装置，用于在汽车应用程序使用
阳离子和各种各样的其它应用。
D
S
D- PAK
AUIRFR4104
G
D
G
I- PAK
AUIRFU4104
S
D
G
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
马克斯。
119
84
42
480
140
0.95
± 20
145
310
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
h
d
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
g
300
10磅的（ 1.1N M）
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
y
y
j
参数
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.05
40
110
单位
° C / W
i
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1
AUIRFR/U4104
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.0
58
–––
–––
–––
–––
–––
0.032
4.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5
4.0
–––
20
250
200
-200
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 42A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
s V
DS
= 10V ，我
D
= 42A
μA V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
e
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
59
19
24
17
69
37
36
4.5
7.5
2950
660
370
2130
590
850
89
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 42A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 42A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
铅之间，
e
e
ns
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
pF
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
f
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
28
24
42
A
480
1.3
42
36
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 42A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 42A ，V
DD
= 20V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
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AUIRFR/U4104
20
ID = 42A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
5000
4000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
16
VDS = 32V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
3000
西塞
12
2000
8
1000
科斯
CRSS
4
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
1000
T J = 175℃
100
100sec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0
1
10
10msec
10.0
T J = 25°C
1.0
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
VSD ，源toDrain电压（ V）
0.1
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
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