汽车级
特点
l
l
l
l
l
l
l
AUIRFS8405
AUIRFSL8405
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
新的超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
40V
1.9m
2.3m
193A
120A
c
描述
专为汽车应用，这
HEXFET功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现每个硅极低的导通电阻
区。这种设计的附加功能是175 ° C的结
工作温度，快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车应用和各种其他应用程序。
D
D
应用
l
l
l
l
l
G
2
PAK
D
AUIRFS8405
D
S
S
D
G
TO-262
AUIRFSL8405
电动助力转向系统（ EPS ）
电池开关
启动/停止微型混合动力
重物
DC- DC应用
G
门
D
漏
S
来源
基本零件编号
AUIRFSL8405
AUIRFS8405
套餐类型
TO-262
D2Pak
标准包装
形式
管
管
磁带和卷轴左
磁带和卷轴权
完整型号
QUANTITY
50
50
800
800
AUIRFSL8405
AUIRFS8405
AUIRFS8405TRL
AUIRFS8405TRR
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散额定值下测
电路板安装和静止空气条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
马克斯。
193
137
120
904
163
1.1
c
c
单位
A
d
W
W / ℃，
V
°C
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
± 20
-55 + 175
300
10lbf在（ 1.1N M）
x
x
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
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2013年4月30日
AUIRFS/SL8405
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
193
d
f
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
D
MOSFET符号
展示
A
G
整体反转
––– ––– 904
S
p-n结二极管。
–––
0.9
1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 100A ，V
GS
= 0V
–––
1.7
--- V / ns的牛逼
J
= 175 ° C，I
S
= 100A ，V
DS
= 40V
–––
44
–––
T
J
= 25°C
V
R
= 34V,
ns
I
F
= 100A
–––
45
–––
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
–––
44
–––
T
J
= 25°C
nC
–––
46
–––
T
J
= 125°C
–––
1.9
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
条件
g
g
注意事项：
基于最大允许计算出的连续电流
结温。键合线限流是120A 。注意
从设备引线加热所产生的电流限制可能
出现了一些领先的安装布置。
（参见AN- 1140 ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.036mH中，R
G
= 50,
I
AS
= 100A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用上述
此值。
I
SD
≤
100A ， di / dt的
≤
1295A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术
请参考应用笔记AN ＃ -994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
R
θJC
所示的值是在零时间。
3
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AUIRFS/SL8405
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
10
4.5V
1
0.1
1
4.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
10
100
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID = 100A
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS = 10V
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
VDS = 10V
≤60s
脉冲宽度
1.0
2
3
4
5
6
7
8
9
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
ID = 100A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 32V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
20
40
60
80
100
120
140
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
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图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
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1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
T J = 175℃
100
1000
100sec
100
不限按包
1msec
10
T J = 25°C
10
10msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
DC
VGS = 0V
1.0
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
200
不限按包
150
图8 。
最大安全工作区
50
ID = 1.0毫安
48
ID ，漏电流（ A）
46
100
44
50
42
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
40
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
0.9
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图10 。
漏极至源极击穿电压
800
700
600
500
400
300
200
100
0
ID
顶部
17A
36A
BOTTOM 100A
0.8
0.7
0.6
能量（ μJ ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
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图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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