汽车级
特点
l
l
l
l
l
l
l
AUIRFS8408
AUIRFSL8408
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
40V
1.3m
Ω
1.6m
Ω
317A
195A
先进的工艺技术
新的超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
c
描述
专为汽车应用，这HEXFET
功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结的工作温度，快速
开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些
功能相结合，使这款产品非常有效，
在汽车和其他各种使用可靠的设备
应用程序。
D
D
D
G
S
S
G
G
D
S
应用
l
l
l
l
l
电动助力转向系统（ EPS ）
电池开关
启动/停止微型混合动力
重物
SMPS
套餐类型
TO-262
D
2
PAK
标准包装
形式
管
管
磁带和卷轴左
磁带和卷轴权
D
2
PAK
AUIRFS8408
TO-262
AUIRFSL8408
G
D
S
门
漏
来源
订购信息
基本零件编号
AUIRFSL8408
AUIRFS8408
完整型号
QUANTITY
50
50
800
800
AUIRFSL8408
AUIRFS8408
AUIRFS8408TRL
AUIRFS8408TRR
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散额定值下测
电路板安装和静止空气条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
ST克
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
d
224
195
1270
l
317
294
1.96
± 20
-55 + 175
马克斯。
单位
A
W
W / ℃，
V
°C
300
490
800
参见图。 14，15， 24a和24b的
雪崩特性
E
AS （T hermall 升IMI TED）
E
AS （测试）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
e
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
d
e
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳
d
参数
结到环境（印刷电路板安装）
k
典型值。
马克斯。
0.51
40
单位
° C / W
j
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
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2013国际整流器
2013年4月25日
AUIRFS/SL8408
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
参数
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
I
DSS
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
R
G
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
参数
政府飞行服务队
正向跨导
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源极充电
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
Q
SYNC
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
有效的输出电容（能源相关）
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
有效的输出电容（时间相关）
二极管的特性
符号
参数
连续源电流
I
S
（体二极管）
脉冲源电流
I
SM
（体二极管）
V
SD
二极管的正向电压
dv / dt的
峰值二极管恢复
反向恢复时间
t
rr
I
GSS
分钟。
40
–––
–––
2.2
–––
–––
–––
–––
–––
分钟。
211
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.032
1.3
3.0
–––
–––
–––
–––
2.1
典型值。
–––
216
51
77
139
29
202
108
119
10820
1540
1140
1880
2208
典型值。
–––
–––
0.9
5.0
38
37
50
50
1.9
马克斯。
–––
–––
1.6
3.9
1.0
150
100
-100
–––
马克斯。
–––
324
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
马克斯。
317
单位
V
V /°C的
mΩ
V
μA
nA
Ω
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
参考至25℃ ，我
D
= 5毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 100A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
d
单位
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 100A
S
I
D
= 100A
V
DS
=20V
nC
V
GS
= 10V
I
D
= 100A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 26V
I
D
= 100A
ns
R
G
= 2.4Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
pF的 = 1.0兆赫，参照图五
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V见图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
g
g
h
i
c
l
单位
c
1270
1.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
f
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
条件
MOSFET符号
展示
A
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 100A ，V
GS
= 0V
V
V / ns的牛逼
J
= 175 ° C，I
S
= 100A ，V
DS
= 40V
T
J
= 25°C
V
R
= 34V,
ns
I
F
= 100A
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
的di / dt = 100A / μs的
nC
T
J
= 125°C
A
T
J
= 25°C
D
g
S
注意事项：
基于最大允许计算出的连续电流
结温。键合线限流195A是由源
粘接技术。请注意，从产生电流限制
该装置引线加热可能会与一些领先的安装出现
安排。 （参见AN- 1140 ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.099mH中，R
G
= 50Ω,
I
AS
= 100A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用上述
此值。
I
SD
≤
100A ， di / dt的
≤
1307A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术
请参考应用笔记AN ＃ -994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
脉冲漏极电流是由源焊接工艺的限制。
2
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2013年4月25日
AUIRFS/SL8408
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
4.5V
10
1
4.5V
≤
60μs
脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
≤
60μs
脉冲宽度
TJ = 175℃
1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
ID = 100A
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
T J = 175℃
10
TJ = 25°C
1
VDS = 10V
≤60μs
脉冲宽度
0.1
2
4
6
8
10
-60
-20
20
60
100
140
180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
1000000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
ID = 100A
VDS = 32V
VDS = 20V
100000
C，电容（pF ）
10000
西塞
CRSS
科斯
1000
100
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
50
100
150
200
250
300
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
3
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图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
2013年4月25日
AUIRFS/SL8408
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
1000
100μsec
100
不限按包
1msec
10
T J = 25°C
10
10msec
1
VGS = 0V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
DC
0.1
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
350
300
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
-60
-20
20
60
100
140
180
T J ，温度（° C）
ID = 5.0毫安
不限按包
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
1.6
1.4
1.2
图10 。
漏极至源极击穿电压
2500
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
2000
ID
顶部
25A
52A
BOTTOM 100A
能量（ μJ ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
1500
1000
500
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图11 。
典型的C
OSS
储能
4
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图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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1
热响应（Z thJC ）° C / W
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.001
0.0001
1E-006
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
0.10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
ΔΤ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
TAV （秒）
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
600
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 ％占空比
ID = 100A
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图24a所示的波形和24b 。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
ΔT
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
5
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2013年4月25日
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
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