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汽车级
特点
l
l
l
l
l
l
l
AUIRFS8405
AUIRFSL8405
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
新的超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅,符合RoHS
汽车合格*
G
S
V
DSS
R
DS ( ON)
典型值。
马克斯。
I
D(硅有限公司)
I
D(包装有限公司)
40V
1.9m
2.3m
193A
120A
c
描述
专为汽车应用,这
HEXFET功率MOSFET采用了最新的处理
技术,以实现每个硅极低的导通电阻
区。这种设计的附加功能是175 ° C的结
工作温度,快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些功能结合起来,使
这种设计非常有效和可靠的装置,用于使用
在汽车应用和各种其他应用程序。
D
D
应用
l
l
l
l
l
G
2
PAK
D
AUIRFS8405
D
S
S
D
G
TO-262
AUIRFSL8405
电动助力转向系统( EPS )
电池开关
启动/停止微型混合动力
重物
DC- DC应用
G
D
S
来源
基本零件编号
AUIRFSL8405
AUIRFS8405
套餐类型
TO-262
D2Pak
标准包装
形式
磁带和卷轴左
磁带和卷轴权
完整型号
QUANTITY
50
50
800
800
AUIRFSL8405
AUIRFS8405
AUIRFS8405TRL
AUIRFS8405TRR
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作,是不是暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散额定值下测
电路板安装和静止空气条件。环境温度(T
A
)是25℃ ,除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, V
GS
@ 10V (包装有限公司)
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
马克斯。
193
137
120
904
163
1.1
c
c
单位
A
d
W
W / ℃,
V
°C
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
焊接温度, 10秒(从案例1.6毫米)
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
± 20
-55 + 175
300
10lbf在( 1.1N M)
x
x
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
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2013国际整流器
2013年4月30日
AUIRFS/SL8405
雪崩特性
E
AS (限热)
E
AS (测试)
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
e
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
d
l
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
d
181
247
参见图。 14,15, 24a和24b的
mJ
A
mJ
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装)
kl
参数
典型值。
马克斯。
0.92
40
单位
° C / W
j
40
–––
–––
2.2
–––
–––
–––
–––
–––
––– –––
0.026 –––
1.9
2.3
3.0
3.9
–––
1.0
––– 150
––– 100
––– -100
2.3
–––
–––
–––
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
V
V /°C的
m
V
A
nA
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
参考至25℃ ,我
D
= 1.0毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 100A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
g
d
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 ( ER)的
C
OSS
EFF 。 ( TR)的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
总栅极电荷同步。 (Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容(能源相关)
有效的输出电容(时间相关)
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
107
29
39
68
14
128
55
77
5193
754
519
878
1225
–––
161
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
条件
V
DS
= 10V ,我
D
= 100A
I
D
= 100A
V
DS
=20V
V
GS
= 10V
I
D
= 100A ,V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 26V
I
D
= 100A
R
G
= 2.7
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0兆赫,参照图五
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V到32V ,参照图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
g
ns
g
pF
i
h
2
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2013国际整流器
2013年4月30日
AUIRFS/SL8405
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
峰值二极管恢复
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
193
d
f
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
D
MOSFET符号
展示
A
G
整体反转
––– ––– 904
S
p-n结二极管。
–––
0.9
1.3
V T,
J
= 25 ° C,I
S
= 100A ,V
GS
= 0V
–––
1.7
--- V / ns的牛逼
J
= 175 ° C,I
S
= 100A ,V
DS
= 40V
–––
44
–––
T
J
= 25°C
V
R
= 34V,
ns
I
F
= 100A
–––
45
–––
T
J
= 125°C
的di / dt = 100A / μs的
–––
44
–––
T
J
= 25°C
nC
–––
46
–––
T
J
= 125°C
–––
1.9
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
条件
g
g
注意事项:
基于最大允许计算出的连续电流
结温。键合线限流是120A 。注意
从设备引线加热所产生的电流限制可能
出现了一些领先的安装布置。
(参见AN- 1140 )
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
限制T
JMAX
,起始物为
J
= 25℃时,L = 0.036mH中,R
G
= 50,
I
AS
= 100A ,V
GS
= 10V 。部分不推荐使用上述
此值。
I
SD
100A , di / dt的
1295A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
175°C.
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
C
OSS
EFF 。 (TR)是一个固定的电容,赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 (ER)是一种固定电容,赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
.
当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术
请参考应用笔记AN # -994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
R
θJC
所示的值是在零时间。
3
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2013国际整流器
2013年4月30日
AUIRFS/SL8405
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
底部
ID ,漏极 - 源极电流(A )
底部
100
10
4.5V
1
0.1
1
4.5V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
10
100
0.1
1
10
100
V DS ,漏极至源极电压( V)
V DS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
2.0
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
(归一化)
ID = 100A
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
ID ,漏极 - 源极电流(A )
VGS = 10V
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
VDS = 10V
≤60s
脉冲宽度
1.0
2
3
4
5
6
7
8
9
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ,结温( ° C)
VGS ,栅 - 源极电压( V)
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ,C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
ID = 100A
VGS ,栅 - 源极电压( V)
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
VDS = 32V
VDS = 20V
C,电容(pF )
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
VDS ,漏极至源极电压( V)
100
0
20
40
60
80
100
120
140
QG ,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
4
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2013国际整流器
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
2013年4月30日
AUIRFS/SL8405
1000
10000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
T J = 175℃
100
1000
100sec
100
不限按包
1msec
10
T J = 25°C
10
10msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
DC
VGS = 0V
1.0
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
VSD ,源极到漏极电压(V )
0.1
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
V( BR ) DSS ,漏极至源极击穿电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
200
不限按包
150
图8 。
最大安全工作区
50
ID = 1.0毫安
48
ID ,漏电流( A)
46
100
44
50
42
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ,外壳温度( ° C)
40
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ,温度(° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
0.9
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
图10 。
漏极至源极击穿电压
800
700
600
500
400
300
200
100
0
ID
顶部
17A
36A
BOTTOM 100A
0.8
0.7
0.6
能量( μJ )
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
25
50
75
100
125
150
175
VDS ,漏极至源极电压( V)
开始T J ,结温( ° C)
图11 。
典型的C
OSS
储能
5
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2013国际整流器
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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