汽车级
PD - 96401A
特点
l
l
l
l
l
l
l
l
AUIRFS3206
AUIRFSL3206
HEXFET
功率MOSFET
D
先进的工艺技术
超低导通电阻
增强的dv / dt和di / dt的能力
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
G
S
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
（硅有限公司）
I
D
（包装有限公司）
D
60V
2.4m
:
3.0m
:
210A
120A
c
描述
专为汽车应用，这
HEXFET
功率MOSFET采用了最新的处理
技术，以实现每个硅极低的导通电阻
区。这种设计的附加功能是175 ° C的结
工作温度，快速开关速度和改进的
重复雪崩额定值。这些功能结合起来，使
这种设计非常有效和可靠的装置，用于使用
在汽车应用和各种其它的
应用程序。
G
D
S
G
D
S
D
2
PAK
AUIRFS3206
G
D
TO-262
AUIRFSL3206
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些都是强调
只有等级;和
该设备运行在这些或超出了规格标明的任何其他条件
是不是implied.Exposure
以长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。热
电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件下测得的。环境温度（T
A
)
是25 ℃，除非另有规定。
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
d
d
e
f
d
210
150
120
840
300
2.0
± 20
170
参见图。 14，15， 22A，22B，
5.0
-55 + 175
300
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装） ，D
2
PAK
k
参数
典型值。
马克斯。
0.50
40
单位
° C / W
j
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
09/06/11
AUIRFS/SL3206
静态特性@ T
J
= 25 ° C（除非另有说明）
参数
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
R
G
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
内部栅极电阻
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
60
–––
–––
2.0
210
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.07
2.4
–––
–––
0.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
3.0
4.0
–––
–––
20
250
100
-100
条件
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 150μA
s V
DS
= 50V ，我
D
= 75A
Ω
V
DS
=60V, V
GS
= 0V
μA
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
nA
V
GS
= -20V
g
d
动态特性@ T
J
= 25 ° C（除非另有说明）
参数
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
120
29
35
85
19
82
55
83
6540
720
360
1040
1230
170
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nC
条件
I
D
= 75A
V
DS
=30V
V
GS
= 10V
I
D
= 75A ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 30V
I
D
= 75A
R
G
=2.7Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的，参见图5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至48V ，参见图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至48V
g
ns
g
pF
h
i
h
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
––– 210
–––
条件
MOSFET符号
D
A
d
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
p-n结二极管。
––– –––
1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
V
R
= 51V,
–––
33
50
ns
T
J
= 125°C
I
F
= 75A
–––
37
56
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
–––
41
62
nC
T
J
= 125°C
–––
53
80
–––
2.1
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
840
展示
整体反转
G
S
g
g
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。键合线限流是120A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.023mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 120A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
360A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
2
www.irf.com
AUIRFS/SL3206
QUALI科幻阳离子信息
汽车
（每AEC- Q101 ）
资质等级
评论：
这部分
通过号码
汽车的资格。 IR的工业和
消费类资质等级授予
延长汽车更高水平。
3L -D2 PAK
3L-TO-262
MSL1
不适用
M4级（ +/- 800V ）
（每AEC- Q101-002 ）
H2类（ +/- 4000V ）
（每AEC- Q101-001 ）
C5级（ +/- 2000V ）
（每AEC- Q101-005 ）
是的
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
带电器件模型
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到： HTTP // www.irf.com /
例外（如果有的话），以AEC - Q101的要求都注意到，在鉴定报告。
最高电压合格
www.irf.com
3
AUIRFS/SL3206
1000
顶部
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
顶部
底部
VGS
15V
10V
8.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
4.5V
100
100
4.5V
4.5V
10
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
10
10
100
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
2.5
100
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 75A
VGS = 10V
2.0
TJ = 175℃
10
1.5
TJ = 25°C
1
1.0
VDS = 25V
≤
在60μs脉冲宽度
0.1
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
12000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
8000
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
20
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 75A
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
10000
16
C，电容（pF ）
西塞
12
6000
8
4000
4
2000
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
0
40
80
120
160
200
QG总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
4
www.irf.com
AUIRFS/SL3206
1000
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ISD ，反向漏电流（ A）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
TJ = 175℃
1000
1msec
100μsec
100
10
TJ = 25°C
10
10msec
1
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
DC
0.1
100
VDS ，漏toSource电压（V ）
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
240
200
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压
80
不限按包
ID = 5毫安
75
160
120
80
40
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
70
65
60
55
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
2.0
图10 。
漏极至源极击穿电压
800
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
1.5
600
I D
顶部
21A
33A
底部
120A
能量（ μJ ）
1.0
400
0.5
200
0.0
0
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
www.irf.com
5
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