汽车级
特点
l
l
l
l
l
l
l
AUIRFR8405
AUIRFU8405
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
新的超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格
*
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
D
D
D
40V
1.65mΩ
1.98mΩ
211A
描述
专为汽车应用，这HEXFET
功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作，快速切换
速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使该设计非常有效和可靠的装置
为在汽车应用和各种其它应用中使用。
c
100A
应用
l
l
l
l
l
G
S
S
G
电动助力转向系统（ EPS ）
电池开关
启动/停止微型混合动力
重物
DC-DC变换器
标准包装
形式
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴左
磁带和卷轴权
管
D- PAK
AUIRFR8405
S
D
G
I- PAK
AUIRFU8405
G
D
S
门
QUANTITY
75
2000
3000
3000
75
漏
来源
订购信息
底座部分
套餐类型
AUIRFR8405
DPAK
完整型号
AUIRFR8405
AUIRFR8405TR
AUIRFR8405TRL
AUIRFR8405TRR
AUIRFU8405
AUIRFU8405
IPAK
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和功能
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件，操作不暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。热电阻和功率耗散额定值是根据测量板安装和静止的空气中
条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
焊接温度， 10秒（从案例1.6毫米）
马克斯。
211
150
100
804
163
1.1
± 20
-55 + 175
单位
A
d
l
W
W / ℃，
V
°C
300
208
256
参见图。 14，15， 24a和24b的
雪崩特性
E
AS （限热）
E
AS （测试）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
重复性雪崩能量
e
d
e
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
R
θ
JA
d
j
参数
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
kl
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
0.92
50
110
单位
° C / W
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
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2013国际整流器
2013年4月30日
AUIRFR/U8405
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
ΔV
（ BR ） DSS
/ΔT
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
40
–––
–––
2.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.03
1.65
3.0
–––
–––
–––
–––
2.3
条件
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 5毫安
1.98毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 90A**
3.9
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
1.0
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
μA
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
150
V
GS
= 20V
100
nA
-100
V
GS
= -20V
Ω
–––
g
d
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效的输出电容（能源相关）
有效的输出电容（时间相关）
分钟。典型值。马克斯。单位
294
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
103
26
38
65
12
80
51
51
5171
770
523
939
1054
–––
155
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 90A**
I
D
= 90A **
V
DS
=20V
V
GS
= 10V
I
D
= 90A ** ，V
DS
=0V, V
GS
= 10V
V
DD
= 26V
I
D
= 90A**
R
G
= 2.7Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0兆赫，参照图五
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V到32V ，参照图11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
g
g
ns
pF
i
h
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
I
RRM
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 211
–––
0.9
2.1
28
29
19
20
1.1
d
804
l
1.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
条件
MOSFET符号
D
A
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 90A**
G
峰值二极管恢复
反向恢复时间
e
V
反向恢复电荷
反向恢复电流
V / ns的牛逼
J
=
T
J
=
ns
T
J
=
T
J
=
nC
T
J
=
一件T
J
=
175 ° C，I
S
= 90A ** ，V
DS
= 40V
25°C
V
R
= 34V,
125°C
I
F
= 90A**
的di / dt = 100A / μs的
25°C
125°C
25°C
, V
GS
= 0V
g
S
g
基于最大允许计算出的连续电流
结温。键合线限流为100A
按来源
粘接技术。
请注意，从加热所产生的电流限制
该装置的导线可能会与一些领先的安装布置发生。
（参见AN- 1140 ）
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术
请参考应用笔记AN ＃ -994 。
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
脉冲漏极电流是由源焊接工艺的限制。
**
所有基于旧的包交直流试验条件
不限电流= 90A 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.051mH中，R
G
= 50Ω,
I
AS
= 90A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用上述
此值。
I
SD
≤
90A ， di / dt的
≤
1304A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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2013年4月30日
AUIRFR/U8405
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.8V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
4.8V
4.8V
10
≤
60μs
脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
≤
60μs
脉冲宽度
TJ = 175℃
10
0.1
1
10
100
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
2.0
ID = 90A
1.6
VGS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
T J = 175℃
10
T J = 25°C
1.2
1
VDS = 10V
≤60μs
脉冲宽度
0.1
2
3
4
5
6
7
8
0.8
0.4
-60
-20
20
60
100
140
180
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
ID = 90A
VDS = 32V
VDS = 20V
C，电容（pF ）
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
0
20
40
60
80
100
120
140
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
3
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图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
2013年4月30日
AUIRFR/U8405
1000
10000
在这一领域
限于由R （上）
DS
ISD ，反向漏电流（ A）
100
T J = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
1000
100μsec
100
不限按包
10
TJ = 25°C
10msec
10
1msec
DC
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
0.1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
240
210
180
150
120
90
60
30
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
不限按包
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
48
ID = 5.0毫安
47
46
45
44
43
42
41
40
-60
-20
20
60
100
140
180
T J ，温度（° C）
ID ，漏电流（ A）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图10 。
漏极至源极击穿电压
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
ID
顶部
18A
37A
BOTTOM 90A
0.8
0.7
0.6
能量（ μJ ）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-5
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
4
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图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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10
热响应（Z thJC ）° C / W
1
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.01
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
0.0001
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
0.01
0.05
10
0.10
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
ΔΤ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
1.0E-03
TAV （秒）
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
250
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 ％占空比
ID = 90A
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
200
150
100
50
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图24a所示的波形和24b 。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
ΔT
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
图15 。
最大雪崩能量比。温度
5
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