汽车级
AUIRFR8401
AUIRFU8401
HEXFET
功率MOSFET
特点
先进的工艺技术
新的超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
V
DSS
R
DS （ ON） （典型值） 。
40V
3.2m
4.25m
100A
100A
G
S
最大
I
D（硅有限公司）
I
D（包装有限公司）
描述
专为汽车应用，这HEXFET
动力
MOSFET的采用了最新的加工技术，以实现低导通
每硅片面积的阻力。这样做的好处结合快速开关
速度和坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET是
众所周知，为设计者提供了一个非常有效和可靠的
装置，用于在汽车的使用和各种其他应用程序。
应用
Electric
助力转向（ EPS ）
电池开关
启动/停止微型混合动力
重物
DC -DC
变流器
订购信息
基本零件编号
AIRFR8401
套餐类型
D
-
PAK
标准包装
形式
QUANTITY
管
75
磁带和卷轴
2000
磁带和卷轴左
3000
磁带和卷轴权
3000
管
75
D- PAK
AUIRFR8401
G
D
I- PAK
AUIRFU8401
S
门
漏
来源
完整型号
AUIRFR8401
AUIRFR8401TR
AUIRFR8401TRL
AUIRFR8401TRR
AUIRFU8401
AUIRFU8401
I- PAK
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些
只是应力额定值;并且该设备在这些或超出在标明的任何其他条件的功能操作
规格不implied.Exposure绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件
可靠性。热电阻和功耗额定值下板安装和静止空气条件测定
系统蒸发散。环境温度（TA ）为25℃ ，除非另有说明。
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
工作结
存储温度范围
马克斯。
100
71
100
400
79
0.53
± 20
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
T
J
T
英镑
HEXFET是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
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AUIRFR_U8401
67
94
参照图14 ，图15， 24a和24b的
雪崩特性
E
AS （限热）
单脉冲雪崩能量
E
AS （测试）
单脉冲雪崩能量测试值
I
AR
雪崩电流
重复性雪崩能量
E
AR
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
结到外壳
结到环境（ PCB安装）
结到环境
mJ
A
mJ
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.9
50
110
单位
° C / W
静态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
40
–––
–––
V
--- --- 0.035 V / ℃，
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
–––
3.2
4.25
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
m
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
2.2
–––
3.9
V
I
DSS
漏极至源极漏电流
–––
–––
1.0
A
–––
–––
150
A
I
GSS
栅 - 源正向漏
–––
–––
100
nA
I
GSS
栅 - 源反向漏
–––
––– -100
nA
R
G
内部栅极电阻
–––
2.0
–––
动态电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
政府飞行服务队
正向跨导
198
–––
–––
Q
g
总栅极电荷
–––
42
63
Q
gs
栅极 - 源极充电
–––
12
–––
S
Q
gd
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
–––
14
–––
Q
SYNC
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
–––
28
–––
t
D（上）
导通延迟时间
–––
7.9
–––
t
r
上升时间
–––
34
–––
ns
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
–––
25
–––
下降时间
–––
24
–––
t
f
C
国际空间站
输入电容
––– 2200 –––
C
OSS
输出电容
–––
340
–––
C
RSS
反向传输电容
–––
205
–––
C
OSS
EFF 。 （ ER ）的有效输出电容
–––
410
–––
pF
（能源相关）
–––
495
–––
C
OSS
EFF 。 （ TR ）有效输出电容
（时间相关）
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A
I
D
= 60A
V
DS
= 20V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 30A
R
G
= 2.7
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0 MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V ，见
图。 11
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至32V
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。套餐限制电流为100A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。 （参见AN- 1140 ）
*重复
评级;脉冲宽度有限的最大值。结温。
Limited
经t
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.037mH
R
G
= 50, I
AS
= 60A ，V
GS
=10V.
SD
60A ， di / dt的
918A / μs的，V
DD
V
（ BR ） DSS
, T
J
175°C.
I
脉冲
宽度
400μS ;占空比
2%.
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
C
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同
能为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
When
安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术参考
应用笔记＃ AN- 994 。
R
测定在T
J
大约90℃。
从样品失效的人口决定了这个值，
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.037mH中，R
G
= 25, I
AS
= 60A ，V
GS
=10V.
2
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AUIRFR_U8401
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
dv / dt的
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
连续源电流
（体二极管） ？
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
峰值二极管恢复dv / dt
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
––– 100
A
–––
–––
3.2
28
29
28
31
1.6
400
1.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
D
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 60A ，V
GS
= 0V
V / ns的牛逼
J
= 175 ° C，I
S
=60A,V
DS
= 40V
T
J
= 25°C
V
DD
= 34V
ns
T
J
= 125°C
I
F
= 60A,
T
J
= 25°C时的di / dt = 100A / μs的
nC
T
J
= 125°C
一件T
J
= 25°C
3
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1000
顶部
VGS
15V
10V
7.0V
6.0V
5.5V
5.3V
5.0V
4.8V
1000
顶部
VGS
15V
10V
7.0V
6.0V
5.5V
5.3V
5.0V
4.8V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
底部
10
10
1
4.8V
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
4.8V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
图2 。
典型的输出特性
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID = 60A
VGS = 10V
1.5
1
T J = 25°C
（归一化）
10
T J = 175℃
1.0
0.1
VDS = 10V
在60μs脉冲宽度
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.01
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，C DS短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID = 60A
12
10
8
6
4
2
0
VDS = 32V
VDS = 20V
VDS = 8.0V
C，电容（pF ）
西塞
1000
科斯
CRSS
100
1
10
100
0
VDS ，漏极至源极电压（ V）
10
20
30
40
50
60
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
AUIRFR_U8401
1000
1000
ISD ，反向漏电流（ A）
100
TJ = 175℃
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
L
imited通过
10
包
1msec
100sec
10
TJ = 25°C
在这一领域
限制根据RDS （ ON）
10msec
1
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
0.1
1
10
VDS ，漏toSource电压（V ）
DC
VGS = 0V
0.1
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
100
图8 。
最大安全工作区
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ，温度（° C）
ID = 1.0毫安
80
ID ，漏电流（ A）
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
0.3
图10 。
漏极至源极击穿电压
240
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
200
8.5A
20A
底部
60A
顶部
ID
0.2
160
能量（ μJ ）
120
0.1
80
40
0.0
0
10
20
30
40
0
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始T J ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
5
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2013国际整流器
图12 。
最大雪崩能量与漏电流
2013年5月6日
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